ROHM公司CD／CDROM用集成电路一览表（续）

ＲＯＨＭ公司ＣＤ／ＣＤＲＯＭ用集成电路一览表（续）音频数模转换器品名电源电压（Ｖ）功能２倍转发器数字滤波器去加重衰减器特点封装ＢＵ９４８０Ｆ３．０～５．５电阻串方式○○小型封装，适应２ｆｓＤＩＰ８ＳＯＰ８ＢＵ９４８３ＦＳ５．０电阻串方式○○○用于３...     

HITACHI公司齐纳二极管产品目录

ＨＩＴＡＣＨＩ公司齐纳二极管产品目录ＭＨＤ封装的ＨＺＳ—Ｂ系列通用齐纳二极管通电４０ｍｓ后测量齐纳二极管电压。订货时请指明ＨＺＳ２．７ＮＢ１，…，ＨＺＳ９．１ＮＢ３。封装：ＤＯ—３４（ＭＨＤ）。HITACHI公司齐纳二极管产品目录...     

CDMA上混频器解决方案

ＣＤＭＡ移动系统（ＭＳ）中的 Ｔｘ链路系统框图示于图１。来自基带处理器ＭＳＭ３０００的基带信号由ＩＦＴ３０００（Ｑｕａｌｃｏｍｍ公司产品）调制为１３０ＭＨｚ ＩＦ信号。此被调制的信号上变频到ＲＦ发射频率前必须由混频器进行频带限制。然后,激励器和功率放大器（ＰＡ）进一步放大ＲＦ信号。 在ＭＳ中,为了满足系统功率控制需要,在ＴＸ链路中,必须达到８５ｄＢ的动态范围（ＤＲ）。Ｔｘ链路中３个自动增益控制（ＡＧＣ）放大器提供此动态范围。ＩＦＴ３０００有８４ｄＢ的ＤＲ,此对应于控制电压范围０．２～２．３Ｖ。ＭＲ…     

漏电流极小的二极管

漏电流极小的二极管英国Ｚｅｔｅｘ公司推出的ＦＩＬＤ２０：）系列Ｍ极管包括ＦＬＬＤ２６３共阳极、ＦＩＬＤ２５６共阴极和ＦＩＬＤ２６１串联二极管引脚结构。它们的漏电流特性比行业标准低８００％，典型反向电流为２．５ｖＡ，反向电压为７０Ｖ。在ＩＶ测量电压下，...     

SiC器件──物理与数值模拟

从文献中摘出了６Ｈ碳化硅（６Ｈ～ＳｉＣ）的重要材料参数并应用到２－Ｄ器件模拟程序ＰＩＳＣＥＳ和ＢＲＥＡＫＤＯＷＮ及１－Ｄ程序ＯＳＳＩ中。６Ｈ－ＳｉＣｐ－ｎ结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达１０００Ｋ温度下应用的可能性。６Ｈ－ＳｉＣ１２００Ｖｐ－ｎ￣（－）－ｎ￣（＋）二极管与相应硅（Ｓｉ）二极管的比较说明６Ｈ－ＳｉＣ二极管开关性能较高，同时由于６Ｈ－ＳｉＣ　ｐ－ｎ结内建电压较高，其正向功率损耗比Ｓｉ略高。这种缺点可用６Ｈ－ＳｉＣ肖特基二极管克服。Ｓｉ、３Ｃ－ＳｉＣ和６Ｈ－ＳｉＣ垂直功率ＭＯＳＦＥＴ的开态电阻通过解析计算进行了比较。在室温下，这种ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的开态电阻低于０．１Ωｃｍ￣２，可在高达５０００Ｖ阻塞能力下工作，而ＳｉＭＯＳＦＥＴ则限于５００Ｖ以下。这一点通过用ＰＩＳＣＥＳ计算６Ｈ－ＳｉＣ１２００ＶＭＯＳ－ＦＥＴ的特性得以验证。在低于２００Ｖ的电压区，由于硅的迁移率较高且阈值电压较低，故性能更优良。在上述的６Ｈ－ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的栅氧化层和用于钝化平面结的场板氧化层中存在着大约４×１０￣６Ｖ／ｃｍ的电场。为了研究ＳｉＣ器件的高频性能，提出了６Ｈ－ＳｉＣ发射极的异质双极晶体管?     

