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1.
Cu/TiO2 纳米线的制备及其光催化性能 总被引:1,自引:1,他引:0
以P25粉体为原料,采用水热法合成了TiO2 纳米线,通过NaBH4还原CuCl2溶液,在TiO2纳米线的表面负载了Cu纳米颗粒.利用透射电镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)和紫外-可见光谱(UV-Vis)对产物进行了表征.结果表明,Cu纳米粒子均匀分散在纳米线表面,并且该Cu/TiO2纳米线在可见光区域表现出较强的吸收性能.光催化降解酸性红3R染料溶液测试表明,在TiO2纳米线表面负载Cu纳米颗粒对提高其催化性能具有积极作用. 相似文献
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采用水热法制备了钛酸钠纳米线、TiO2纳米线和La3+/TiO2纳米线。利用XRD、SEM、HREM、XPS和UV-Vis等技术手段对样品微观结构、光学性能和表面元素价态进行了分析;并以甲基橙溶液为目标污染物测试其光催化性能。研究表明,实验合成了直径为50~200nm、长度为十几微米到几十微米的钛酸钠纳米线,并通过对微观结构的分析,初步确定其分子式为Na2Ti3O7,钛酸钠纳米线经过氢离子和镧离子进行离子交换并高温烧结得到了TiO2纳米线和La3+/TiO2纳米线;钛酸钠纳米线对甲基橙溶液几乎没有光催化降解作用,而TiO2纳米线具有较高的光催化活性,其中样品La3+/TiO2纳米线光催化性能最强。 相似文献
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利用水溶液法制备ZnO纳米线,使用真空热蒸发方法用Ag对ZnO纳米线进行表面修饰。用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)仪、吸收谱仪分析它们的表面形貌、物相结构及光学性质,同时分析了其场发射性能。结果表明,随着Ag修饰量的增加,ZnO纳米线表面上的Ag纳米粒子分布会由稀疏逐步到致密,最后Ag的纳米粒子几乎连在一起。测量吸收谱线发现修饰后的ZnO纳米线的吸收能力变强,但存在一个临界值,当修饰量超过临界值后,ZnO纳米线的光吸收能力会减弱。对修饰后ZnO纳米线的场发射性能进行初步测试,结果表明适当量的Ag修饰可以有效降低ZnO纳米线的场发射开启电压。 相似文献
5.
MS(M=Cd或Zn)纳米粒子负载TiO_2纳米线的制备及可见光催化性能 总被引:3,自引:0,他引:3
以具有层状结构的钛酸盐纳米线、CdCl2或ZnSO4及硫代乙酰胺为原料,采用两步水热合成法制备了高温稳定的六方相CdS或低温稳定的立方相ZnS纳米粒子负载的TiO2纳米线复合材料。首先,CdCl2或ZnSO4与钛酸盐纳米线在水热条件下进行离子交换制得含Cd2+或Zn2+的钛酸盐纳米线;然后,在硫代乙酰胺溶液中于160℃下直接处理含Cd2+或Zn2+的钛酸盐纳米线就可获得负载有硫化物纳米粒子的TiO2复合纳米线。它们在酸浸后,TiO2纳米线的表面仍存在少量硫化物纳米粒子。通过测试酸浸后样品、纯TiO2纳米线和商用P25对亚甲基蓝水溶液的可见光催化降解实验结果证实,含CdS纳米粒子样品的光催化活性最高。 相似文献
6.
TiO2纳米管与纳米线的光电化学研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用在钛箔表面沉积一层TiO2纳米粒子作为晶种,与NaOH反应,通过改变反应温度制备了TiO2纳米管与纳米线.制备了TiO2纳米管和纳米线膜电极,并进行了光电化学测试.光电化学实验表明,混晶结构TiO2纳米管和纳米线显示出优良的光电转化性能. 相似文献
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利用贵金属修饰氧化钛被认为是提高氧化钛光催化效率的重要途径。本文提出了一种新的制备方法,利用紫外光诱导还原作用,在水相体系中不使用表面活性剂合成Ag修饰TiO2纳米结构。首先,Ti(SO4)2水解能得到分散良好的锐钛矿相TiO2纳米棒。在TiO2纳米棒合成过程中,利用紫外光的诱导还原作用即可得到Ag/TiO2纳米结构。透射电镜显示Ag修饰TiO2纳米结构是由20~30nm的TiO2纳米棒和10nm左右的Ag"纳米头"组成。对亚甲基蓝的光降解实验证明,Ag/TiO2纳米结构相比纯TiO2在可见光和模拟太阳光下光催化性能分别提高了31倍和3倍。因此,此法合成的Ag/TiO2可被开发用作降解污染物的有效催化剂。 相似文献
8.
简单两步法制备载银TiO_2纳米管 总被引:1,自引:0,他引:1
简单两步法制备载Ag的TiO2纳米管。采用溶胶-凝胶结合水热法制备TiO2纳米管(TiNT),利用传统的"银镜反应",得到表面载Ag的TiO2纳米管(Ag-TiNT)。利用X射线衍射(XRD)、高分辨率透射电镜(TEM)、电子衍射能谱(EDS)对产物进行了表征。结果表明,Ag粒子均匀地分散在纳米管的外表面。从UV-Vis吸收光谱上可以观察到,载银的TiO2纳米管在可见光区域的吸收有了明显提高。 相似文献
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本文用导电原子力显微镜 (AFM)针尖诱导局域氧化反应的方法 ,在Ti膜表面制备了TiO2 纳米结构。实验结果表明 ,Ti膜的氧化阈值为 - 7伏 ,制备的TiO2 纳米线的最小线宽达到 10nm ,TiO2 纳米线的高度和宽度随针尖偏压的增大而增大。在优化的氧化刻蚀条件下 ,通过控制针尖偏压和扫描方式制备出了图形化的TiO2 结构 ,本研究表明基于导电AFM的纳米刻蚀技术将成为构筑纳米电子器件的重要工具 相似文献