银粉形貌及表面处理对导电胶性能的影响

利用四点探针和电子万能试验机分别测定了同种树脂体系中不同银粉形貌及银粉表面处理下导电胶的体积电阻率和剪切强度,探索了银粉含量、形状尺寸及表面处理对导电胶性能的影响规律.     

已二酸含量对导电胶性能的影响

通过在导电胶中直接添加短链二元羧酸已二酸对导电胶进行改性,研究了不同含量的已二酸对导电胶性能的影响规律。通过同步热分析仪对不同已二酸含量的导电胶的固化过程和固化后的热稳定性能分析表明,已二酸的添加会和环氧树脂进行反应,并且会促进导电胶的固化放热峰向低温方向偏移;同时已二酸的添加还会部分提高导电胶的热稳定性能。通过电子万能试验机对不同已二酸含量的导电胶的粘接强度进行分析表明,当已二酸质量分数低于0.5%时,随着已二酸含量的增加,导电胶的剪切强度逐步下降,当已二酸质量分数达到0.5%后,导电胶的剪切强度出现上升现象。通过四点探针测试仪对各不同导电胶的体积电阻率的测试,发现随着已二酸含量的增加,导电胶的体积电阻率逐渐减小。     

聚醚改性环氧树脂对导电胶的影响

将聚醚多元醇与多聚磷酸反应生成聚醚多元醇磷酸酯,再与双酚A环氧树脂反应制得聚醚多元醇磷酸酯改性环氧树脂,并通过红外光谱和固化物断面形貌观察证明增韧改性成功。将双酚A环氧树脂和聚醚改性环氧树脂按不同比例混合,并添加相同成分相同比例的助剂、银粉制成导电胶,对比测试导电胶的体积电阻率、热导率、剪切强度、硬度等性能参数,发现随着聚醚改性环氧树脂占比的增加,导电胶的导电导热性能不断提升,体积电阻率最低达到1.9×10^-5Ω·cm,热导率最高可达15.9 W·(m·K)^-1,硬度和剪切强度逐渐降低到67.7 HD和16.8 MPa。观察导电胶断面的微观形貌,发现随着聚醚改性环氧树脂含量的增加,导电胶断口表面光滑平整的树脂逐渐变得粗糙不平,断面银粉由裸露逐渐被树脂包裹。分析认为聚醚改性环氧树脂引入大量柔性基团,降低导电胶硬度与强度的同时提高了固化收缩率,从而提高导电导热性能。在剪切力作用下,裂纹不再沿树脂与银粉之间的界面扩展,而是沿树脂基体内强度较低的柔性基团扩展。     

导电胶粘接元件接触电阻的稳定性研究

为解决导电胶粘接元件接触电阻不稳定的问题,研究了在温度及压力应力条件下,导电胶在不同界面的导电性和体电阻率的变化情况,分析了导电胶接触电阻不稳定的机理。试验结果表明,导电胶粘接片式元件的接触电阻的稳定性不仅与工艺加工过程有关,而且与元件端头金属基材表面金属化层的电极电动势密切相关;采用Ag基或Au基端头元件时,其导电胶粘接元件的接触电阻在粘接装配工艺过程中是最稳定的。     

煤矸石轻质保温砖的导热性能研究

以煤矸石为主要原料研制轻质保温砖,是煤矸石资源化综合利用的新途径。通过对煤矸石轻质保温砖导热机理的分析,研究了材料的物相组成及气孔率、煤矸石掺入量以及烧成温度制度等因素对其导热性能的影响。实验结果表明,煤矸石轻质保温砖具有较低的导热系数,与其制备的工艺参数有关,也与其物相组成和结构有关。     

导电胶研究现状及其在LED产业中的应用

伴随中国战略性新兴LED产业的迅猛发展,LED芯片与基板之间的连接材料—导电胶,也成为了当前学术界和产业界的研究热点之一。分别从导电胶主要成分方面阐述了导电胶近年来的研究成果,为导电胶研发过程中的成分选择及优化处理提供参考。并展望了今后导电胶的发展趋势和应用前景。     

内嵌金属导热通道环氧模塑料导热性能与模拟

设计了垂直与水平两种导热结构,用高导热金属铜为填料在环氧模塑料（EMC）中进行填充,通过热模压法制备了样品。采用双热流计稳态法对样品导热系数进行了测试,采用ANSYS软件对EMC的热传导规律进行了模拟,并与实验结果进行比较分析。研究发现,随着铜填充量的增加,EMC的导热系数随之提高,填充量仅为25vol％时垂直导热结构试样导热系数高达104．62W／m·K。相同填充量下,垂直导热结构样品的导热系数远高于水平导热结构样品,垂直导热结构样品随着铜填充量的增加导热系数增加速度也明显快于水平导热结构样品,并出现明显的渗逾效应。模拟结果与实验结果符合较好。     

银粉形貌与尺寸对导电胶电性能的影响

从导电性角度考查银粉颗粒形貌和粒径大小对导电胶电阻率的影响。用不同形貌和不同平均粒径的银粉,按相同配方制成导电胶,比较其体电阻率。结果发现不同形貌的银粉体系的电阻率存在数量级上的差异;填充片状银粉的体系电阻率与银粉平均粒径成反比,在5~12μm内,平均粒径越大电阻率越低。     

高频高速印制板材料导热性能的研究进展

随着电子技术的发展,对高频高速印制板导热性越来越高的要求。除了开发高成本的高导热性聚合物材料外,在聚合物中填充高导热性的无机材料也是提高高频高速印制板基材导热性能的有效方法,而且填充型复合材料可以用理论模型预测其导热系数。主要综述了填料的形貌、分布与表面改性对填充型复合材料导热系数的影响等方面的研究进展。     

