聚焦离子束扫描显像技术

聚焦离子束（FIB）是一种将微分析和微加工相结合的新技术,广泛应用于芯片电路修改、研磨、沉积和二次电子离子成像。扫描显像技术是FIB的重要功能,主要用于器件精密加工中,校正束与工件的坐标位置,修正像的畸变。还可以在显示器上观察加工工件的表面形貌,使加工更加直观。FIB其它所有的功能和应用都要在扫描离子显微镜所显示的图像下进行,叙述了用于FIB扫描显像的一种新方法。     

聚焦离子束装置

聚焦离子束(FIB:Focused Ion Beam)装置可以在亚微米级的情况下发挥离子束的各种特性,因容易实施电扫描,所以,用于微细器件的制作和分析时,它所显示的优越性是以往的装置所不可比拟的。因此,聚焦离子束作为研制、制造亚微米尺寸的集成电路、光集成电路和三维器件等的技术之一,正受到人们的重视。在研究和技术开发方面已取得很多成     

聚焦离子束淀积铂薄膜性质的研究

聚焦离子束(FIB)淀积Pt薄膜是FIB集成电路修改的基本手段之一。对FIB不同束流下淀积的Pt薄膜的性质,如厚度、体积、淀积速率、成份以及电阻进行了较全面的研究。离子束流的增大使Pt薄膜体积下降,而淀积速率逐渐上升;Pt薄膜的主要成份为C,占三分之二左右,Pt含量约为30%;当辅助反应气体流量不变时,Pt的含量随离子束流的增大而增加,C的含量则随之减少;薄膜的电阻比纯净Pt要大得多。据此给出了IC电路修改时较好的淀积条件,在IC产业的设计和制造中有较强应用价值。     

FIB的工作原理及其应用

介绍了聚焦离子束显微镜的基本功能及工作原理,分析了影响离子束显微镜影像的因素.详细介绍了气体在聚焦离子束系统中的作用,对刻蚀气体与沉积气体种类进行了介绍,刻蚀气体可对不同的材料进行选择性刻蚀,而沉积气体可以沉积金属或介质,以进行电路的修改.     

聚焦离子束致形变微纳加工研究进展

聚焦离子束技术（ focused ion beam,FIB）由于其高精度刻蚀、定点加工、实时成像等优势,常用于精密加工、TEM制样等领域。其工作机理通常为：刻蚀、淀积与成像。而基于FIB新的加工手段正在被探索和研究,其中就包括两种聚焦离子束致形变技术,分别为聚焦离子束应力引入致形变技术（ FIB?stress induced deformation,FIB?SID）和聚焦离子束物质再分布致形变技术（ FIB?material?redistribution induced deformation,FIB?MRD）。前者通过控制FIB辐照时离子注入与溅射之间的竞争关系实现悬臂梁的多角度弯曲,后者利用粒子与物质作用时的瑞利不稳定性构建纳米结构,在一定意义上扩充了聚焦离子束的应用范围。运用上述方法可以加工三维微纳螺旋,悬浮光滑纳米弦以及大规模阵列化纳米网孔等多样化微／纳功能构件,在微流控系统,太赫兹通信,光学天线等领域具有很强的应用前景。     

静电偏转系统象差的计算和静电MOL系统的研究

一、引言 近年来,随着高亮度离子源的出现,微米、亚微米聚焦离子束装置迅速发展起来。其应用范围也不断扩大,包括:扫描离子显微镜、二次离子质谱仪、集成电路的掩模版的修理、无掩模注入以及离子束曝光等等。本文就这类装置,特别是用于离子束曝光等要求在较大扫描范围内得到足够小束斑的系统进行探讨。     

新一代微分析及微加工手段——聚焦离子束系统

聚焦离子束 (FIB)技术是 90年代发展起来的具有微细加工和微分析组合功能的新技术。随着集成电路线宽的不断减小 ,集成度不断提高 ,该技术已在微电子工业中被广泛应用 ,其优势也日益显现。文中主要对FIB系统的构成作较为详尽的介绍 ,同时也涉及该技术的应用和发展。     

聚焦离子束加工技术及其应用

对聚焦离子束加工技术在集成电路芯片的诊断与修改、修复光刻掩模缺陷、制作透射电镜样品以及多用途微切割上的应用作了详细介绍。     

聚焦离子束(FIB)快速制备透射电镜样品

高性能聚焦离子束系统(简称FIB)具有许多独特且重要的功能，已广泛地应用于半导体工业中。近年来，FIB在材料科学研究领域也有了广泛的应用。本文主要介绍利用FIB快速制备TEM样品的方法。实验设备为日本精工公司生产的型号为Seiko SM12200的聚焦离子束系统。     

