MnxCd1-xIn2Te4晶体生长及其性能研究

采用ACRT-B法生长了四元稀磁半导体化合物Mn0.1dCd0.9In2dTe4晶体。采用扫描电镜、X射线衍射仪、ISIS能谱仪、Leica定量金相分析仪以及傅里叶变换红外光谱仪研究了晶体中相的结构，形貌、成分及晶片的红外透射光谱。发现晶体生长初始端由于溶质再分配而引起成分偏离配料比，结果出现三种相：α相、β相和β1相，其中α相和β相是在晶体生长过程中形成的，随温度降低，从α相中又析出β1相，当晶体生长到稳定段，完全形成β相，Mn0.1Cd0.9In2Te4晶体从生长初始端到接近稳态区，β1相内规则排列状向不规则排列的近似圆片状发展。禁带宽度为1.2eV的Mn0.1Cd0.9In2Te4在10000～4000cm^-1的近红外波数范围内，其透过率最高达83%，在4000～5000cm^-1的中红外波数范围内透过率为59%～65%。     

Ce∶LiM(M=Ca,Sr)A1F6晶体生长与性能研究

报道了在CF4 气氛中生长的掺Ce3 + 的LiM (M =Ca ,Sr)A1F6晶体和掺Ce3 + 的LiSr0 .8Ca0 .2 AlF6混晶 ,以及Ce3 + 在这些晶体中的紫外吸收光谱及有效分凝系数。Ce3 + ∶LiSr0 .8Ca0 .2 AlF6在 2 40～ 2 80nm波长范围内有连续展宽的吸收带 ,它的有效分凝系数为 0 0 37。Ce3 + 的吸收带展宽是由于Ce3 + 替代晶体中二价离子位引起的 ,表明Ce3 + 在Colquiriite结构的晶体中替代的是二价位     

科技文萃

掺钛蓝宝石可调谐激光晶体生长 王永国 杨浔 吴树成 掺钛蓝宝石是近年来发展起来的一种重要的可调谐激光晶体,采用还原气氛进行生长是消除或减少残余红外吸收的主要方法。 本文讲述了在几种气氛下,各种生长参数对掺钛蓝宝石晶体质量的影响。     

Mg:Er:LiNbO3晶体的激光性能和550nm寿命特性研究

本文采用Czchrzlski技术生长出优质的Mg:Er:LiNbO3[(X=2%, 4%, 6%, 8%, y=% （mol%）)]晶体,测试Mg:Er:LiNbO3晶体的光损伤阈值,红外光谱和紫外—可见吸收光谱,Mg2+浓度增加抗光损伤能力增加,其中Mg(6mol%):Er:LiNbO3和Mg(8mol%):Er:LiNbO3晶体抗光损伤阈值比LiNbO3晶体提高二个数量级以上。它们的红外光谱OH-吸收峰移到3535cm-1附近。Mg:Er:LiNbO3晶体中随着Mg2+浓度增加吸收边紫移程度增大。研究Mg:Er:LiNbO3晶体抗光损伤阈值增强机理,OH-吸收峰移动机理和吸收边移动机理。采用0.523μm激光进行泵浦获得高的利用率。在波长510—580nm范围内得到Mg:Er:LiNbO3晶体稳态发射谱。掺进4mol%的MgO是Mg:Er:LiNbO3晶体寿命最长的晶体。     

Mg：Zn：LiNbO3晶体光损伤和倍频性能的研究

以Czochralski技术生长Mg(3%):Zn:(x%):LiNbO3(x=1,2,3)(摩尔分数).测试晶体光损伤阈值,Mg(3%): Zn(3%):LiNbO3晶体光损伤阈值比LiNbO3晶体提高了2个数量级以上.测试晶体红外光谱Mg(3%):Zn(3%);LiNbO3晶体OH-吸收峰位置由LiNbO3的3 482 cm-1移到3 532 cm1,即晶体掺杂达到阈值浓度.采用角度匹配,测试晶体的倍频转换效率.激光功率密度很高时,晶体出现暗迹,倍频转换效率下降,暗迹是由倍频光引起,与基频光无关.氧化的晶体可以减弱暗迹.对晶体光损伤阈值的增强,OH-吸收峰的移动,暗迹产生的机理进行阐述和研究.     

