具有MALS功能的新型电子枪

一个新型具有多像散透镜系统的电子枪已开发成功,它有效地改进了全屏分辨率的均匀性。该电子枪的特点是有三个像散射镜（Ｇ１、Ｇ２、主透镜）和两个动态像散透镜（Ｇ３和Ｇ５）。在屏的四角,静态像散透镜消除了偏转散焦。在屏中央,动态像散透镜消除了静态像散射镜的影响。结果使电子束尺寸的垂直和水平之比由原来的１：２,改进成１：１．３,使四角电子束尺寸在水平方向的改进达２５％。     

显示技术信息

据日立制作所介绍，在彩色CRT中使用G1、G2、G3、G4、G5栅极和阳极，把G5栅极分成几个栅极，即第一聚焦电压、第二聚焦电压再叠加一个随电子束偏转而变化的动态电压，而在此两个聚焦电压之间至少构成一个静电四极透镜(03155141．6)，在施以第一和第二聚焦电压的G5的两个栅极之间至少构成一个用于校正象场曲率的透镜。据LG-飞利浦公司介绍，在电子枪的G1、G2栅和阴极构成的三极管上，G2和G3栅电极上不是三个圆孔，     

日立公司最新电子枪技术

本文对日立公司新一代彩色显像管用电子枪的结构及性能进行了剖析和系统讨论。其超大椭圆孔的主透镜使有效直径比上一代电子枪提高了25％，电子束形成区实现最优化设计，不同电流下聚焦的稳定性提高，同时进入主透镜的电子束发散角在水平和垂直方向不同，实现与主透镜的最佳配合，充分发挥了主透镜中共同透镜为椭圆孔透镜的特点。聚焦对比实验也显示出日立公司新一代电子枪聚焦的优异性能。     

大屏幕彩色显像管电子枪聚焦性能分析

电子枪聚焦性能是由电极结构决定的，本文通过计算机模拟的方式对3种典型的用于大屏幕彩色显像管电子枪的为形貌进行了系统的模拟，对各电子枪聚焦特性进行了分析和比较表明电子束形成区，主透镜结构对屏幕中心，角部的着屏光点及不同电流下了聚焦的稳定性都有较大的影响。     

X波段行波管阳极控制电子枪设计

大功率电子枪设计中的主要问题是如何构成强流电子束和使电子枪中电子束聚焦。利用差值计算的方法初步确定了电子枪几何尺寸参数,进而应用数值模拟的方法计算了电子枪的结构及束流特性,设计了应用于X波段连续波大功率行波管的阳极控制电子枪。该电子枪设计参数为：阳极调制,导流系数为0．44μP,射程大于37mm,注腰半径为1mm。结果表明,该电子枪可完全满足x波段连续波大功率行波管对互作用电子束的要求。     

专利文献介绍

将<字形电子束朝所定方向进行扫描,从而在束扫描方向上形成凸型固液界面。具体结构如下:将第一电子枪发出的电子束,通过高速偏转电极进行高速偏转,第二电子枪发出的电子束通过另一对高速偏转电极进行高速偏转,得到两个直线状     

满屏回扫线故障分析及检修要点

显像管屏幕上出现的光栅,是通过显像管内电子枪发射的电子束(光点)在屏幕上不停地进行左右、上下扫描产生的。为了避免电子束在扫描逆程(返程)时间内对光栅产生的干扰,一般将行、场逆程脉冲(即消隐脉冲)与图像亮度信号混合放大后,再加至基色矩阵电路中的R、G、B末级视放管e极,迫使它们在扫描逆程时间内电子束截止。提高显像管阴极电位,即增加栅、阴极之间的负偏压,使显像管     

提高9″显象管边缘分辨率的实验研究

本文从分析9″显象管电子枪的结构特点出发,讨论了影响荧光屏上电子束光点尺寸的三个主要因素:透镜放大率、球面象差和空间电荷效应。提出了用减小调制极孔径,增大调制极与加速极之间的距离等方法来减小电子束最小交叉截面的尺寸和电子束的发散张角;并且以调整电子枪在显象管内的位置,即增大它与偏转线圈之间的相对距离,来减小偏转线圈杂散磁场所引起的偏转散焦;从而有效地改善了整管的聚焦性能,并明显地提高了边缘部分的分辨率。 试验结果和批量生产的管子测试表明:上述方法是卓有成效的,其边缘分辨率能提高50线以上。     

大屏幕彩色显像管电子枪聚焦性能分析

电子枪聚焦性能是由电极结构决定的。本文通过计算机模拟的方式对三种典型的用于大屏幕彩色显像管电子枪的光点形貌进行了系统模拟。对各电子枪聚焦特性进行的分析和比较表明电子束形成区、主透镜结构对屏蔽中心、角部的着屏光点及不同电流下聚焦的稳定性都有较大的影响。     

CRT用A—EA—MDF电子枪

Ａ－ＥＡ－ＭＤＦ电子枪,是新开发出来的高分辨率枪,用于高清晰度彩色显示管中,它的动态聚焦电压降低了２０％,光点直径下降了１６％（屏中央）和１３％（屏四角）。主要是采用了缝型场曲面较正透镜和强四极式透镜。     

双静电四极透镜点聚焦特性分析与仿真

静电四级透镜具有优越的电子光学聚焦成像性能,单一静电四极透镜可实现电子束线聚焦,组合静电四极透镜系统拥有点聚焦的能力。文中对实现点聚焦的双静电四极透镜系统相关参数进行了计算,利用电子光学软件SIMION仿真发现,静电四极透镜之间的畸变场与两端的边缘场引起的像差会严重影响系统聚焦成像质量。仿真分析了系统像差与发射电子初动能的关系。结果表明:系统在保证点聚焦的情况下,增加电子发射初动能可以有效减小系统像差;当电子初动能增加至1105 eV时,最大发散角为2的电子束在聚焦平面上的弥散斑减小至3.2m28m。     

