银包铜粉的制备及其性能

采用置换法还原络合银离子,在铜粉颗粒表面沉积金属银。着重研究了还原剂、络合剂和分散剂种类和用量等制备条件对包覆效果的影响;分析了银包覆程度及银-铜结合强度及复合粉体的抗氧化性。实验表明:银包铜粉体在w(银)为5.00%～18.00%时,与普通铜粉相比,氧化温度可提高40～140℃,具有良好的抗氧化性。     

镀银铜粉导电胶的研究

经过对200目商用铜粉进行球磨处理得到2~8μm细片状铜粉,再进行多次化学镀银处理,得到表面银覆盖率达90%以上的一种高性能镀银铜粉。该镀银铜粉与环氧树脂、固化剂以及其它添加剂合成制得的镀银铜粉导电胶,防铜氧化效果好,电阻稳定且电阻率可达10–4Ω·cm级别,相比银导电胶成本降低,耐迁移效果好。     

掺杂Ag元素对溶胶–凝胶一步法制备BaTiO_3基PTCR陶瓷性能的影响

为改善PTCR陶瓷材料的电学性能,采用AgNO3作为Ag掺杂原料,用溶胶–凝胶一步法合成了含Ag元素的BaTiO3基PTCR陶瓷,着重讨论了银含量对半导体陶瓷电学性能的影响规律。结果表明,适量的Ag掺杂对材料的室温电阻率(r)影响不大,并且还可以有效提高PTCR陶瓷的温度系数(aR)和耐电压(Vb)。本实验中掺杂0.05%Ag(摩尔分数)时,获得的PTCR陶瓷性能较好:r≈28 W·cm,a25>16%℃1,Vb>180 V·mm1。     

紫外光固化银包铜粉导电胶的制备及研究

以银包铜粉和环氧丙烯酸树脂为原料制备导电胶浆料,采用丝网印刷将浆料涂覆到载玻片上,置于紫外光下固化获得导电涂层。利用SEM和四探针电阻测试仪对固化后导电胶的微观结构和电学性能进行表征。结果表明:当银包铜粉质量分数为70%,导电胶固化完全,制得的导电胶电阻率最低为1.135×10~(–3)?·cm,涂层厚度为140μm。     

真空退火温度对GZO/Ag/GZO三层膜性能的影响

室温下在玻璃衬底上,采用射频磁控溅射GZO(Ga掺杂ZnO)膜和离子束溅射Ag膜的方法,制备了GZO/Ag/GZO三层膜,分析了真空退火温度对样品结构、光学、电学性能的影响。结果显示:随着退火温度的升高,Ag层的结构得到明显改善,但GZO层结晶度受到了Ag扩散的影响。经过350℃退火后,样品在可见光区平均透射率达92.63%,电阻率由8.0×10–5Ω·cm降至4.0×10–5Ω·cm。     

pH值及NaOH对化学镀银包铜粉镀覆过程的影响

采用化学镀法制备了不同加载量的树枝状银包铜粉,研究了镀液的pH值及NaOH的添加方式和添加量对镀覆过程的影响,并采用SEM、EDS、化学分析和氧化增重法对粉体性能进行了分析。结果表明:镀液pH值的最佳范围为11.0～11.5,NaOH的最佳质量浓度为10 g/L,直接加入主盐络合;在最佳工艺下,测得银包铜粉银的平均质量分数为23.06%±0.54%,银的平均转化率为98.0%±0.5%,微区表面银含量为质量分数39.17%～90.31%;所得银包铜粉包覆完全,抗氧化性良好。     

柔性银包铜基导电线路的制备与性能

针对导电银浆价格高、导电铜浆易氧化等问题,采用银包铜粉作为导电填料,聚氨酯改性丙烯酸树脂为树脂基体,通过丝网印刷在聚酰亚胺薄膜上印制导电线路,并用热固化的方式进行固化,从而获得导电性能优良的柔性银包铜基导电线路。结果表明:当银包铜粉的含量为65%(质量分数)时,制备的导电胶各项性能达到最佳值,满足丝印要求,平均膜厚为29.25μm,固化后得到的导电膜电阻率达到最低值1.06×10~(-3)Ω·cm。     

sol-gel法制备的ZnO:(Al,La)透明导电膜光电性能

通过X射线衍射、紫外–可见分光光度计、扫描电镜和四探针仪分析等手段,考察了退火温度对ZnO:(Al,La)薄膜微观结构、光学和电学性能的影响,Al掺杂浓度对电阻率的影响。结果表明:随退火温度的升高,薄膜(002)晶面择优取向生长增强,平均晶粒尺寸增大,电阻率降低,透光率上升。在x(Al)为1%,退火温度550℃时,薄膜最低电阻率为1.78×10–3?·cm,平均透光率超过85%。     

