三端电压控制型负阻器件（1）

三端电压控制型负阻器件（１）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）负阻器件从１９５２年埃伯斯（Ｊ．Ｊ．Ｅｂｅｒｓ）［１］提出和１９５６年摩尔（Ｊ．Ｌ．ＭＯＭｉ）等［２］研制出晶闸管和１９５８年江崎［３］发现隧道二极管到现在已经近四十年了。在这一段时...     

三端电压控制型负阻器件（4）

三端电压控制型负阻器件（４）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）第四章“∧”双极晶体管［１３，１４］“∧”双极晶体管（ＬａｍｂｄａＢｉｐｏｌａｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ），简称ＬＢＴ。是以一ｎ沟增强型ＭＯＳ管作为反馈器件与一ｎｐｎ型纵向双极管（主器件...     

三端电压控制型负阻器件（7）

三端电压控制型负阻器件（７）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）第八章电压控制负阻ＭＯＳ器件［２’ｊ电压控制负阻ＭＯＳ器件（Ｖｏｌｔａｇｅ－ＣｏｎｔｒｏｌｌｅｄＮｅｇａｔｉ、ＲｅｓｉｓｔａｎｃｅＭＯＳＤｅｖｉｃｅ）也称作“Ａ”微分负阻ＭＯＳＦＥＴ...     

三端双向负阻晶体管的模拟与实验

对双向负阻晶体管(BNRT)的三端特性进行了研究.根据器件模拟得到了器件内部电势和电场分布,解释了S型负阻特性产生机理.分别从模拟和实验得到了输出负阻曲线随控制极电压变化的情况,结果表明,随控制电压的增大,转折电压、转折电流和维持电压均增大.模拟结果和实验结果一致.BNRT的三端化实现,克服了两端应用的诸多缺点,大大增加了它在高速脉冲电路中的应用灵活性     

三端双向负阻晶体管的模拟与实验

对双向负阻晶体管(BNRT)的三端特性进行了研究.根据器件模拟得到了器件内部电势和电场分布,解释了S型负阻特性产生机理.分别从模拟和实验得到了输出负阻曲线随控制极电压变化的情况,结果表明,随控制电压的增大,转折电压、转折电流和维持电压均增大.模拟结果和实验结果一致.BNRT的三端化实现,克服了两端应用的诸多缺点,大大增加了它在高速脉冲电路中的应用灵活性.     

双管S型负阻器件的研究

模拟电路实验证明用两个同极性的晶体管以多种电路接法都能获得具有Ｓ型负阻特性的两端器件。在此实验基础上研制得到一种双向两端Ｓ型负阻器件（ＴＢＮＲＤ器件）。本文还对该器件产生负阻的原因进行了理论分析。     

一种新型硅三端负阻器件

提出并研制成一种新型硅三端负阻器件。该器件由一n沟耗尽型MOS管、一横向pnp双极晶体管和一个电阻集成而得。它具有“双负阻”特性和正阻区阻值易于控制等特点。由理论计算出的器件I_c—V_(CB)特性和负阻参数与实验结果符合良好。     

一种新型结构的光电负阻器件

提出了一种新型结构的硅光电负阻器件———光电双耦合区晶体管(photoelectricdualcoupledareatransistor,PDUCAT) ,它是由一个P+ N结光电二极管和位于两侧的两个纵向NPN管构成的.由于两个NPN管到光电二极管的距离不同,使得它们对光生空穴电流的争抢能力随外加电压的变化产生差异,同时两个NPN管电流放大系数相差较大,最终导致器件负阻现象的出现.文中对PDUCAT进行了工艺模拟和器件模拟,围绕着负阻的形成机理和影响器件性能的主要参数进行了讨论,初步建立了器件模型.     

一种新型结构的光电负阻器件

提出了一种新型结构的硅光电负阻器件--光电双耦合区晶体管(photoelectric dual coupled area transistor,PDUCAT),它是由一个P+N结光电二极管和位于两侧的两个纵向NPN管构成的.由于两个NPN管到光电二极管的距离不同,使得它们对光生空穴电流的争抢能力随外加电压的变化产生差异,同时两个NPN管电流放大系数相差较大,最终导致器件负阻现象的出现.文中对PDUCAT进行了工艺模拟和器件模拟,围绕着负阻的形成机理和影响器件性能的主要参数进行了讨论,初步建立了器件模型.     

三端电压控制型负阻器件（3）

三端电压控制型负阻器件（３）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）第三章双基区晶体管［８］双基区晶体管（Ｄｕａｌ－ＢａｓｅＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ），简称ＤＵＢＡＴ。一般情况下它是以一横向ｐｕｐ双极管作为反馈器件，将其集电极与另一纵向ｎｐｎ双极管（作为...     

三端电压控制型负阻器件（2）

三端电压控制型负阻器件（２）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）第二章表面控制负阻晶体管（ＮＥＧＩＴ）［５］表面控制负阻晶体管（Ｓｕｒｆａｃｅ－ＣｏｎｔｒｏｌｌｅｄＮｅｓａｔｉｖｅＩｍｐｅｄａｎｄｅＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ），简称ＮＥＧＩＴ是在栅控晶...     

硅光电负阻器件的光双稳态瞬态特性

在本文中,一方面对电路参数与硅光电负阻器件的光学双稳态开关时间的关系进行了研究,另一方面对器件在低、中、高三个不同输入光强区的光学双稳态响应的变化趋势进行了研究.硅光电负阻器件包括有各种类型,本文主要对"λ"型双极光电负阻晶体管(PLBT)以电阻和光电二极管作为负载的情况进行了讨论.     

一种互补结型场效应管负阻器件

介绍了一种利用集成互补结型场效应管的简单复合而构成的负阻器件，并且对该负阻器件的温度特性进行了分析，为设计具有温度稳定性的负阻器件提供了有益的参考。     

双向负阻器件的数值模拟

本文通过对双向负阻器件进行数值模拟，分析了其产生负阻的内部图象，模拟结果表明，高阻集电区厚度的减小或衬底杂质浓度的增加使负阻曲线的摆幅增大，而基区掺杂浓度的提高将使负阻曲线的峰值减小。     

三端双向负阻晶体管的二维数值模拟及分析

对双向负阻晶体管(BNRT)的三端特性进行了数值模拟，得到了器件S型负阻曲线。根据BNRT不同工作状态下的内部电势、电子浓度和空穴浓度分布，解释了其S型负阻特性的产生机理。模拟分析了负阻曲线随控制电压变化的情况。结果表明，随控制电压的增大，转折电压、转折电流和维持电压均增大。最后，对不同结构和工艺参数的三端BNRT进行了模拟，总结出器件结构和工艺参数对负阻特性的影响。