硅双极晶体管集电结的雪崩倍增及其相关性分析

本文研究了硅双极晶体管中由雪崩倍增效应引起的基极电流方向改变现象,以及雪崩倍增与晶体管的偏置电压、集电区掺杂浓度和环境温度的相关性.     

国内外大功率晶体管发展动态

本文所指的大功率晶体管是指普通型双极大功率晶体管。包括低频大功率晶体管、功率开关晶体管、高反压晶体管和功率达林顿晶体管四部分。功率场效应晶体管VDMOS、功率晶体管模块GTR、绝缘栅晶体管IGBT、静电感应晶体管SIT、静电感应晶闸管SITH及     

初论雪崩晶体管雪崩工作状态的合理选取

雪崩晶体管雪崩工作状态的合理选取，是避免雪崩振荡，保证线性调频信号稳定工作的必要必要条件。     

利用崩越收集极改进晶体管

研究了具有碰撞雪崩渡越时间收集极(以下简称IMPATT收集极)的晶体管式结构在工作特性上的改进。提议给这种器件命名为碰撞雪崩渡越时间晶体管(Impistor),简称崩越晶体管。在这种晶体管式结构中,对于结定的发射极条宽,崩越晶体管的工作频率可能比通常的晶体管要高5～10倍。     

雪崩晶体管退压电路用于电光调Q的实验研究

采用雪崩晶体管作退压开关元件比冷阴极陶瓷触发管有许多优点。 通过电路分析和实验对比我们得到如下的结论: 一、雪崩晶体管可作电光Q开关的退压开关元件,激光工作正常。 二、雪崩晶体管比冷阴极陶瓷触发管有以下几方面优点:(1)激光输出功率增加15～20％;(2)激光输出脉宽变窄1～2毫微秒;(3)激光输出功率稳定性好,均方根差≤3％,同     

崩越晶体管

本文提出了一种新工作原理的晶体管,我们称为雪崩注入渡越时间晶体管,简称崩越晶体管.其发射极是反向偏置的p-n结,依靠雪崩注入载流子,然后在收集极中渡越.分析表明这种新器件在微波频率下具有远高于双极型晶体管和场效应晶体管的功率潜力,并可得到较宽的带宽.因此,这种器件有可能获得广泛的应用.     

一种新N型射极势垒绝缘栅双极晶体管

本文提出了一种新N型射极势垒绝缘栅双极晶体管。该器件用N型轻掺杂区代替传统的P+区形成空穴势垒,以阻止寄生PNP晶体管空穴分流,从而增强电导调制效应。仿真验证结果显示,该器件对比传统沟槽IGBT,其电流密度和关断损耗分别增加和降低了49%和25%,同时具有相似的击穿电压、关断时间和雪崩能量。此外,该器件具有无限大的跨导,有利于开通和关断。因此,该器件可应用于高压大功率电力电子系统。     

激励注入式激光器的快速上升雪崩晶体管脉冲发生器

这里叙述用并联雪崩晶体管产生大电流、快速上升的脉冲来激励激光器的电路。它以10千赫的重复率产生55安、上升时间为20毫微秒的脉冲。调整偏压,可使非匹配的雪崩管产生同步雪崩。     

垂直结型栅场效应晶体管的二维分析

垂直结型栅场效应晶体管是一种新型大功率器件。它们显示不同于一般场效应晶体管而类似于三极管的特性。本文应用二维数值分析研究了垂直场效应晶体管(V-FET)的类三极管的运用。这个分析表明,沟道被栅势垒耗尽对类三极管运用是一个必要条件。它也表明了栅间距 d 和栅-漏长度 l_(gd)对垂直场效应晶体管的类三极管运用有很大的影响。由类三极管到五极管特性的转变大约是通过增加 d 或 l_(gd)而引起的。雪崩击穿电压强烈地依赖于电场分布,并且这也是二维分析的很好题目。就有关类三极管的运用和击穿,讨论了垂直场效应晶体管的设计准则。     

雪崩晶体管在纳秒脉冲驱动电路中的应用

介绍了一种可用于半导体激光器、高速摄影、信号处理以及激光雷达的纳秒脉冲驱动电路。利用晶体管的雪崩效应，通过两级雪崩晶体管阵列，得到了7ns、6A的大电流窄脉冲。并对触发脉冲的获得、电路板的印制进行了简要的介绍。     