NdP_5O_(14)的光谱和能级

本文报导测定水热法生长的激光晶体NdP_5O_(14)和Nd_xLa_(1-x)P_5O_(14)的光谱特性。从所测结果得知,改变Nd_xLa_(1-x)P_5O_(14)晶体中组分x,对峰值位置没有影响。由吸收光谱计算了主要吸收峰的吸收截面和振子强度。红外光谱测试结果表明,我们生长的NdP_5O_(14)晶体中不含有OH和P-OH键。测定了晶体的荧光光谱,在改进实验装置的情况下,测出了荧光强度较弱的4~F_(3/2)→4~I_(13/2)跃迁。根据所测光谱数据,确定了NdP_5O_(14)晶体中Nd~(3 )离子室温实验能级。所得结果与文献报导相符。     

3英寸半绝缘4H-SiC单晶的研制

报道了采用物理气相传输(PVT)法进行SiC单晶生长方面取得的最新进展,成功研制得到固态微波器件急需的3英寸(75 mm)半绝缘4H-SiC衬底。使用计算机模拟技术,进行了3英寸(75 mm)4H-SiC晶体生长的热场设计,并在此基础上研制出适合3英寸(75 mm)4H-SiC PVT生长的晶体生长设备,采用喇曼光谱对晶体生长表面5点进行测试,结果均为单一的4H晶型,采用非接触电阻率面分布(COREMA)方法测得晶片电阻率为109~1012Ω.cm。微管道缺陷(MPD)测量采用熔融KOH腐蚀法,测得平均微管道密度为104个/cm2,其中晶片的30%区域微管道缺陷小于10个/cm2。使用X射线双晶衍射测试得到其半高宽(FWHM)为31 arcsec,说明所获得的晶体具有良好的结晶完整性。     

在Ar与CF4混合气氛中生长LiYF4晶体

报道了在Ar与CF4混合气氛中成功地生成出高质量的Nd:LiYF4晶体,并比较了在单一Ar气氛和Ar与CF4混合气氛中生长的LiYF4晶体的差别。X射线衍射表明,在单一Ar气氛中产生的不纯物质主要是氟氧化合物,Ar与CF4混合气氛中,此种不纯物质能够被有效地消除。     

In:Fe:Cu:LiNbO_3晶体光全息存储性能的研究

采用提拉法生长了In:Fe:Cu:LiNbO3晶体,测试了晶体的紫外可见光谱、红外吸收光谱。利用二波耦合方法测试了晶体的响应时间、最大衍射效率、计算晶体的光折变灵敏度。结果表明,随In3+离子浓度的增加,在In3+浓度较低时,In:Fe:Cu:LiNbO3晶体紫外可见光吸收边发生紫移,而红外吸收峰3 482cm-1位置基本不变,但浓度达到阈值时,紫外可见光吸收边相对于低浓度发生红移,而红外吸收峰向高波数方向移动;In3+浓度增加时,响应时间变短,最大衍射效率下降,晶体存储灵敏度提高。     

Mg∶Fe∶LiNbO3晶体光学性能的研究

在LiNbO3中掺杂光折变敏感杂质离子Fe^2 ／Fe^3 和抗光致散射杂质离子Mg^2 ，以提拉法生长Mg∶Fe∶LiNbO3晶体。测试晶体吸收光谱、红外光谱,Mg∶Fe∶LiNbO3晶体的吸收边相对Fe∶LiNbO3晶体发生紫移。当Mg^2 浓度达到阈值浓度，Mg(6％)：Fe∶LiNbO3晶体OH^-吸收峰由3482cm^-1移到3529cm^-1，测试晶体的位相共轭反射率和响应时间，计算光电导。Mg(6％)：Fe∶LiNbO3晶体的响应速度和光电导比Fe∶LiNbO3晶体有较大提高。     

固体可调谐氟化物激光晶体的生长与性能

文章总结了LiCaAlF6(LiCAF)、LiSrAlF6(LiSAF)以及YLiF4(YLF)等具有重要应用价值的固体可调谐氟化物激光晶体的生长、结构和性能,讨论了Nd^3 、Cr^3 等离子掺杂氟化物激光晶体的发光特性及其在激光器上的应用,分析了这些激光晶体的市场及应用前景。     

压电晶体及其应用

本文描述了一些压电晶体的现状。详细论述了诸如石英、LiNbO_3、LiTaO_3、Bi_(12)GeO_(20)、Bi_4Ge_30_(12)和Li_2B_4O_7等压电晶体的一般性质、生长条件、晶体的性能及其应用领域,特别强调其在光学、声学、表面波领域的应用。     

AFM研究硫酸钾晶体在混合溶剂中的生长特性

本文用原子力显微镜(AFM)观察了硫酸钾晶体在纯水体系和水-乙醇体系中结晶的形貌特征.结合热力学分析初步探讨了两种环境下硫酸钾晶体的生长机理.为工业上利用低能耗的溶析法分离K2SO4提供了一定的理论依据.     