面向Ga＋和惰性离子的聚焦离子束加工机理的研究

聚焦离子束( FIB)技术越来越广泛地应用于纳米加工等领域,其加工机理的研究是该技术发展的重要基础。本文针对纳米结构加工过程中聚焦离子束对加工精度的影响规律,基于蒙特卡罗法的SRIM程序,对离子轰击硅、金、铬等典型基底进行了仿真分析与建模,研究了Ga＋、He＋、Ne＋不同离子束的入射能量对入射深度、能量损伤、横向离散等参数的影响规律,解释了He＋在加工小于10nm线宽结构中的优势及其加工中存在的新现象。结果表明,在FIB加工过程中可采用不同的离子束源,进行加工结构的工艺优化。     

Electron backscattering diffraction investigation of focused ion beam surfaces

A focused ion beam (FIB) instrument has been used to mill surfaces in single-crystal Si and single-crystal Cu for subsequent electron backscattering diffraction (EBSD) analysis. The FIB cuts were performed using a 30 keV and a 5 keV Ga⁺ ion beam at a stage tilt of 20° to provide a readily obtainable 70° surface for direct EBSD investigation in a scanning electron microscope (SEM). The quality of the patterns is related to the amount of FIB damage induced in the Cu and Si. These or similar methods should be directly transferable to a FIB/SEM dual beam instrument equipped with an EBSD detector.     

基于聚焦离子束注入的微纳加工技术研究

提出了聚焦离子束注入（focused ion beam implantation,FIBI）和聚焦离子束XeF2气体辅助刻蚀（gas assisted etching,GAE）相结合的微纳加工技术。通过扫描电镜观察FIBI横截面研究了聚焦离子束加工参数与离子注入深度的关系。当镓离子剂量大于1.4×1017ion/cm2时,聚焦离子束注入层中观察到均匀分布、直径10～15nm的纳米颗粒层。以此作为XeF2气体反应的掩膜,利用聚焦离子束XeF2气体辅助刻蚀（FIB-GAE）技术实现了多种微纳米级结构和器件加工,如纳米光栅、纳米电极和微正弦结构等。结果表明该方法灵活高效,很有发展前途。     

Physical and chemical analysis of advanced interconnections using energy filtering transmission electron microscopy

Our newest method for interconnection analysis using focused ion beam (FIB) specimen thinning and energy filtering transmission electron microscopy (EFTEM) is presented. It is shown that using the site-specific capability and the controlled thinning effect of the FIB in addition with the high spatial resolution of the EFTEM technique, fast chemical analysis of materials with nanometre spatial resolution can be obtained. This is the only method for the observation of very thin diffusion barriers and interfaces in the presence of drastic topography. Application examples are given concerning firstly, the in-depth analysis of tungsten aluminum technology, barrier integrity and interdiffusion of elements near interfaces and secondly, the surface contamination of copper in copper interconnection technology with high aspect ratio contacts. In this case, photoresist spin-coating is carried out prior to FIB thinning. This method is an alternative to surface analysis techniques and offers the best spatial resolution without topography limitations.     

聚焦离子束组合装置及应用

聚焦离子束技术是一种集形貌观测、定位制样、成分分析、薄膜淀积和无掩膜刻蚀各过程于一身的新型微纳加工技术。对电子离子双束纳米工作站,聚焦离子束、扫描电镜和Ar离子束构成的“三束”显微镜系统的原理和应用作了详细介绍,同时也对聚焦离子束-分子束外延组合装置、聚焦离子束与二次离子质谱仪(SIMS)的组合装置以及单轴聚焦离子/电子束(FIEB)装置作了简单介绍。     

Side-milling technique of preparing device cross-sections for electron holography based on a focused ion beam micro-sampling system

A new milling technique based on a focused ion beam (FIB) microsampling system is proposed to avoid the curtaining effect, commonly occurring in other FIB milling methods, in order to obtain a crosssectional device specimen with uniform thickness can be obtained for electron holographic observation.     

液态金属离子源聚焦离子束系统在微米/纳米技术中的应用

随着微米／纳米科学技术的发展,微细加工微区分析所用的主要技术之一－聚焦离子束技术引人注目。本文简述了具有液态金属离子源的聚焦离子束技术的主要功能,着重报道了近来该技术下述领域中的应用。     

聚焦离子束(FIB)技术及其在微电子领域中的应用

FIB是一种将微分析和微加工相结合的新技术，在亚微米级器件的设计、工艺控制和失效分析等诸多领域发挥着非常重要的作用。本文将对聚焦离子束技术及其分析、加工的机理和性能作一介绍，并对该技术在微电子领域中的应用及发展作一综述。