应用于导电墨水的铜胶体的研究

将自制的纳米铜粉作为导电墨水的导电填料,通过添加一定量的分散剂、表面活性剂等其他助剂,超声波粉碎后制得纳米铜导电墨水。结果表明:随着固含量的增加,超声波分散时间越长,墨水的黏度越大。但电导率与超声波分散时间并无直接关系。随着固含量和烧结温度的增加,导电薄膜变得更致密、平整,电阻率逐渐降低。经过300℃烧结后电阻率可减至9.4×10–3Ω·cm。     

化学还原法制备电子浆料用超细银粉

用AgNO3作原料,抗坏血酸作还原剂,柠檬酸三钠作分散剂,采用化学还原法制备超细球形银粉。通过扫描电镜、激光粒度分析仪分析银粉的形貌和粒度。研究了分散剂的用量、反应温度、溶液初始pH值对银粉分散性和粒度的影响。结果表明,当m(柠檬酸三钠)/m(AgNO3)为0.08,温度为40℃,溶液初始pH值为7时,能够获得粒度较小、分散性优良的银粉。将该银粉制成浆料,印刷在石英玻璃上,使用四探针测试仪测得烧结膜的电阻率为10×10–3?.cm,电性能良好。     

低温固化型银基浆料电性能的研究

用银粉、热固性环氧树脂、六氢苯酐和环氧改性剂制得了在180℃固化的银基浆料。研究了银粉含量、银粉比例、环氧树脂含量、硅烷偶联剂用量以及固化时间对银基浆料性能的影响。结果表明:银粉含量及形状、固化时间等均会影响浆料性能。当w(环氧树脂)为8%～10%;w(银粉)为65%～70%,ζ(片状银粉∶球状银粉)为8∶2;w(硅烷偶联剂)为6%;w(各种添加剂)为14%～22%;固化时间为15min时,浆料的体电阻率最小为2.25×10–5Ω·cm,方阻为7.03mΩ/□。     

超细银粉的制备及其导电性研究

用化学还原法在醇水体系中制备出平均颗粒粒径为 0.8~1.2 μm、分散性好的超细球银。讨论了表面活性剂、还原剂的种类、温度、硝酸银含量及 pH 值对球银颗粒粒径和分散性的影响。将所得超细球银在水体系中高效率球磨得分散性好的光亮片状银粉,平均粒径<6 ìm,比表面积 0.7~1.3 m2/g。讨论了吸附在银粉表面的有机物的种类和比表面积对片银导电性能的影响,结果表明:比表面积越大,导电性越好。     

正交试验研究制备工艺对片状银粉性能的影响

采用正交试验法,分析了前驱体球状银粉的制备及球磨工艺对最终片状银粉性能的影响。经优选得出的工艺参数组合是:硝酸银初始质量浓度为60g/L,水合联氨初始质量浓度为80g/L,ζ(十二烷基硫酸钠:硝酸银)为0.2%等。该工艺参数组合制备的片状银粉性能很好,比表面积达0.697m2/g,方阻为3.2mΩ/□。     

银粉形貌与尺寸对导电胶电性能的影响

从导电性角度考查银粉颗粒形貌和粒径大小对导电胶电阻率的影响。用不同形貌和不同平均粒径的银粉,按相同配方制成导电胶,比较其体电阻率。结果发现不同形貌的银粉体系的电阻率存在数量级上的差异;填充片状银粉的体系电阻率与银粉平均粒径成反比,在5~12μm内,平均粒径越大电阻率越低。     