开/关控制低压降稳压器

ＭＣ３３３７５系列是做功率低压降稳压器,备有不同的输出电压和封装形式,如ＳＯＴ－２２３、ＳＯＰ－８表面贴装封装。这些器件具有非常低的静态电流（ＯＦＦ模式时为０．３μＡ,ＯＮ模式时为１２５μＡ）和低的输入输出电压差（１０ｍＡＩｏ时为２５ｍＶ,３００ｍＡＩｏ时为２６０ｍＶ）。内部保护特性包括电流和热限制。ＭＣ３３３７５有－ＯＮ／ＯＦＦ控制引脚,利用一逻辑电平信号可接通或关闭稳压器输出。其简化框图示于图１。ＭＣ３３３７５的典型应用电路示于图２。为稳定２．５Ｖ、３．０Ｖ、３．３Ｖ的输出电压,只需在稳压器…     

2～18GHz GaAs单片超宽带放大器

介绍了２￣１８ＧＨｚ ＧａＡｓ微波低噪声宽带单片放大器设计原理及主要研究工作，给出了主要研究结果：在２￣１８ＧＨｚ频率范围内，管壳封装的两级级联放大器的增益Ｇ＝１３．５￣１８．３ｄＢ，噪声系数Ｆｎ＝４．２￣６．２ｄＢ，输入电压驻波比ＶＳＷＲｉｎ〈２．０，输出电压驻波比ＶＳＷＲｏｕｔ〈２．５。     

AM—VSB光纤1310nm波段750MHz CATV传输系统

对ＡＭ－ＶＳＢ光纤７５０ＭＨｚ ＣＡＴＶ系统的非线性补偿技术以及ＤＦＢ激光器的ＡＰＣ和ＡＴＣ电路进行了讨论和设计。给出了研制的ＤＦＢ光发射机及接收机的特性及实测结果。对光发射机的关键技术即预失真校正技术进行了论述,给出了研制的预失真电路的实测结果。在６０路ＰＡＬ制信号同时传输条件下,ＣＳＯ改善２～４ｄＢ,ＣＴＢ改善５～７ｄＢｃ。     

高效率PFC电路二极管选择方案

ＰＦＣ中二极管的新选择在功率因数校正电路（ＰＦＣ）中,６００Ｖ升压二极管是关键元件,特别是工作在连续模式和苛刻开关条件下的ＰＦＣ更是这样。在每一个开关周期,二极管的恢复电流流经ＭＯＳ晶体管,这导致开关中高的“开关通导”功率损耗。对于这种应用,需要最快的６００Ｖ二极管。为了提高ＰＦＣ的效率,通常的方法是把三个２００Ｖ外延恢复二极管串联起来。这必须增加一个平衡网络（每一个二极管并联一个电容和一个电阻）,以确保每一个二极管工作在其额定电压内。ＳＴＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ公司提供一个新颖的解决方…     

新颖应用电路·实用电路集ANP.571—574

新颖应用电路·实用电路集ＡＮＰ．５７１～５７４５７１．二极管模拟器在某些应用中，为了限制不必要的功率损耗，必须使用一只正向电压低于０．７Ｖ的二极管，可能是理想的。这里的这种电路就能实现这种理想。正向电流为１Ａ时，２个有源元件上的总压降仅为０．０４Ｖ，...     