A Spectrum Image Cathodoluminescence Study of Dislocations in Si-Doped Liquid-Encapsulated Czochralski GaAs Crystals

Dislocations in Si-doped liquid-encapsulated Czochralski GaAs crystals have been studied by spectrum imaging cathodoluminescence. The interaction between the dislocations and the crystal matrix results in complex atmospheres, which can extend several tens of micrometers around the dislocations. The formation of these atmospheres depends on the melt stoichiometry and the doping level. Different atmospheres formed during growth and postgrowth cooling were studied. Their main characteristics and possible scenarios of formation are suggested, taking account of the characteristics of the samples in terms of [As]/[Ga] ratio and doping. Excess As defects seem to play a major role in the formation of the atmospheres.     

Pulsed laser action in Tm,Ho:LuLiF/sub 4/ and Tm,Ho:YLiF/sub 4/ crystals using a novel quasi-end-pumping technique

A number of good quality thulium and holmium-codoped LuLiF/sub 4/ and YLiF/sub 4/ single crystals were successfully grown by the Czochralski crystal growth method under a CF/sub 4/ atmosphere. Using a novel diode-pumped, quasi-end-pump scheme incorporating two lens ducts, pulsed laser action is achieved in 5%Tm, 0.5% Ho:LuLiF/sub 4/ and 5%Tm, 0.5% Ho:YLiF/sub 4/ crystals, at various pulse repetition frequencies and temperatures. At 10 Hz and at an operating temperature of 273 K, slope efficiencies (optical to optical efficiencies) with respect to the incident pump energies of 12.9% (9.2%) and 7.4% (5.2%) were demonstrated in the grown Tm, Ho:LuLiF/sub 4/ and Tm, Ho:YLiF/sub 4/ crystals, respectively. Free running laser output energies in excess of 30 mJ (LuLiF/sub 4/) and 17 mJ (YLF) were measured.     

Growth of large crystals of (Pb,Ge)Te and (Pb,Sn)Te

Large single crystals of Pb1-xGexTe (0 < × < 0.105) up to 10 g and Pb1-ySnyTe (0 < y < 0.26) up to 125 g were grown in sealed tubes by self-transport onto oriented single crystal seeds. The crystals were free of voids and inclusions, had dislocation densities as low as 103 cm-2, and were uniform in composition. Pertinent details of the growth technique, including thermal conditions, stoichiometry of the source, and seed orientation, are described. Results of evaluation of the crystals by metallography, Laue X-ray topography, and electron microprobe analysis are presented.     

掺杂钨酸铅闪烁晶体的闪烁光学性质研究

利用多坩埚温度梯度法生长了PbWO4和BaF2:PbWO4晶体,研究了PbWO4、退火PbWO4和BaF2:PbWO4晶体的透过光谱和X射线激发光谱,结果发现这些光谱性质与晶体的组成和生长工艺密切相关,其中退火的影响较复杂.高温退火的PbWO4晶体的透过光谱在360nm以上波段有较好的透过率,但是在320~360nm波段透过率反而略有降低;380nm以上波段的X射线激发光谱光谱强度较高,320~380nm波段光谱强度却略有降低.掺杂的离子改善了晶体的透过率和X射线激发发光光谱强度.利用晶体的生长工艺和组成与缺陷以及晶体光学性质之间的关系解释了这些现象产生的原因.BaF2:PbWO4掺杂晶体的X射线激发光谱的波形和发光峰强度均发生了很大程度的改变,与F-离子掺杂引发晶体[WO4]2-四面体基团畸变而产生的新的发光中心有关.     

两种新型声光晶体的生长及特性

论述了两种新型声光晶体ＰｂＢｒ２和Ｈｇ２Ｃｌ２的原料提纯、生长方法及晶体的光学与声学特性。