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SnO2-LiZnVO4系湿敏陶瓷烧结工艺与电性能关系的复阻抗分析 总被引:1,自引:0,他引:1
采用共沉淀法制备出SnO2-LiZnVO4系湿敏试样,分别在不同烧结温度和保温时间下于空气中烧成,测量试样的湿敏特性,并通过复阻抗分析方法,研究了SnO2系湿敏元件烧结工艺与电性能的关系,探讨烧结工艺对敏感材料微结构的影响.结果表明: 适当调整烧结工艺参数可明显改善材料的微结构和湿敏性能,850℃×1h试样具有高湿电阻小灵敏度适中的湿敏特性;复阻抗分析表明,试样的电容在低频范围随烧结温度的升高和保温时间的延长先减小后增大,但高频范围几乎不随烧结温度的变化,且随时间的延长,试样的复阻抗谱的半圆弧弧长逐渐增大. 相似文献
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本文介绍了用金属氧化物陶恣材料制成的湿敏元件及其感湿特性,对陶恣材料的结构以及元件的感湿特性与陶材料结构的关系进行了初步的探讨。 相似文献
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MgCr_2O_4-TiO_2系湿敏机理的探讨 总被引:3,自引:0,他引:3
半导瓷湿度传感器已经得到了广泛的应用,但是关于感湿机理的探讨尚未解决。本文对MgCr_2~-O_4~--TiO_2~-系湿敏陶瓷的感湿机理进行了详细的研究。根据一系列实验事实,提出了电子-离子共同导电的湿敏机理,该机理能够完善地解释湿敏特性。 相似文献
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研究了ZnO-SnO2-Cr2O3系半导体陶瓷在高温下的湿敏特性,根据实验结果,对其敏感机理进行了探讨。 相似文献
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用复阻抗法分析
MgCr2O4-TiO2 湿敏陶瓷感湿机理 总被引:4,自引:1,他引:4
本文研究了不同湿度条件下MgCr_2O_4-TiO_2的复阻抗平面图及其对应的等效电路图.根据介质极化理论,分析了不同湿度范围内的极化机制,得出结论:相对湿度大于25%RH时,主要是质子(H_3O)~+的电导起作用;相对湿度小于33%RH时,主要是电子电导起作用;两者之间是质子和电子共同起作用. 相似文献
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PbCrO4-V2O5系陶瓷湿敏电阻材料初探 总被引:1,自引:0,他引:1
报导了在体控型湿敏材料PbCrO4中引入V2O5的研究结果。实验表明,随着V2O5含量的增加,材料在低温范围内感湿灵敏度下降,当PbCrO4与V2O5的摩尔比为1:1时,材料几乎失去感湿特性,当比例为1:0.3时,在温度为40 ̄80℃相对湿度为30% ̄90%RH的范围内,材料的湿阻特性几乎与温度无关,据此有可能制备不加温度补偿即可直接使用的湿度传感器。 相似文献
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报导了不同含量的MgO、K_2O掺杂对Fe_2O_3为基的陶瓷材料湿敏特性影响的研究结果.确定了使材料湿敏特性得到很大改善的掺杂含量.并通过XRD、SEM的分析,对其感湿机理进行了讨论。还报导了环境温度变化对材料湿敏特性的影响情况. 相似文献
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本文对研制的 Nasicon系和 Zr O2 系陶瓷湿敏材料和湿度传感器的稳定化进行了分析研究 .采用直流电导法判定 Nasicon系和 Zr O2 系湿敏材料的导电机制分别是离子电导为主的离子 -电子混合电导和离子电导 .施加交直流电场能激活材料的离子电导 .提出了适用于离子型电导为主湿敏材料的状态模型 .湿度传感器经常处于交流电场 (工作电压 )下可锁定其活化状态 ,是保持湿度传感器稳定化的有效方法 相似文献
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碱金属氧化物掺杂
对TiO2-V2O5系湿敏陶瓷的影响
’ 总被引:1,自引:1,他引:0
本文研究了碱金属氧化物掺杂对TiO2-V2O5系湿敏陶瓷的影响.结果表明:掺入碱金属氧化物和烧结温度等将影响材料的微结构及湿敏性能,其中含K2O材料有较高的湿敏性能.元件经聚合正硅酸酯溶液浸泡在50℃,85%RH下老化50h,提高了元件的湿度灵敏度和稳定性。 相似文献