ns脉冲激光诱导制备铬掺杂ZnSe纳米粒子独特的生长以及光学特性

在液相环境中,利用纳秒（ns）脉冲激光器轰击消融铬掺杂ZnSe（Cr^2＋：ZnSe）微米颗粒,制备出Cr^2＋：ZnSe纳米粒子,扫描电镜以及X射线衍射检测,结果显示,制备所得的粒子为平均尺寸为50nm的ZnSe闪锌矿结构纳米粒子。基于Cr^2＋：ZnSe纳米粒子,观察到中心波长为2180nm、阈值为0．4mJ／pulse的随机激光效应。相比于Cr^2＋：ZnSe晶体激光器,纳米粒子随机激光的中心波长发生了约170nm的蓝移,Cr^2＋：ZnSe纳米粒子的光致发光寿命也比Cr^2＋：ZnSe晶体要短。     

红外透波材料的发展现状与展望

本文介绍了红外透波材料的特点，制备工艺和应用。着重比较了一些晶体红外材料和非晶体红外材料的光学性能和机械性能，并讨论了红外材料的镀膜技术，指出镀膜的ZnSe晶体和硫系玻璃将会成为未来红外热成像系统光学零件和红外窗口的候选材料。     

GaAs激光窗口与透镜材料的制备原理和方法

目前,激光技术已广泛应用于医疗、测量、工业、军事和高科技等领域。在各种类型的激光器中,高功率CO2激光器在我国工业加工中例如:热处理、切割、焊接、表面合金化与涂敷等行业应用得已十分普遍。对于激光器和激光加工机来说,窗口和透镜则是十分关键的部件。从某种意义上讲,没有窗口就不会产生激光,没有透镜就无法进行激光加工。在有限的几种适合制作窗口和透镜的材料中,由于GaAs具有较好的综合性能因而受到人们的重视。本文仅对GaAs激光窗口及透镜材料的制备原理和方法做一简单介绍。     

具有立方晶核ZnSe四足纳米晶的制备与表征(英文)

纳米材料的本征性质与其结构密切相关,在纳米尺度操控材料并表征其结构是纳米科学与技术的关键.采用热蒸发法制备了一种四足结构ZnSe纳米晶,通过高分辨透射电子显微镜对这种四足ZnSe纳米晶的晶体结构进行了表征.该ZnSe纳米晶由一个四面体的立方晶核和四个沿[001]方向生长的六方相分枝构成.本研究对这种ZnSe纳米晶的形貌和结构进行了讨论,证明了在ZnSe纳米晶内两种晶相的共存.根据ZnSe的结晶学特性和晶相的温度稳定性,解释了这种四足结构纳米晶的生长机制:ZnSe的四面体立方晶核在高温区域形成后,ZnSe蒸汽在低温区继续沉积在晶核上形成四个六方相的分支足,最终形成了具有立方晶核的ZnSe四足纳米晶.     

不同温度下ZnO/ZnSe复合结构的制备及光催化性能

以氧化锌(ZnO)、硒粉(Se)以及硼氢化钠(NaBH4)为原料,采用浸渍覆膜法,在不同保温温度下(50,70和90℃),制备出具有核壳结构的ZnO/ZnSe纳米光催化材料。采用透射电子显微镜(TEM)、拉曼光谱(RAMAN)、紫外可见分光光度计(UV-Vis)、光催化性能测试等手段对其样品的结构、形貌以及光催化性能进行了表征。通过测试复合结构对一氧化氮(NO)的降解能力,评估其光催化效率。结果表明,样品的保温反应温度越高,附着在ZnO晶体表面的ZnSe颗粒越密集,纳米棒的核壳结构越明显,制备的ZnO/ZnSe样品在金卤素灯照射下降解氮氧化物的速率与降解效果也越明显。但考虑到制备过程的便捷、环保等因素,保温温度70℃为制备具有核壳结构的ZnO/ZnSe纳米光催化材料的最佳温度条件。     

热蒸发法制备ZnSe纳米球及其球形度

使用硒化锌粉末,在一定条件下,采用热蒸发法制备出纳米结构的ZnSe纳米球,分析了添加少量硒粉对纳米球球径及球形度的影响,利用透射电镜及能谱仪观察了ZnSe纳米球的球径大小与分布,同时进行了元素分析,利用X射线衍射分析对ZnSe纳米球进行了物相鉴定。实验结果表明:控制蒸发电流在30 A,蒸发时间为3 s时,可以得到较好的ZnSe纳米球,而添加0.005 g硒粉时,得到的纳米球更小,球形度更好,表明在真空状态下,采用热蒸发法是一种制备ZnSe纳米球结构的有效新方法。     

热蒸发法制备ZnSe纳米球及其球形度北大核心CSCD

使用硒化锌粉末,在一定条件下,采用热蒸发法制备出纳米结构的ZnSe纳米球,分析了添加少量硒粉对纳米球球径及球形度的影响,利用透射电镜及能谱仪观察了ZnSe纳米球的球径大小与分布,同时进行了元素分析,利用X射线衍射分析对ZnSe纳米球进行了物相鉴定。实验结果表明:控制蒸发电流在30 A,蒸发时间为3 s时,可以得到较好的ZnSe纳米球,而添加0.005 g硒粉时,得到的纳米球更小,球形度更好,表明在真空状态下,采用热蒸发法是一种制备ZnSe纳米球结构的有效新方法。     

水溶性ZnSe纳米晶的微波制备与表征

本文利用微波辐射方法,在水相中直接快速制备,得到了谷胱甘肽修饰的水溶性ZnSe纳米晶,并详细讨论了制备条件(溶液中离子配比、PH值、反应温度和时间等)对结果的影响.在最佳条件下制备所得的ZnSe纳米晶,发射波长在360nm～410nm之间可调,荧光光谱半峰宽最小值可达到21nm.另外,进一步利用光辐射方法,对ZnSe纳米晶进行表面修饰,将其荧光量子效率提高到了55%.本文制备方法具有过程简单、经济的优点,此外,这种水溶性ZnSe纳米晶具有优良的光谱性能和良好的生物相溶性,可使其作为荧光探针进一步应用在生物领域.     

Ⅱ-Ⅵ族材料在叠层太阳能电池中的应用

Ⅱ-Ⅵ族材料ZnSe、CASe、ZnTe、CdTe等具有禁带宽度大,少子寿命对位错不敏感等优点,可以作为一种新的材料体系应用于叠层太阳能电池中.此类材料既能够与铜铟镓硒电池、Ⅲ-V族材料、单晶Si等相结合,也可将不同的Ⅱ-Ⅵ族材料相结合制备多结电池.本文介绍了上述几种思路的理论及实验研究现状,以及 Ⅱ-Ⅵ族材料顶电池的研究进展;同时分析了阻碍Ⅱ-Ⅵ族半导体材料应用的单极性掺杂问题,介绍了提高掺杂水平可能的途径.     

Cu掺杂ZnSe高效量子点的合成及其光学特性研究

采用生长掺杂方式制备了Cu掺杂ZnSe高效量子点, 探索了不同Zn、Se前驱体配比对ZnSe晶核以及ZnSe:Cu量子点质量的影响, 并研究了Cu离子掺杂过程中的光谱特征。研究表明, 进一步通过在表面掺杂的ZnSe:Cu量子点上同质包覆ZnSe壳层, 能够实现其发光效率和稳定性的有效提高; 采用配体交换能够实现ZnSe:Cu量子点由油溶性到水溶性的转变。这种新型的掺杂量子点有望替代传统含Cd量子点应用于环境友好型固体发光器件和生物标记。