导热功能橡胶的导热机理及其导热性能的影响因素

本文介绍了导热功能橡胶的研究现状及导热机理,着重分析了影响填充型导热功能橡胶导热性能的主要因素,并阐述了导热橡胶的应用及发展方向。     

紫外光固化银包铜粉导电胶的制备及研究

以银包铜粉和环氧丙烯酸树脂为原料制备导电胶浆料,采用丝网印刷将浆料涂覆到载玻片上,置于紫外光下固化获得导电涂层。利用SEM和四探针电阻测试仪对固化后导电胶的微观结构和电学性能进行表征。结果表明:当银包铜粉质量分数为70%,导电胶固化完全,制得的导电胶电阻率最低为1.135×10~(–3)?·cm,涂层厚度为140μm。     

刚挠结合板导电胶钢片贴合界面可靠性影响因素研究

导电胶钢片是在高温高压条件下将热固导电胶与不锈钢片压合在一起,作为软硬结合板电子元器件安装重要的支撑结构,导电胶钢片常作为电源接地层使用。因此,导电胶钢片与软硬结合板之间的接地电阻影响电子产品的电气性能,而贴合界面可靠性会直接影响到接地电阻的稳定。文章研究了软硬结合板导电胶钢片贴合界面可靠性影响因素,以及金面、铜面、油墨面等贴合载体,表面处理方式、贴钢片补强前处理方式与贴合界面可靠性的关系。     

Al/TPG叠层复合结构导热性能的数值研究

针对高功率电子元器件的散热需求,该文以高导热Al/TPG叠层复合结构为研究对象,基于有限元方法,应用ANSYS软件对该叠层复合结构的导热性能进行了仿真分析。对比分析了平行结构和T型结构两种复合构型对Al/TPG叠层复合结构导热性能的影响,综合考虑了Al/TPG间的界面热阻对复合结构导热性能的影响。分析结果表明T型Al/TPG叠层复合结构具有更好的传热性能,Al/TPG间的界面热阻对该结构的导热性能有显著影响。     

Bi_2O_3含量对ZnO-BaO-Bi_2O_3-B_2O_3系玻璃性能的影响

用熔融冷却方法制备了ZnO-BaO-Bi2O3-B2O3系低熔点玻璃,研究了Bi2O3含量对所制玻璃热学性能和体积电阻率的影响。结果表明:随着Bi2O3含量的增大,所制玻璃密度和线膨胀系数增大,而膨胀转变温度(tg)、膨胀软化温度(tf)和体积电阻率(ρv)减小;当Bi2O3摩尔分数为0～12%时,随着Bi2O3含量增大,玻璃的tg、tf和ρv显著降低;而当Bi2O3摩尔分数为12%～25%时,这种变化趋势明显减弱。     

纳米无机粒子对环氧树脂胶黏剂导热性能的影响

鉴于环氧树脂胶黏剂导热性能已不能满足实际应用的散热要求,以环氧树脂为基体,纳米级粒子Al N、BN和Al2O3为填充物,通过填充不同质量的粒子来研究对胶黏剂导热性能的影响。结果表明,在填充质量110~120 g时,三种粒子混合配比填充其导热性能要明显高于单一粒子填充和两种粒子混合填充,在粒子质量配比为Al N∶BN∶Al2O3=2∶3∶5时,导热系数达到2.25 W·(m·K)-1。     

ASTM D5470方法测试金属基覆铜板导热系数的影响因素

导热系数是表征材料散热性能的重要参数之一,在金属基板领域应用广泛。本文主要介绍美国材料试验协会稳态热流法ASTM D5470的测试标准及原理,从测试参数（压力和时间）、导热膏（热阻抗测试方法和特性）、试样（表面粗糙度和形状尺寸）等方面,分析对金属基覆铜板导热系数测试结果的影响,以期为测试人员提供参考及获得更加精确数据。     

一种新型芯片粘接用导电银胶的性能研究

制备了一种由环氧树脂基体、咪唑类固化剂、微米级银粉和活性稀释剂体系构成的导电银胶。该导电银胶的常温体积电阻率为3.7×10~(-4)Ω·cm,搁置寿命大于48 h,粘度适中,耐热散热性能良好。将该导电银胶应用在3种引线框架并考察其可靠性,结果表明导电银胶与无镀层框架的粘接性最好,但在高温时各框架的粘接性相差不大。同时考察了该导电银胶应用于LGA封装的芯片粘接效果,封装后界面无气泡和分层现象。     

以PI为基底的金薄膜导热导电性能研究

实验利用瞬态电热技术测量出镀在聚酰亚胺(PI)基底表面的6. 4 nm金薄膜面内方向的导热系数、导电系数和洛伦兹数,并研究了PI薄膜基底的热处理温度与时间对金薄膜导热、导电性能的影响。研究结果表明,PI基底可以促进金薄膜面内方向的热传导与电传导。PI薄膜基底表面金薄膜导热、导电性能最强,适合应用在柔性电子领域中。当对PI薄膜基底的热处理时间为1 h时,随着热处理温度从50℃升到200℃,金薄膜的导热、导电系数呈下降趋势。当热处理温度为200℃时,随着热处理时间从0 h升到6 h,金薄膜的导热、导电性能先下降后上升,并在6 h后趋于稳定。     

铜锡合金纳米粒子的制备和性能研究

通过化学还原方法制备了铜锡合金纳米粒子,并研究分析了其的尺寸和热学性能。铜锡纳米粒子的X射线衍射分析结果显示,合成产物主要是锡纳米颗粒和铜锡合金(Cu6Sn5)纳米颗粒组成,且这些纳米粒子并未被氧化。其示差扫描量热法测得结果表明,本次合成的纳米颗粒的熔点为202.98 ℃,适合现代电子封装技术对低熔点封装材料的要求。