选择性相强化对CuCr触头材料在真空小间隙中耐电压强度的影响

研究了合金元素Ｗ、Ｃｏ的加入对ＣｕＣｒ触头材料在真空小间隙中耐电压强度的影响。研究结果表明,合金元素选择强化ＣｕＣｒ材料的Ｃｒ相能够显著提触头间隙的耐电压强度,而强化Ｃｕ相对间隙的耐电压强度没有明显作用。文章认为制备ＣｕＣｒ系触头材料时应选择适当的制备工艺,使合金元素能够选择强化材料中的Ｃｒ相。     

高温下 CuCr 触头材料对真空小间隙击穿强度的影响

测量了含不同合金元素的ＣｕＣｒ真空触头材料不同温度下的击穿强度,讨论了合金元素Ｗ、Ｃｏ及温度对ＣｕＣｒ真空触头材料高温下小间隙击穿性能的影响。     

利用微放电现象预测真空触头材料的耐电压性能

介绍利用微放电现象预测真空触头材料的耐电压性能的技术。在阐明真空间隙击穿和微放电机理的基础上,引用国外最近的研究结果对预测的可能性给于证明,最后对它的应用问题作了讨论。     

两种新的Cu-Cr合金触头材料

介绍两种新的触头材料──真空熔铸的Ｃｕ—２５Ｃｒ合金材料和激光熔凝的Ｃｕ—５０Ｃｒ表面合金。用这两种材料做触头的真空灭弧室在３８ｋＶ、２５ｋＡ和３１．５ｋＡ下的开断性能优异。     

根据微放电现象的研究评价真空灭弧室触头材料的性能

本文研究了真空灭弧室用CuCr25、CuCr50、WCu30烧结触头材料的真空间隙的绝缘性能。通过采用局部放电测量仪和多路分析仪,对预击穿阶段的典型现象──微放电现象进行了研究。结果表明,真空间隙的耐电压强度与微放电现象的特性参数之间具有非常密切的关系。     

真空熔炼CuCr25合金及其性能研究

采用真空熔炼法制备ＣｕＣｒ２５合金，能提高ＣｕＣｒ触头材料的生产率，节约Ｃｕ，Ｃｒ资源。实验结果表明，该合金Ｃｒ相尺寸为３０－５０μｍ，相对密度大于９８％，气体含量低于５００×１０＾－６Ｐａ，耐电压强度可达到常规方法制备的触头材料的水平。     

深冷处理对CuCr真空触头材料组织及性能的影响

研究了 ＣｕＣｒ真空触头材料在一定的深冷处理条件下,其组织发生的微结构变化。深冷处理引起的Ｃｕ相中的过饱和Ｃｒ弥散析出,使得微观组织分布更加均匀,Ｃｕ相的导电、导热能力进一步改善。同时Ｃｒ相发生明显细化。深冷处理使ＣｕＣｒ真空触头材料的耐电压强度及耐电弧侵蚀得到了一定的提高。     

真空间隙击穿机理的分析

论述了真空间隙击穿的三种机理（微放电、微粒迁移和场致电子发射）。通过定量的击穿机理分析表明,真空触头间隙击穿的主要原因是:微粒迁移和场致发射引起的阳极蒸发。     

西门子公司的真空断路器及其发展

德国西门子公司１９９５年开发出技术指标先进的３ＡＨ系列真空断路器，归功于新一代真空灭弧室和先进的加工工艺。该文除了介绍３ＡＨ系列产品的主要技术性能外，着重介绍了真空灭弧室采用ＣｕＣｒ触头材料的优点、触头制造工艺、形成的真空电弧形态，封排工艺以及真空度等；还指出了满足免维护（每操作１万次仅加一次油）的要求，提出了加工精度、改进关键件材质和工艺、采用长效润滑油脂和先进的ＣＡＴ检测装置、加强绝缘等。     

微放电发射电流法测量灭弧室真空度

真空灭弧室真空度的传统测试方法主要有磁控放电法及工频耐压法。磁控放电法需要使用磁场线圈,而工频耐压法只能检出严重漏气的灭弧室。该文使用微放电起始电压Ud与发射电流起始电压Ue之比Ud/Ue测量灭弧室的真空度。该方法不需要施加磁场,而是使用下述方法进行测量：将闭合的灭弧室触头强行拉开0.2~0.3 mm,然后在触头间隙上施加工频高电压,利用间隙微放电电流对触头表面进行老练,以除去触头表面原有的吸附层,最后再测量间隙的微放电起始电压Ud与发射电流起始电压Ue。理论研究表明,真空灭弧室内的真空压强p越小,Ud/Ue越大,故通过测量Ud/Ue的大小,就可以获得真空灭弧室内的真空度。文中在实验室的真空比对系统上对不同管型灭弧室的Ud、Ue、Ud/Ue与真空压强p的关系进行了测试,测试结果表明,该文提出的Ud/Ue法,其真空度测量范围能达到100~10-3 Pa。     

