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该文首先分析了GPS(全球定位系统)接受机前端低噪声放大器的技术指标,并采用源极电感负反馈方式设计低噪声放大器,利用ADS软件对设计电路进行了仿真。通过仿真结果与技术参数的对比,验证了设计电路的可行性。 相似文献
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该文首先分析了GPS(全球定位系统)接受机前端低噪声放大器的技术指标,并采用源极电感负反馈方式设计低噪声放大器,利用ADS软件对设计电路进行了仿真。通过仿真结果与技术参数的对比,验证了设计电路的可行性。 相似文献
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低噪声放大器是接收机系统的重要模块。介绍了应用于P波段的低温低噪放大器的设计和调试方法,通过使用PHEMT晶体管,按照最小噪声系数设计,采用两级级联,并引入源级负反馈和电阻并联负反馈来提高系统稳定性。在77 K温度下,实测放大器增益大于30 dB,噪声系数低于0.5 dB,输入输出反射系数小于—15 dB。 相似文献
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介绍作者研制的一种低噪声宽带大放大器,由于采用了低噪声电子设计的一些关键技术,使放大器的噪声性能指标已接近国外同类产品的水平。 相似文献
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北斗卫星导航系统由我国自主研发,其研制目的是为了在日益严峻的世界环境下巩固我国的军事实力。北斗射频接收芯片是北斗卫星导航系统中整个地面端设备的核心,因此,关于射频接收机芯片的研发工作具有十分重要且实际的意义。文中在基于窄带低噪声放大器理论的基础上,采用TSMC0.18μmCMOS工艺设计了一种应用于北斗通信系统中的低噪声放大器。放大器采用改进的单转双电路结构,并通过缓冲级电路对差分信号的幅度和相位偏差进行了有效的校正。实验结果表明该电路在2.45GHz-2.55GHz频带内输入回波损耗小于-28dB,噪声系数小于1.1dB,功率增益大于15dB,电压增益高于32dB。 相似文献
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低噪声放大器作为移动通信、雷达、遥控遥感系统接收机前端信号处理的重要第一级,对整个接收系统的噪声性能指标的贡献起着举足轻重的作用。以微波低噪声放大器理论知识作为基础,通过ADS软件的仿真和验证,很好的解决了3dB耦合器和放大器的级间匹配的问题,成功设计出了3.5GHz低噪声放大器并达到了设计指标。 相似文献
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RFID低噪声放大器设计与仿真 总被引:1,自引:0,他引:1
研究低噪声放大器和优化问题,射频识别系统读卡器的读卡性能,决定了放大器化效果.为提高系统性能,采用参数方程和ADS(Advanced Design System)内部函数相结合的方法,通过对恒增益圆、恒噪声系数圆来设计低噪声放大器.方法将"波"的概念引入放大器的设计过程中,将放大器的稳定性、增益、噪声和阻抗匹配等性能参数用波的概念来表述.仿真结果表明,设计完全满足性能指标要求,使基于S参数的小信号放大器的分析与设计变得非常方便.证明方法为实际低噪声放大器优化设计提供参考. 相似文献
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本文介绍一种实用的传感器微弱信号低噪声斩波放大器.它由精密绝对值(整流)电路、电斩波放大电路和低通滤波电路三部分组成,适用于传感器或经一级前放输出的微弱波动信号需直观地由其直流电压正幅值来反映其变化的场合.输入信号即使只有几十微伏或几百微伏此放大器都能正常工作,而且在红外测温判别产品质量方面应用效果良好,获得了激光加热工件时靶点温升温降的红外热谱曲线. 相似文献
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从低噪声放大器的设计原理出发,从噪声、线性度、阻抗匹配等方面详细讨论了低噪声放大器的设计。电路采用TSMC0.18μmCMOS工艺进行设计,利用ADS2005A对电路进行模拟。结果表明,它的噪声系数为1.768dB,正向功率增益为20.36dB,ⅡP3为2.34dBm,工作电压1.5V时,功耗小于12mW。 相似文献
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基于噪声消除技术的超宽带低噪声放大器设计 总被引:1,自引:0,他引:1
基于TSMC 0.18μm工艺研究3 GHz~5 GHz CMOS超宽带无线通信系统接收信号前端的低噪声放大器设计。采用单端转差分电路实现对低噪声放大器噪声消除的目的,利用串联电感作为负载提供宽带匹配。仿真结果表明,所设计的电路正向电压增益S21为17.8 dB~19.6 dB,输入、输出端口反射系数均小于-11 dB,噪声系数NF为2.02 dB~2.4 dB。在1.8 V供电电压下电路功耗为12.5 mW。 相似文献
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何颖 《电脑编程技巧与维护》2011,(14):108-109
嗓声放大器(Low Noise Amplifier,LNA)是微波系统及其测量仪器中的关键部件之一,其噪声的大小直接影响信号接收灵敏度及系统的可靠性.在晶体管放大电路中,偏置电路为晶体管提供合适的静态工作点,偏置电路设计的重要性不可低估.主要介绍了低噪声放大器中直流偏置电路的仿真设计. 相似文献
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一种0.8GHz~6GHz CMOS超宽带低噪声放大器设计 总被引:1,自引:0,他引:1
给出了一个针对0.8GHz~6GHz 的超宽带低噪声放大器 UWB LNA(ultra-wideband low noiseamplifier)设计。设计采用0.18μm RF CMOS 工艺完成。在0.8GHz~6GHz 的频段内,放大器增益 S21达到了17.6dB~13.6dB。输入、输出均实现良好的阻抗匹配,S11、S22均低于-10dB。噪声系数(NF)为2.7dB~4.6dB。在1.8V 工作电压下放大器的直流功耗约为12mW。 相似文献