溅射法制备a-Si_xC_(1-x):H薄膜光电性能的研究

本文介绍了用溅射法制备的a-Si_xC_(1-x):H薄膜光学带隙和电导激活能与碳含量的关系,测量了所得样品的红外吸收谱、光电子谱及折射率。对所得结果进行了初步的讨论。     

退火对a-Si_xC_(1-x):H薄膜光学性质的影响

研究了退火对α-Si_xC_(1-x):H薄膜红外吸收和光致发光性质的影响.实验结果表明:低温退火使与氢有关的红外吸收和积分发光强度增加;而高温退火使与氢有关的红外吸收和积分发光强度减弱;同时,随着退火温度升高,光致发光光谱的峰值能量位置移向低能.文中对退火引起红外吸收和光致发光性质的变化机理进行了讨论。     

辉光放电方法制备的a-SiN_x:H薄膜光致发光研究

研究了a-SiNx:H薄膜在15K左右低温下的光致发光特性,测得发光峰值位置随样品中氮含量的增加而向高能方向移动。部分晶化样品的发光峰值从1.47eV移到1.25eV。从PL强度的温度效应,可得到激活能ε和表征带尾宽度的特征温度T_(?)o T>80K和     

RF-PECVD法制备a-Si1-x Cx:H薄膜的光学性能研究

以SiH4和CH4为源气体,采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法,通过改变CH4/SiH4流量比和射频功率制备非化学计量比氢化非晶碳化硅(a-Si1-x Cx:H)薄膜.采用傅里叶转换红外光谱(FTIR)和紫外-可见(UV-Vis)光谱等测试手段,对薄膜的成键情况及其对光学带隙的影响进行了研究分析.结...     

GD-a-Si_xC_(1-x):H薄膜光照场效应的研究

本文利用MOSFET结构研究了GD-a-Si_xC_(1-x):H薄膜的光照场效应以及光电导和S-W效应。实验测得光照引入的缺陷态密度约为10~(17)/cm~3.eV。     

(Ba_(1-x)Sr_x)TiO_3薄膜的制备及性能的研究

选用 Ba(C2 H3O2 ) 2 、Sr(C2 H3O2 ) 2 · 1/ 2 H2 O和 Ti(OC4H9) 4为原材料 ,冰醋酸为催化剂 ,乙二醇乙醚为溶剂。用改进的溶胶 -凝胶技术在 Pt/ Ti/ Si O2 / Si基片上成功地制备出钙钛矿型结构的 (Ba1 - x Srx) Ti O3薄膜。该薄膜是制备铁电动态随机存取存储器、微波电容和非致冷红外焦平面阵列的优选材料 ;分析了薄膜的结构 ;测试了薄膜的介电和铁电性能。在室温 10 k Hz下 ,(Ba0 .73Sr0 .2 7) Ti O3薄膜介电系数和损耗分别为 30 0和 0 .0 3。在室温 1k Hz下 ,(Ba0 .95 Sr0 .0 5 ) Ti O3薄膜剩余极化强度和矫顽场分别为 3μC/ cm2和 5 0 k V/ c     

微晶Si_(1-x)C_x:F:H薄膜X衍射和XPS研究

用PECVD法分解SiH_4,CF_4,PH_3和H_2混合气体制备电导性能良好的磷重掺杂微晶Si_(1-x)C_x:F:H薄膜;薄膜的X衍射谱表明其结构为非晶-微晶两相混合结构;膜中C的XPS峰表现为F键合C和无F键合C两种信号的叠加;F键合c含量增大时,薄膜电导率迅速下降。文中提出了薄膜结构模型及能带模型。     

a-Si:H和a-Si_xN_(1-x):H光学特性的研究

本文所用a_Si:H和a-Si_xN_(1-x):H薄膜是用辉光放电法制备而成的。薄膜中氮含量由淀积气体中氮气与硅烷气体体积比γ(=N_2/SiH_4)来控制。利用椭圆偏振光谱测定了a-Si:H和a-Si_xN_(1-x):H在波长为2000A～6000A的范围内的光学常数。着重研究了其光学参数随制备时的衬底温度T和γ而变化的变化规律。     

磁控溅射法制备ITO薄膜的结构及光电性能 磁控溅射法制备ITO薄膜的结构及光电性能

本文采用直流磁控溅射法在基板温度100 ℃、100%Ar气氛中制备了光电性能优良的铟锡氧化物（In2O3:SnO2= 90:10, 质量百分比）薄膜。利用XRD、AFM、SEM、多功能光栅光谱仪和四探针电阻测试仪对薄膜的结构、表面形貌、透光率和方阻进行了测定和分析,研究了溅射功率对薄膜透光率的影响。结果表明：ITO薄膜的方阻随溅射功率的增加而下降;经过热处理,ITO薄膜可见光透光率从60.4%增加到88.3%;ITO薄膜在360 nm到380 nm的紫光区域透光率最低,760 nm到800 nm的红光区域透光率达到最高。     

a—Si_xC_(1-x):H的光致发光和光电导低温光诱导效应

报道在相同曝光条件下,a-Si_xC_(1-x):H薄膜的光致发光(PL)和光电导(PC)的低温光诱导效应。实验结果表明:PL和PC在曝光初期迅速下降,然后各自趋于稳定;PL光谱的形状及其峰值能量位置在曝光后没有变化;低温光诱导效应经室温退火即可消除。还讨论了光诱导效应机理,导出了与实验结果符合很好的光诱导效应动力学方程。     

