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利用聚集离子束(F IB)对小线度下(≤3μm)的溅射刻蚀与增强刻蚀的性能进行了实验和分析。通过对硅和铝的刻蚀实验,研究在溅射刻蚀与增强刻蚀方法下刻蚀速率、蚀坑形貌与离子束流大小的关系。实验发现,铝和硅的刻蚀速率与刻蚀束流近似成线性关系;束流增大到一定程度后由于束斑变大及瞬时重淀积的作用,刻蚀速率曲线偏离线性。使用卤化物气体的增强刻蚀,硅和铝的刻蚀速率得到不同程度地提高。根据蚀坑形貌与束流大小的关系分析,发现瞬时重淀积是影响小线度刻蚀质量的主要因素。增强刻蚀大大减小了蚀坑的坑璧倾角,而坑底倾斜问题需综合考虑。 相似文献
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用于垂直腔面发射激光器的GaAs/AlGaAs的ICP刻蚀工艺研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备对应用于垂直腔面发射激光器的GaAs/AlGaAs材料进行刻蚀工艺研究。该刻蚀实验采用光刻胶作为刻蚀掩模,Cl2/BCl3作为刻蚀工艺气体,通过实验分析总结了ICP源功率、射频偏压功率和腔体压强对GaAs/AlGaAs材料和掩模刻蚀速率的影响。利用扫描电子显微镜观察不同参数条件对样品侧壁垂直度和底部平坦度的影响。最终在保证高刻蚀速率的前提下,通过调整优化各工艺参数,得到了侧壁光滑、底部平坦的圆台结构。 相似文献
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随着超大规模集成电路的发展,对各种薄膜材料的刻蚀提出了越来越高的要求,湿法刻蚀已难以满足新器件的要求。我们在RIE系统中,针对超高速ECL工艺中铝和硅铝的刻蚀进行研究,通过实验给出了压力、功率密度、气体组分与流量以及衬底温度对刻蚀速率影响的关系曲线。实验证明,在条件优化的情况下,对Al和Al-Si刻蚀速率分别为0.3μm/min和0.2μm/min线条的精度控制可达3μm。最后根据实验结果给出最佳刻蚀工艺条件。 相似文献
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采用光学发射光谱(OES)原位检测技术,对等离子体刻蚀机中的等离子体状态进行实时监控,讨论了其在故障诊断、分类、刻蚀终点的判断及控制方面的应用。实验平台为在新研发的高密度等离子体刻蚀机,采用化学气体HBr/Cl2为刻蚀气体进行多晶硅刻蚀工艺实验,实验过程中所采集的OES数据通过PCA法进行分析,得到与刻蚀过程相关的特征谱线。实验结果表明:OES技术适合于深亚微米等离子体刻蚀工艺过程的终点检测及故障诊断。最后就OES技术未来发展面临的挑战进行了讨论。 相似文献
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为了解决现有硅刻蚀工艺中存在的刻蚀质量等问题,采用激光加工技术和电化学加工技术相结合的工艺对硅进行了刻蚀,研究了该复合工艺的工艺特性。实验中采用248nm-KrF准分子激光作光源聚焦照射浸在KOH溶液中的阳极n-Si上,实现激光诱导电化学刻蚀。在实验的基础上,研究了激光电化学刻蚀Si的刻蚀孔的基本形貌,并对横向刻蚀和背面冲击等质量问题进行了分析。结果表明,该工艺刻蚀的孔表面质量好、垂直度高;解决了碱液中Si各向异性刻蚀的自停止问题,具有加工大深宽比微结构的能力;也具有不需光刻显影就能进行图形加工的优越性。 相似文献
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微通道板作为电子倍增器件可以对电子、离子、紫外和软X射线进行探测和成像.传统微通道板制备是采用玻璃纤维拉制和氢还原等技术,提出分别采用半导体体微加工和电化学腐蚀制备硅微通道板的新技术.在干法刻蚀中采用 ICP 技术制备了孔径为 6~20 μm、间隔4~8 μm、长径比 15~30 的硅微通道板,初步试验结果为对于长径比为 16 的样品,电子增益为 102 数量级.同时,开展了湿法电化学腐蚀技术制作硅微通道板的研究,分析讨论了电化学腐蚀微通道板的机理.结果表明,干法和湿法刻蚀技术可以制备高长径比硅微通道板,与 ICP 技术型比,电化学腐蚀具有较低的成本. 相似文献
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微通道板及其真空处理工艺研究 总被引:3,自引:0,他引:3
本文主要介绍几种新型的微通道板(MCP)。同时简单叙述采用热烘烤和紫外光照射清洗技术对MCP进行真空处理的工艺研究过程和结果,采用这种MCP作为电子倍增器的光电倍增管,其性能稳定,寿命达1000h以上。 相似文献
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Volker Nock Lynn MurrayFahmi Samsuri Maan M. AlkaisiJohn J. Evans 《Microelectronic Engineering》2011,88(8):1828-1831
We report the development and characterization of a microfluidics-based bioimprint process using high-density microchannel arrays for cell-culture and polymer delivery. The tubeless PDMS arrays consist of multiple independent microchannels and allow for parallelized bioimprint via automated dispensing and passive pumping. Using the microchannels, a 400 nm thin test pattern was replicated into a methacrylate biopolymer to demonstrate process applicability. Bioimprints of cobalt chloride stimulated Ishikawa endometrial cancer cells exhibiting exocytosis-like pore structures were compared with controls using AFM to exemplify a process application. The devices can be used for high-throughput cell assays, cell developmental studies and the formation of phenotype-specific biomimetic scaffolds. 相似文献
