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相似文献
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1.
介绍了一种应用于无线通信领域的低电压、带有前馈结构的3阶4位单环Σ-Δ调制器。为了降低Σ-Δ调制器的功耗,跨导放大器采用了带宽展宽技术。采用TSMC 0.13 μm CMOS工艺对电路进行仿真,仿真结果显示,当工作电压为1.2 V、采样频率为64 MHz、过采样比为16、信号带宽为2 MHz时,电路的SNDR达81 dB,功耗仅为7.78 mW。  相似文献   

2.
介绍了低电压开关电容Σ-Δ调制器的实现难点及解决方案,并设计了一种1 V工作电压的Σ-Δ调制器.在0.18 μm CMOS工艺下,该Σ-Δ调制器采样频率为6.25 MHz,过采样比为156,信号带宽为20 kHz;在输入信号为5.149 kHz时,仿真得到Σ-Δ调制器的峰值信号噪声失真比达到102 dB,功耗约为5 mW.  相似文献   

3.
本文介绍了一款适用于中频接收机的四阶开关电容带通$\Sigma \Delta$调制器,采样频率为100MHz。为优化谐振器的性能,文中提出了考虑运算放大器非理想特性后谐振器的传输函数。本文设计的调制器采用0.13-um标准CMOS工艺,在25MHz附近200KHz信号带宽内测得的SNDR和DR分别为68dB和75dB。调制器工作在1.2V电源电压下,总功耗为8.2mW。  相似文献   

4.
测量系统中20位精度带通Σ-Δ调制器的设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
设计了一种用于测量系统的20位精度带通Σ-Δ调制器.采用低失真离散时间单环4阶1比特量化结构,以实现高精度的指标.对带通调制器中最关键的模块-谐振子进行了研究,设计了一种对电容非线性和失配不敏感并具有精确谐振频率的高Q值谐振子.仿真结果表明,该调制器在100 kHz中频处20 Hz带宽内实现了20位分辨率.本调制器采用AMI 0.35 μm标准CMOS工艺实现,整个调制器的总面积仅为2.5 mm2,在3.3 V供电电压下,调制器的总功耗仅为4 mW.  相似文献   

5.
设计了一种应用于中频数字化接收的基于连续/离散时间混合结构带通Σ-Δ ADC。调制器采用六阶带通多比特量化结构,环路滤波器由两个连续时间谐振器和一个离散时间谐振器组成。采用电容数字校准技术将LC连续时间谐振器和RC连续时间谐振器的谐振频率校准至ADC中心频率fclk/8。量化器采用3 bit Flash ADC实现。同时,使用数据加权平均算法对反馈DAC单元之间的失配进行校准。整体中频数字化接收机基于0.18 μm SiGe BiCMOS工艺设计。后仿真结果表明,在3.3 V电源电压下,当采样时钟频率fclk为18 MHz且过采样率为45时,该Σ-Δ ADC消耗21 mW的功耗,在200 kHz的带宽范围内获得89 dB的信噪比和95 dB的无杂散动态范围。  相似文献   

6.
基于0.18μm标准CMOS工艺,设计并实现了一个单环三阶开关电容Σ-Δ调制器。电路采用具有加权前馈求和网络的积分器级联型拓扑结构,采用优化的具有正反馈的单级A类OTA来降低功耗。在设计中,采用电流优化技术来降低运算跨导放大器(OTA)的功耗。Σ-Δ调制器的过采样率为128,时钟频率为6.144 MHz,信号带宽为24 kHz,最大信噪比为100 dB,动态范围为103 dB。电路在1.8 V电源供电下功耗为2.87 mW。  相似文献   

7.
设计了一款适用于集成热真空传感器的二阶1位Σ-Δ调制器.该调制器采用前馈通道抑制积分器的输出摆幅、降低谐波失真、提高动态范围.为了降低运算放大器的1/f噪声,积分器中引入相关双采样电路.利用Matlab/Simulink,分析运算放大器的非理想性对调制器性能的影响.调制器由全差分开关电容电路实现.仿真结果表明:在4 MHz采样频率和6.8 kHz信号输入频率、-3 dBFS幅值下,电路的最大信噪比为86.9 dB,分辨率可达14位.调制器的有效面积为0.67 mm2.3 V电源电压供电时,功耗为12 mW,各项性能指标均满足设计要求.  相似文献   

8.
设计了一种适用于无线窄带射频接收系统的带通Σ-Δ调制器,并将其成功集成于一个无线射频收发芯片之中.该调制器采用0.35 μm CMOS工艺实现,采用斩波-稳零,动态元件匹配,以及正交采样等技术,提高系统的信噪比,并解决通道间失配的问题.模拟结果表明,该电路在30 kHz带宽内,信噪比为83.4 dB,而两个通道消耗的总电流仅为1 mA.  相似文献   

9.
提出了一种新的低通Σ-Δ调制器,该结构利用流水交叉(PI)技术对信号进行开采样和降采样,从而达到多路复用的目的。当把各路信号串联时,增加一些有限的电路就可以实现高阶的Σ-Δ调制器。  相似文献   

10.
设计了一个五阶单回路Σ-Δ调制器,最高输入信号频率22kHz。通过改进积分器的结构,显著减小了开关电荷注入效应引起的调制器的谐波失真。整个电路采用0.6μmCMOS工艺设计。仿真显示,当采样频率为6MHz时,调制器的SNDR达到123dB,SNR超过125dB,满足18位A/D转换器的精度要求。  相似文献   

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