基于SWIFT~(TM)的新型DC-DC模块

德州仪器公司（ＴＩ）日前宣布推出基于其ＳＷＩＦＴＴＭＤＣ／ＤＣ转换器的新型即用电源模块。该模块可提供高达６Ａ的输出电流及较低的输入电压 ,所有这些均集中于外形小巧、功能齐全、并可直接焊接到系统主板上的解决方案中。这款易用型ＳＷＩＦＴ模块适用于负载点应用 ,如通信、联网、计算机及各种其它应用中的数字信号处理器（ＤＳＰ）、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、微处理器与微控制器等。ＴＩ的ＰＴ５４００ＳＷＩＦＴ电源模块将ＴＰＳ５４６１０ＳＷＩＦＴ调节器与所需的外部组件进行了完美结合 ,从而形成了具有３．３Ｖ与５Ｖ输入电压以及…     

高帧速自扫描光电二极管面阵

通过对多路并行输出的高帧速自扫描光电二极管面阵（ＳＳＰＡ）的研究，分析了影响面阵帧速和响应度的主要因素。设计并制作出３２×３２位多路并行输出的ＳＳＰＡ实验样品。其性能参数为：ＦＰＳ（帧速）≤２０００帧／秒时，Ｖｏｓ（最大输出电压）＝２４０ｍＶ，Ｒ（响应度）＝１．０９Ｖ·１ｘ－１·ｓ－１；ＦＰＳ＝１００００帧／秒时，Ｖｏｓ＝１５０ｍＶ；ＦＰＳ＝１５０００帧／秒时，Ｖｏｓ＝１００ｍＶ。     

双频/GSM 3.6V集成功率放大器

Ｍｏｔｏｒｏｌａ公司的ＭＲＦＩＣ１８５９是一款双频单电源(３．６Ｖ)ＲＦ集成功率大器,专门用于ＧＳＭ９００/ＤＣＳ１８００手持装置。做一些适当的电路变更,它也可以用于三频ＧＳＭ９００/ＤＣＳ１８００/ＰＣＳ１９００设备。其ＧＳＭ/ＤＣＳ典型性能(在３．６Ｖ)是:ＧＳＭ:３５．８ｄＢｍ(５３%ＰＡＥ),ＤＣＳ:３４ｄＢｍ(４３%ＰＡＥ)。     

CD8189CP双卡录音机前置放大电路

ＣＤ8 1 89ＣＰ是录音、放音四前置放大电路 ,内含放音放大器和录音放大器 ,适用于双卡磁带录放机。该电路只需少量的外围元件即可取得稳定优良的性能。该电路具有如下特点 :1、外围元件少 ;2、电源电压范围宽 ;3、抑制开机ＰＯＰ声 ;4、功耗小 ;ＣＤ81 89ＣＰ是硅单片双极型线性集成电路 ,其有效芯片面积为 (2 3 0× 2 5 4 )ｍｍ2 ,共集成了 3 6 6个元器件 ,采用ＳＤＩＰ2 4塑料封装。ＣＤ81 89ＣＰ主要技术指标如下 : 电源电压范围 :4～ 1 3 5Ｖ 静态电流 :1 3ｍＡ 放音放大器最大输出电压 :1 0Ｖｒｍｓ ,电压增益　 40ｄＢ 录音放大…     

新型直流—直流转换器

安森美半导体不久前推出的单片脉冲频率调制（ＰＦＭ）升压直流 -直流转换器ＮＣＰ１４０３可将单节锂电池或两节ＡＡ或ＡＡＡ电池的输出电压提升至１５Ｖ。该芯片适用于便携式摄像机和静态数码相机、ＰＤＡ、手机、ＭＰ３机以及其它手持设备 ,同时可对液晶显示屏（ＬＣＤ）进行聚焦或驱动白色ＬＥＤ。另外 ,设计者还可将ＮＣＰ１４０３组合成降压型反向电压配置 ,从而应用于更广泛的产品中。这种采用ＴＳＯＰ -５封装的ＮＣＰ１４０３在１５Ｖ最大输出时的功效为８２ %。由于其内置提升功能 ,ＮＣＰ１４０３具有低至１９μＡ的工作电流（无…     

MHD封装的HZS—N系列通用齐纳二极管

ＭＨＤ封装的ＨＺＳ—Ｎ系列通用齐纳二极管通电４０ｍｓ后测量齐纳二极管电压。订货时请指明ＨＺＳ２．７ＮＢ１，…，ＨＺＳ９．１ＮＢ３。封装：ＤＯ—３４（ＭＨＤ）。MHD封装的HZS—N系列通用齐纳二极管...     

