活性填料钼在聚碳硅熔转化陶瓷中的应用

研究了活性填料钼（Mo）在聚碳硅烷（PCS）先驱体转化陶瓷中的应用。研究表明,活性填料Mo能有效降低陶瓷素坯的气孔率。Mo可与PCS气态裂解碳氢产物、游离碳和N2气氛反应生成新的化合物,可明显提高PCS的陶瓷产率。当Mo/PCS为25％（vol)时,坯体的陶瓷产率为100％。Mo还有能效地提高烧成体的强度。     

活性填料钽在聚碳硅烷转化陶瓷中的应用

研究了活性填料坦（Ta)在聚碳硅烷（PCS）先驱体转化陶瓷中的应用。研究表明,活性填料Ta能有效降低陶瓷素坯的气孔率。Ta可与PCS气态裂解产物N2气氛反应生成新的化合物,提高PCS的陶瓷产率。Ta还能提高烧成体的强度。但是Ta的引入并不能抑制坯体在裂解过程中的收缩。Ta含量越高,陶瓷烧成体的线收缩越大。     

活性填料铬在聚碳硅烷裂解陶瓷中的应用

研究了活性填料铬 (Cr)在聚碳硅烷 (PCS)先驱体裂解陶瓷中的应用。研究表明 ,活性填料 Cr能有效降低陶瓷素坯的气孔率。 Cr可与 PCS气态裂解产物和 N2 气氛反应生成新的化合物 ,可明显提高 PCS的陶瓷产率。当 Cr/ PCS为 3 5% vol时 ,坯体的陶瓷产率为 1 0 0 %。在先驱体中引入 Cr能有效地抑制坯体在裂解过程中的收缩。Cr含量越高 ,素坯裂解后的收缩越小。当 Cr/PCS为 4 6% vol时 ,素坯在裂解前后线收缩率为 0 ;由于生成产物的体积效应较大 ,以及与 Si C热膨胀系数的不匹配性 ,导致陶瓷烧成体强度有所下降。用 X-衍射法 (XRD)分析了烧成产物的物相组成 ,扫描电子显微镜 (SEM)观察了陶瓷烧成体的断口形貌。     

活性填料铬在取碳硅烷裂解陶瓷中的应用

研究了活性填料铬（Ｃｒ）在聚碳硅烷（ＰＣＳ）先驱体裂解陶瓷中的应用。研究表明,活性填料Ｃｒ能有效降低陶瓷素坯的气孔率。Ｃｒ可与ＰＣＳ气态裂解产物和Ｎ２气氛反应生成新的化合物,可明显提高ＰＣＳ的陶瓷产率。当Ｃｒ／ＰＣＳ为３５％ｖｏｌ时,坯体的陶瓷产率为１００％。在先驱体中引入Ｃｒ能有效地抑制坯体在裂解过程中的收缩。Ｃｒ含量越高,素坯裂解后的收缩越小。当Ｃｒ／ＰＣＳ为４６％ｖｏｌ时,素坯在裂解前后线收     

活性填料在制备陶瓷基复合材料中的应用

研究了Ｔｉ,ＴｉＨ２等活性填料在聚碳硅烷先驱体裂解制备ＳｉＣ陶瓷材料中的应用,Ｔｉ、ＴｉＨ２等可增加聚碳硅烷的裂解陶瓷产率,可与Ｎ２气氛反应生成氮化物,导致体积膨胀而降低陶瓷的气孔率,提高材料性能。     

活性填料在先驱体转化陶瓷喷管中的应用

以聚碳硅烷为先驱体，Al为活性填料，研究了活性填料Al对SiC陶瓷喷管的成型工艺、力学性能、抗氧炔焰烧蚀率、抗氧化和抗热震性能的影响。研究表明，喷管在裂解前后的体积基本不变。当喷管素坯在含有活性填料Al时，材料的室温三点弯曲强度比不含活性填料材料的强度约提高50％；抗氧炔焰烧蚀性能明显改善，抗氧炔焰烧蚀率为0.02％，比不含活性填料的喷管的抗氧炔焰烧蚀率降低了3.07％；抗氧化性能也有所提高。     

聚碳硅烷化学转化制备SiCw／SiC复合材料的研究

研究了以ＳｉＣ晶须为增强剂和以聚碳硅烷为先驱体热解制备ＳｉＣｗ／ＳｉＣ陶瓷基复合材料的成型工艺及其热物理性能。同时对ＳｉＣｗ／ＳｉＣ复合材料高温氧化机理进行探索。制得的ＳｉＣｗ／ＳｉＣ复合材料的密度为２．１９／ｃｍ￣３，弯曲强度为２５０ＭＰａ。     

聚碳硅烷在热压烧结SiC陶瓷中的应用

研究了聚碳硅烷（ＰＣＳ）在热压烧结ＳｉＣ陶瓷中的作用。结果表明,在较低的烧结温度下,ＰＣＳ与烧结助剂等形成有助于烧结的晶界液相。同时,由ＰＣＳ裂解的纳米ＳｉＣ能与ＡｌＮ形成均匀固溶体,从而促进了材料的致密化,并且改善了ＳｉＣ陶瓷的晶界结构,使ＳｉＮ陶瓷的致密度和抗弯强度明显提高。     