用直流磁控溅射法制备的ＩＴＯ薄膜的光电性能研究

用直流磁控溅射法将ＩＴＯ薄膜制备在玻璃基片上以作为太阳电池的透明电极。通过改变溅射功率、基片温度和工作气压来研究它们对所沉积的ITO薄膜的透过率和电导率的影响。实验结果表明：当溅射功率从30W增加到90W时,薄膜的透过率和电阻率都将减小;当基片温度从25℃ 增加到 150℃时,透过率稍微有点增大但电阻率减小;当工作气压从0.4Pa 增大到2.0Pa时,透过率减小,但电阻率增大。因此,在溅射功率为30W、基片温度为150℃、工作气压为0.4Pa 时,ITO薄膜有比较好的光电性能,其电阻率小于10-4 Ω•cm ,在可见光波段的透过率大于80%,适合于作为太阳电池的透明电极。     

真空蒸发法制备SnS薄膜及其光电性能研究

采用真空蒸发法,在载玻片上制备了SnS薄膜。分析表明,此法制备的SnS薄膜的导电类型为p型,在(111)晶面上有很强的择优取向;其晶粒呈棒状,平均长度约为0.2~0.3μm,薄膜中的S与Sn原子非常接近化学计量比,在吸收边附近薄膜的吸收系数约为105cm-1,光学能隙Eg约为1.35 eV,电阻率约为240Ω.cm,比其它方法制备的SnS薄膜,其在光学与电学性能上有较大的改善,更适合做薄膜太阳能电池的吸收层。成功制备出了ITO/p-SnS/n-Si/Ag结构的太阳电池,其光电转换效率达0.71%。     

磁控溅射法制备ITO薄膜的结构及光电性能

本文采用直流磁控溅射法在基板温度1OO℃、100%Ar气氛中制备了光电性能优良的铟锡氧化物(In2O3:SnO2=90:10,质量百分比)薄膜.利用XRD、AFM、SEM、多功能光栅光谱仪和四探针电阻测试仪对薄膜的结构、表面形貌、透光率和方阻进行了测定和分析,研究了溅射功率对薄膜透光率的影响.结果表明:ITO薄膜的方阻随溅射功率的增加而下降;经过热处理,ITO薄膜可见光透光率从60.4%增加到88.3%;ITO薄膜在360 nm到380 nm的紫光区域透光率最低,760 nm到800nm的红光区域透光率达到最高.     

掺铂TiO_(2-x)氧敏薄膜的制备和性能

以钛酸丁酯和无水乙醇分别为原料和溶剂,添加适量稳定剂制成稳定溶胶,用浸涂法在Ａｌ２Ｏ３基片上制备ＴｉＯ２薄膜,经１０００℃Ｈ２气氛下还原制得ＴｉＯ２－ｘ薄膜．最后在氯铂酸甲醛溶液中浸泡得到掺铂薄膜．实验结果表明掺铂薄膜在８００℃下具有良好的氧敏感性和重复性,薄膜在Ｎ２气氛下具有良好的电阻温度特性．本文分析了铂在薄膜中的作用原理．     

SnSe薄膜的两步法制备与光电性能研究

采用电子束蒸镀预制层,再对预制层进行硒化的两步法工艺,通过调节硒化温度和退火时间,在玻璃基底上成功制备了SnSe薄膜。利用X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜、紫外可见近红外分光光度计等研究了SnSe薄膜的物相、微观形貌和光学性能。结果表明,在450℃下硒化退火60min可制备出纯相的多晶SnSe薄膜,其带隙为0.93eV。在功率为200mW/cm²的980nm激光照射下,对SnSe薄膜进行了光电响应特性测试,通过曲线模拟得出所制薄膜的响应时间和恢复时间分别为62和80ms。     

Cd_(1-x)Zn_xTe多晶薄膜的制备、性能与光伏应用

用共蒸发法制备了 Cd1 - x Znx Te多晶薄膜 ,薄膜结构属立方晶系空间群 F4 3m.通过透射光谱的测量 ,计算光能隙 ,得到室温时薄膜的光能隙随组分 x值的变化满足二次方关系 .作为对异质结界面的修饰 ,提出了有 Cd1 - x-Znx Te过渡层的 Cd S/ Cd Te/ Cd1 - x Znx Te/ Zn Te∶ Cu电池 .并在相同工艺下制备了 Cd S/ Cd Te/ Cd0 .4 Zn0 .6 Te/ Zn Te∶ Cu与 Cd S/ Cd Te/ Zn Te∶ Cu太阳电池 ,发现前者比后者效率平均增加了 35 .0 % .     

PECVD a-Si:H薄膜及光电导特性测量和分析(英文)

The thesis introduces the principle and course of a-Si:H films deposited with PECVD technique, the determination of characteristics of photoconductivity, and the variation under different substrate temperatures. (100-300℃). Through the experiment the activation energy is obtained, and the result shows that the best substrate-temperature is 250℃. Further analysis and discussions from distributions of hydrogen are also made.     

高温退火对GDa-Si_xC_(1-x):H 薄膜晶化特性的影响

对GDa-Si_xC_(1-x):H膜进行高温退火,当退火温度在550℃附近时晶化开始,随退火温度升高晶粒尺寸和晶化范围增大.晶化后的a-Si_xC_(1-x):H膜光吸收系数、光学带隙和电导激活能下降,室温电导率增加.     

高温退火对GDa-Si_xC_(1-x):H薄膜晶化特性的影响

对GDa-Si_xC_(1-x):H膜进行高温退火,当退火温度在550℃附近时晶化开始,随退火温度升高晶粒尺寸和晶化范围增大.晶化后的a-Si_xC_(1-x):H膜光吸收系数、光学带隙和电导激活能下降,室温电导率增加.