掺铝氧化锌陶瓷靶材的制备及其薄膜的光学性能

以Al(NO3)3.9H2O和ZnO粉体为原料,采用常压烧结方法制备了高致密度和高导电性的ZnO:Al(AZO)陶瓷靶材。研究了烧结温度对AZO靶材微观结构、相对密度和电性能的影响。当Al和Zn的摩尔比为3:100,烧结温度为1 400℃时,所制AZO靶材的致密度达96%,电阻率为2.5×10–2.cm。以烧结温度为1400℃的AZO陶瓷靶为靶材并通过直流磁控溅射在玻璃基片上制备出了高度c轴择优取向的AZO薄膜,其可见光透过率为90%,禁带宽度为3.63 eV,电阻率为1.7×10–3.cm。     

掺氟二氧化锡纳米粉的制备及电性能研究

以SnCl2·2H2O、HF为原料,采用共沉淀法合成了掺氟二氧化锡FTO(SnO2∶F)纳米粉。在氧化的过程中进行掺杂,使F原子更容易取代O原子,在400℃低温下蒸发得到了低电阻率的FTO纳米粉。应用SEM、XRD、EDS和压片测电阻等方法,对所获粉体进行了表征。结果表明,F的掺杂明显降低了SnO2的电阻率。当r(Sn∶F)为10∶3时,FTO纳米粉的电阻率最低,为57.2Ω/cm。     

电磁屏蔽用低松比片状银粉的制备

研究了化学还原-机械球磨制备电磁屏蔽用低松比片状银粉的生产工艺,确定了各工序主要影响因素的优化条件。用激光粒度分布仪、SEM、比表面测定仪及松装比测定装置对所制产品进行了表征。结果表明:所制超细银粉和片状银粉平均粒径、松装密度、比表面积分别为:1.0μm和13.5μm、1.7g/cm3和0.4g/cm3、0.8m2/g和1.8m2/g。用所制银粉生产的电磁屏蔽漆具有电阻小,屏蔽效能高等优点。     

Resistivity and lifetime variation along commercially grown Ga‐ and B‐Doped Czochralski Si ingots and its effect on light‐induced degradation and performance of solar cells

A systematic study of the variation in resistivity and lifetime on cell performance, before and after light‐induced degradation (LID), was performed along ∼900‐mm‐long commercially grown B‐ and Ga‐doped Czochralski (Cz) ingots. Manufacturable screen‐printed solar cells were fabricated and analyzed from different locations on the ingots. Despite the large variation in resistivity (0·57–2·5 Ω cm) and lifetime (100–1000 µ s) in the Ga‐doped Cz ingot, the efficiency variation was found to be ≤ 0·5% with an average efficiency of ∼17·1%. No LID was observed in these cells. In contrast to the Ga‐doped ingot, the B‐doped ingot showed a relatively tight resistivity range (0·87–1·22 Ω cm), resulting in smaller spread in lifetime (60–400 µ s) and efficiency (16·5–16·7%) along the ingot. However, the LID reduced the efficiency of these B‐doped cells by about 1·1% absolute. Additionally, the use of thinner substrate and higher resistivity (4·3 Ω cm) B‐doped Cz was found to reduce the LID significantly, resulting in an efficiency reduction of 0·5–0·6%, as opposed to >1·0% in ∼1 Ω cm ∼17% efficient screen‐printed cells. As a result, Ga‐doped Cz cells gave 1·5 and 0·7% higher stabilized efficiency relative to 1 and 4·3 Ω cm B‐doped Cz Si cells, respectively. Copyright © 2005 John Wiley & Sons, Ltd.     

玻璃–氧化硅复合基板材料的制备及性能

以低相对介电常数的硼硅酸盐玻璃粉末和氧化硅粉末为原料,制备了玻璃–氧化硅复合材料。研究了烧结温度和氧化硅含量对复合材料的电学性能和力学性能的影响。结果表明,当氧化硅质量分数为45%时,玻璃–氧化硅复合材料经840℃、2h的烧结后,其εr为3.8,tanδ为4×10–4,ρv为9.8×1011?·cm,抗弯强度σ为30MPa。另外,该复合材料在100~500℃之间的热膨胀系数为(8.0~10.0)×10–6℃–1。