真空开关触头材料的开发现状与发展

本文综述了真空开关触头材料的开发现状，并对其发展作了论述。指出：１。Ｃｕ－Ｗ触头较普遍应用于真空接触器与负荷开关；２．Ｃｕ－Ｃｒ触头因具较多的优良特性已成为当前真空断路器的最佳触头；３．为弥补Ｃｕ－Ｃｒ材料的不足开发了添加其它元素的Ｃｕ－Ｃｒ系触头。然而为全面满足真空开关电器的发展，开发出高性能的触头材料则是触头研究者迫切需要进一步探索的问题。     

冲击电压作用下真空间隙的绝缘特性研究

研究了真空间隙在标准雷电冲击电压作用下的绝缘特性,分析了击穿放电能量和加压时间间隔等因素对真空间隙伏秒特性的影响。     

颗粒引发真空间隙放电现象的分析

本文观察到颗粒引发的真空间隙两种放电波形，并对这两种放电与真空间隙击穿的关系进行分析。     

小开距真空间隙放电特性的研究

采用对固定开距的真空灭体室施加电压使其击穿的方法对与多次重燃过程有密切关系的小开距真空间隙放电现象进行了研究,发现该类放电的特征可用冷击穿电压和开距的关系、燃弧后真空间隙热态耐压强度和开距的关系以及放电时高频重燃半波持续数来进行描述。试验发现用铜铬触头材料制成的真空灭弧室具有最高的冷击穿强度、是银碳化钨的三倍、且对线路的参数不敏感。根据能量关系建立的高频重燃半波数模型可对高频重燃持续的时间进行计算。     

显微组织对CuCr真空触头材料耐电压强度的影响

研究了ＣｕＣｒ真空触头材料的显微组织对其耐电压强度的影响。研究表明,电击穿首先在耐电压强度低的相上发生,对于Ｃｕ５０Ｃｒ５０合金,首次穿相为Ｃｒ相,而对ＧｕＣｒ５０Ｓｅｌ合金,首次击穿相为Ｃｕ２Ｓｅ相。由于电压老炼的结果,随着电击穿的发生,击穿相的耐电压强度升高,电击穿使阴极表面变得粗糙,但造成表面熔化层显微组织和成分均匀化,本文的研究认为,电压老炼造成触头表面显微组织更为细化和成分均匀化,从而提     

电弧作用后CuCrTe（W）触头熔化层组织及耐性能的研究

本文研究了ＣｕＣｒＴｅ和ＣｕＣｒＷＴｅ真空触头经长时间电弧作用后的表熔化层显微组织及成分的变化。     

真空绝缘系统直流高压下的放电现象及其消除措施

对某电子束焊机调试过程中真空绝缘系统存在的放电现象进行了试验观察,对放电的部位、发生的原因作了分析,提出了改进绝缘系统设计的原则与措施,并对真空放电引起的过电压作了初步分析与试验验证。     

碳化钨基真空触头材料除气工艺研究

本文对铜含量２０Ｗｔ％的Ｃｕ－ＣＷ基真空接触器用触头材料残存气体的来源，存在状态进行了分析和推测，提出并实施了相应的除气工艺。研究成功一种气体含量低的Ｃｕ－ＷＣ触材料（ＣＷ－２型）。６ｋＶ等级的真空灭弧室改用ＣＷ－２型触头后，其短路分断电流由２５００－３２００Ａ提高到５０００Ａ以上。     

真空断路器在线监测装置

产品用途：该装置通过天线传感器捕捉真空断路器在真空状态恶化时发生的放电现象,并由它来监测此放电现象,发出告警信号。可全天候在线监测真空断路器的真空状态。     

Cu—Cr二元合金状态图与Cu—Cr触头的工艺探索

本文从Ｃｕ－Ｃｒ二元合金平衡状态图的基本结构出发，分析了典型成份下的Ｃｕ－Ｃｒ合金平衡结晶的过程及其常温下合金的组织结构。结合渗法制造Ｃｕ－Ｃｒ５０触头材料的合金化特点，分析了产生组织的原因和消除这些缺陷的方法，从而使熔渗法制造Ｃｕ－Ｃｒ触头的生产工艺和产品质量提高到一个新的水平。