用DAC设计数字可编程电流源

ＤＡＣ７６４４（Ｂｕｒｒ－Ｂｒｏｗｎ公司１６位四电压输出Ｄ／Ａ变换器）设计的４～２０ｍＡ数字控制的电流源电路示于图１。ＤＡＣ７６４４提供一差分基准输入以及围绕输出放大器的一开环配置。围绕输出放大器的开环配置允许把晶体管放置在环路中实现一数字可编程的单向电流源。差分基准也可利用于满标和零标电流的编程。ＤＡＣ７６４４的单电源工作连接图示于图２,逻辑真值表见表１。其中ＶＯＵＴＡＳｅｎｓｅ：ＤＡＣＡ输出放大器倒相输入;ＶＯＵＴＡ：ＤＡＣＡ电压输出;ＶＲＥＦＬ　ＡＢＳｅｎｓｅ：ＤＡＣＡ和Ｂ某准低感测输入;…     

光磁盘用半导体激光控制LSI

ＴＡ8 5 76ＡＦＮ是一种半导体激光控制用的ＬＳＩ。它主要用于光磁盘装置和ＤＶＤ -ＲＡＭ装置。输出电流的上升 /下降时间比标准的1 5ｎｓ还短许多。东芝公司中的原来产品 ,其输出电流的上升和下降时间标准为 2 5ｎｓ。输出电流最小为 2 0 0ｍＡ。高频叠加振荡频率为 2 0 0ＭＨｚ～ 35 0ＭＨｚ。电源电压为 5Ｖ±1 0 %。封装为 2 0管脚的ＳＳＯＰ式。样品价格为 40 0日元。另外还有ＴＡ85 77ＡＦ电路 ,它是一种经过激光驱动用的信号波形整形了的ＬＳＩ。该电路与ＴＡ85 76ＡＦＮ配合使用。记录时的激光输出设定为 5级。输出电流的上升…     

双频/GSM 3.6 V集成功率放大器

Ｍ ｏｔｏｒｏｌａ公司的 ＭＲＦＩＣ１８５９是一款双频单电源（３．６Ｖ）ＲＦ集成功率放大器,设计用于ＧＳＭ９００／ＤＣＳ１８００手持无线装置。改变匹配电路,它也可以用于３频ＧＳＭ９００／ＤＣＳ１８００／ＰＣＳ１９００装置。３．６Ｖ下的典型特性是：ＧＳＭ：Ｐｏｕｔ＝３５．８ｄＢｍ, ＰＡＥ＝５３％;ＤＣＳ： Ｐｏｕｔ＝３４ｄＢｍ, ＰＡＥ＝４３％。它具有一个宽频带（９００－１８００ＭＨｚ）内部负电压产生器,此负电压产生器是基于输入载波经２级缓冲器放大后的ＲＦ整流（见图１）。这种方法消除了采用ｄｃ／ｄｃ…     

SiC器件—物理与数值模拟

从文献中摘出了６Ｈ碳化硅（６Ｈ－ＳｉＣ）的重要材料参数并应用到２－Ｄ器件模拟程序ＰＩＳＣＥＳ和ＢＲＥＡＫＤＯＷＮ及１－Ｄ程序ＯＳＳＩ中。６Ｈ－ＳｉＣｐ－ｎ结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达１０００Ｋ温度下应用的可能性。６Ｈ－ＳｉＣ１２００Ｖｐ－ｎ＾－１二极管与相应硅（Ｓｉ）二极管的比较说明６Ｈ－ＳｉＣ二管开关性能较高，同时由于６Ｈ－ＳｉＣｐ－ｎ结内建电压较高，其正向功率损耗比Ｓ