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Si材料二维深通道微孔列阵是新型二维通道电子倍增器的基体,其可以采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀和光电化学(PEC)刻蚀等半导体工艺技术实现。简述了ICP工艺原理和实验方法,给出了微孔直径6~10μm、长径比约20、平均刻蚀速率约1.0μm/min的实验样品,指出了深通道内壁存在纵向条带不均匀分布现象、成因和解决途径;重点论述了微孔深通道列阵PEC刻蚀原理和实验方法,在优化的光电化学工艺参数下,得到了方孔边长3.0μm、中心距为6.0μm、深度约为160μm的n型Si基二维深通道微孔列阵基体样品,得出了辐照光强、Si基晶向与HF的质量分数是影响样品质量的结论,指出了光电化学刻蚀工艺的优越性。 相似文献
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《Microelectronics Journal》2014,45(12):1740-1745
The thermal management of semiconductor devices is still a hot topic. Most designers, who are aware of the thermal aspects of IC design, know that new, cheaper and more efficient methods are required to keep the temperature of electronic systems low. Research by different teams regarding the cooling of stacked die structures is in progress.In this paper an improved thermal characterization method will be presented to determine the flow dependent partial thermal resistance of integrated microchannel based heat sinks. This reliable characterization method does not demand thermal isolation during the measurements, only constant environment conditions. The measurements are based on the industrial standard thermal transient testing method.On the other hand we present an approach to realize an integrated microfluidic channel based heat sink, which can be realized in the backside of the silicon chip itself. The approach is based on a cheap wet etching process instead of reactive ion etching or LIGA technologies, which enables batch processing. 相似文献
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微沟道冷却器的散热分析 总被引:3,自引:0,他引:3
对增加激光二极管的发光功率密度,可把微沟道散热器看作数百个平行的微小翅片,建立一个微沟道散热的数学模型,以此计算出的泵压极限和热阻系数与文献(1)的实验结果一致。 相似文献
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The demonstration of two-dimensional arrays of surface-emitting distributed feedback lasers is reported. A 30-element array is shown to produce up to 6.8 W of pulsed output power. A 27-element array bonded on a silicon microchannel water-cooled heat sink is shown to produce as much as 3 W of continuous-wave output power. The high continuous wave power is possible due to the low thermal resistance in the p-side down design of the surface-emitting distributed feedback lasers and effective heat extraction by a silicon microchannel heat sink 相似文献