聚碳硅烷树脂性能及应用研究

合成了聚碳硅烷树脂,以该树脂为原料制备了SiC纤维。用电镜、红外光谱、X射线衍射、差热分析、热失重等方法对SiC纤维进行了研究,并对以聚碳硅烷树脂作为浸渍物质涂覆石墨进行了初步研究。     

活性填料在先驱体转化制备陶瓷材料中的应用

综述了用先驱体法制备陶瓷材料的特点,针对先驱体法气孔率高及收缩率大的不足,提出了三个解决办法,其中着重讨论了活性填料的选择原则及其在先驱体裂解制备陶瓷中的特点、应用及国内外研究现状．     

静电纺聚碳硅烷制备SiOC超细纤维

以聚碳硅烷(PCS)为先驱体, 采用静电纺丝法和先驱体转化法制备SiOC超细纤维, 研究PCS溶液浓度和表面活性剂对纤维形貌和直径的影响。实验结果表明: 添加表面活性剂后, 纤维分布均匀, 串珠现象消失; 通过调节溶液中PCS比例, 纤维直径分布范围为500~900 nm。力学性能测试表明SiOC纤维毡的抗拉强度可达8.88 MPa。SiOC超细纤维毡也展现出优异的热稳定性和抗化学腐蚀性能, 在苛刻环境中可以作为催化剂载体和过滤材料使用。     

异型截面聚碳硅烷纤维的制备

以聚碳桂烷为原料,运用三叶型纺丝组件,通过熔融纺丝,制备出了异型截面聚碳硅烷纤维。研究了纺丝温度、压力、牵伸速度对纤维异形度和当量直径的影响,确立了异型截面聚碳硅烷纤维的溶融纺丝工艺。     

纳米结构二硫化钼的制备及其应用

二硫化钼是一种典型的过渡金属二元化合物, 以其独特的化学、物理性能而备受关注。本文综述了纳米二硫化钼常见的多种形貌结构, 包括富勒烯状、球状、花状、线、片、棒、管状等; 概述了其常用的制备方法, 包括: 化学气相沉积法、高温硫化法、剥离法、电化学沉积法、水热及溶剂热法等; 总结了纳米结构二硫化钼在润滑、催化、光电器件等领域的研究进展, 最后展望了二硫化钼材料的研究前景。     

聚碳硅烷制备近化学计量SiC纤维的研究进展

综述了聚碳硅烷制备近化学计量比SiC纤维的研究进展,总结了H2在PCS纤维裂解过程中的作用机理,比较了纯H2气氛、分阶段不同气氛、全过程H2/Ar混合气氛条件下得到的SiC纤维的组成和性能变化规律.纯H2气氛800℃以上保温4h,可得到近化学计量比SiC纤维;分阶段气氛下,气氛转换温度为800℃,烧结至1300℃保温1h,可得到近化学计量比SiC纤维;混合气氛下,氢气浓度为60%左右,烧结至1300℃保温1h,可得到近化学计量比SiC纤维.在这些气氛条件下得到的近化学计量比SiC纤维,烧结后的高温力学性能均优于非化学计量比SiC纤维.     

Polymer Derived Engineering Ceramics

Engineering ceramics in the system Si–O–C–N–B manufactured from preceramic silicon containing polymers gain in significance with increasing availability of advanced precursor materials such as poly(carbosilane), ‐(silazane), ‐(siloxane) or ‐(borosilazane). While high temperature resistant Si–C and Si–N ceramic fibers are already used to reinforce ceramic matrix composites (CMC) in air‐ and spacecraft structures, novel products such as coatings, tapes, foams, and complex shaped components for medium and low temperature applications in the fields of energy, environmental, transportation, and communication technologies become more important in the future. Preceramic polymers offer the possibility of using versatile plastic shaping technologies as well as advanced laminated object manufacturing techniques. Properties can be varied in a wide range by tailoring the molecular structure and composition of the precursor polymer and by loading the polymer with intert or reactive filler powders. Partial conversion of the organic polymer into organic/inorganic hybrid materials yields novel materials which exhibit properties between polymers and ceramics.     

用Sol─Gel法制备PZT铁电陶瓷及薄膜

用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备了Ｐｂ（Ｚｒ＿（０．５）Ｔｉ＿（０．５））Ｏ＿３（ＰＺＴ）铁电陶瓷与薄膜，观察了它们的结晶情况并测定了它们的电学性能。利用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法，可降低ＰＺＴ陶瓷粉料的预烧温度约２００℃，所得陶瓷致密，晶粒均匀；具有较好的介电性能。ＰＺＴ陶瓷显示弥散相变特征。ＰＺＴ薄膜的晶化受基底影响很大。基底晶格越完整，与ＰＺＴ薄膜的晶格失配率越小，ＰＺＴ薄膜的晶化就越好。采用ＰｂＴｉＯ＿３过渡层促进ＰＺＴ薄膜在镀铂硅片上晶化。ＰｂＴｉＯ＿３过渡层与ＰＺＴ薄膜构成串联电路。其表现电学性能与相应的ＰＺＴ体材料相近。