单枪彩色密封油膜光阀管的电子枪与偏转聚焦系统的对中要求

正 单枪彩色密封油膜光阀管的原理和结构见文献[1]。它的电子枪和偏转聚焦系统由于不是整体对中装配,因此存在对中公差的要求。由于电子枪的电极尺寸和各电极之间的距离可以确定,电子束的光斑大小可从电子枪的通过率和限制膜孔的大小推算出,所以电子枪与偏转聚焦系统的对中公差要求可以据此进行估计。 (一)电子枪和偏转聚焦系统的结构 单枪彩色油膜光阀管的电子枪是皮尔斯枪,在阳极上有限制膜孔。 偏转聚焦系统包括:小偏转板、预偏转板、主偏转板和漂移环等。其中预偏转板、主     

彩色显象管用的高分辨率双电位聚焦的电子枪

本文描述了RCA公司研制的一种新型的高分辨率、双电位、一字形电子枪的设计。它采用了新开发的预聚焦透镜,目的是为了在第一个交叉点前减小电子束的发散角。此外,借助于计算机模拟,预聚焦透镜同G_3栅的长度和直径相匹配,以提供28％的聚焦比。计算机最优化设计大大改进了通常聚焦比为20％、大S双电位电子枪的性能,并且等效于流行的三电位电子枪,而不需要有通过芯柱的、过高的第二聚焦电压。此外,这种新型的电子枪设计改善了轨迹特性和偏离轴线的电子束尺寸。在高、低视频激励下,具有很好的补偿特性。在低激励条件下,有最小的网纹,大大降低了图象模糊现象。在荧光屏边缘,光点尺寸较小,使这种枪适用于100°和110°的大屏幕显象管。     

弱流电子枪发射系统交叉截面参量的计算

本文模拟了弱流电子枪发射系统在不同尺寸和不同电压比下的电场分布。通过模拟实验,发现函数φ(z)=ηz~ξ能在发射系统透镜场的整个区域内良好地分段逼近所模拟的轴上电位。将此函数代入轨迹方程解出轨迹函数r(z),推导出计算交叉截面各参量的公式,从而找到了由轴上电位直接计算交叉截面各参量的一种方法。通过可动电极样管对电子束张角作了实验验证,结果一致。这对于弱流电子枪的设计有着实用价值。     

脉宽大于100微秒的强流大截面电子枪

在CO_2激光器的研究过程中,发现利用普通技术放电,在振动激发比较有效的E/N下,不能产生适当的电离。这两者往往是矛盾的,这就导致人们寻求在最佳的E/N下能产生适度电离的技术,即把电离和激发分开控制的技术。美国阿符科公司首先提出了电子束控制主放电的技术。 目前就电子束的激励方法有电子束控制放电用的电子枪和电子束直接激发激光介质用的电子枪。就产生电子束的方式有热阴极电子枪、冷阴极场致发射电子枪和等离子体电子枪。     

动态聚焦技术及动态聚焦电子枪

截至目前，动态聚焦技术是改进大屏幕、大偏转角显像管边角分辨率和高清晰度彩色显示管分辨率均匀性的最有效方法。本文介绍与讨论了在荧光屏边缘处电子束点畸变原因以及几种典型动态聚焦电子枪的结构与性能。     

电子枪用装架模的设计与制造

概述电子束管中的电子枪,是组成整管的主要部件之一。它具有接收电信号,经过转变,再发射出信号的作用。若组成电子枪的各零件材料、形状、尺寸都确定了,则电子枪的好坏、相当大程度上依赖于组成电子枪各零、组件之间的相互位置的精度等。特别是同心度—共轴度、对称度、垂直度和平行度等。     

一种工作在30kV的四极场发射电子枪

场发射电子枪具有亮度高、束斑小和能量分散小等优点。但在三极场发射电子枪的情况下,吸极电压或加速极电压的任何改变都会引起电子光学特性的改变。特别是交叉点位置的变化很大,因而很难使场发射电子枪工作在最佳状态。为了解决这个问题,必须使三极场发射电子枪工作在加速电压对吸极电压的比值大于12的范围;或者采用四极场发射电子枪。场发射电子枪的理论计算是比较复杂的,这里采用法国图卢兹电子光学实验室的方法,把阴极和吸极间的空间当作等电位空间来处理,用“有限元”法计算电场分布,并得到了一组工作在30kV的四极场发射电子枪的特性曲线。     

偏转电子枪原理与结构

一、概述 随着光学、电子等工业的迅速发展,电子束加热方法在真空镀膜技术中也得到了较快的发展和应用,这是因为电子束作为热源能获得远比电阻加热更大的能量密度,并可避免坩埚杂质对蒸发源的沾污。 产生电子束的装置称为电子枪,根据枪体结构不同,可分三种:直形(自加速式)电子枪、环形(静电式)电子枪和最近发展起来的偏转电子枪。三种电子枪的性能比较略见表1。     

冷阴极X射线管关键部件的设计与仿真

利用CST粒子工作室软件设计仿真了一种高电子通过率冷阴极微焦点X射线管。重点分析X射线管阴极结构、栅网和聚焦极的结构与电压、阳极电压等关键因素对电子束聚焦束斑的影响,特别是设计了一种独特的阴极凹槽结构,使阴极电子束发射的散角减小了21.84°,并使电子枪通过率从54.3%增加至74.59%。在此基础上设计的碳纳米管X射线管在阳极电压为70 kV时,电子通过率可达到75%,电子束焦点约为56 μm,聚束比为5∶1,可为冷阴极微焦点X射线管的设计和加工提供参考。