单脉冲随机选出及再生放大同步电路的研制

从锁模脉冲系列中选出单脉冲,然后进行再生放大,是获得微微秒高功率激光的方法之一。国外目前采用雪崩晶体管触发KN22或雪崩晶体管串来形成上升前沿≤2毫微秒,抖动≤2毫微秒,脉宽几个毫微秒的高压快门选出单脉冲。     

2003年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要(4)

59.200 G H z SiG e 异质结双极晶体管中雪崩电流引起的热载流子退化 (A valanche Current Induced H otCarrier D egradation in 200 G H z SiG e H eterojunctionBipolar Transistors)-- 2003 International R eliabilityPhysics Sym posium pp.339-343. 介绍了在加速雪崩应力条件下对 SiG e 异质结双极晶体管 H B T 的研究 试验中 基极-发射 ( ) , ,极结是正向偏压 收集极-基极结是反向偏压 处 , ,于雪崩条件下 高能雪崩载流子 热载流子 给 。 …     

华北光电所研制成功雪崩晶体管快速开关

华北光电所研制成功雪崩晶体管快速开关。其跃变时间2毫微秒,抖动不到1毫微秒,雪崩电压3～4千伏,振荡幅度为主峰的1/     

高频大功率晶体管的设计(一)

一、高频大功率晶体管的一些问题 1.高频大功率晶体管的工作状态 A、甲类 甲类工作状态如图1所示。在整个信号周期内(0～2π),晶体管均处于导通状态。     

论高频大功率晶体管的温度分布

本文在俞忠钰、王士林两同志的指导和帮助下,对高频大功率晶体管的温度分布进行了较严格的数学分析。得到了用于大功率情况下的晶体管的温度分布公式。从而确定了热沉对硅片表面温度分布的影响。所得到的温度分布公式为高频大功率晶体管的热学设计提供了参考。     

中,大功率塑封晶体管采用丝状Pb—In—Ag合金作粘接材料

中、大功率晶体管生产中,晶体管芯片与框架的粘接质量是决定晶体管性能的关键之一。可以说,晶体管芯片制成后,芯片与框架的粘接质量是晶体管成品质量的决定性因素。目前,对于中、大功率晶体管均采用锡基或铅基合金作粘片材料,而且都是将合金制成薄带状。这种带状合金有利于自动化程度较高的粘片机使用,而且对每个晶体管的合金用量基本一致。     

晶体管在过压状态下的工程应用

本文主要从工程应用的角度出发,介绍了晶体管的过压特性。并提出了雪崩击穿晶体管的挑选方法,给出了几种实际应用的具体电路.     

h_(FE)雪崩衰退及其复原

硅平面型晶体管的发射极-基极处于反向过载偏置而发生雪崩效应后,将引起h_(FE)衰退。浅结、重掺杂的超高频晶体管的h_(FE)雪崩衰退现象更明显和严重。实验结果表明,h_(FE)雪崩表退率随反向过载偏置电流及过载时间的增加而增大;h_(FE)雪崩衰退后的器件可以由高温老化和电功率老化而退火复原。因此,在此类器体的制造流程中的检测、成品测试以及应用中,都应避免发射极-基极处于反向过载偏置。在工艺筛选中,应加强高温老化和电功率老化,使器件的h_(FE)退火复原。     

提高S波段大功率晶体管内匹配电容的可靠性

对影响 S波段大功率晶体管内匹配电容的质量问题进行了分析 ,并给出了改进方法 ,提高了内匹配大功率晶体管的稳定性和可靠性。     

SiGe HBT的Mextram 504模型温度参数提取与模型改进

针对IMEC 0.13μm准自对准SiGe BiCMOS工艺制成的基区Ge组分二阶分布结构SiGe异质结双极晶体管,在25～125℃温度范围内,对其进行了包括Early电压,Gummel图形等在内的完整双极晶体管特性曲线测量,提取了该器件在25～125℃范围内的温度可变Mextram 504模型参数.在此基础上,为Mextram 504模型对0.13μm基区Ge组分二阶分布SiGe异质结双极晶体管探索了完整的模型提取方案.提出了对Mextram 504模型温度参数提取方法的改进,优化了提取流程.对SiGe异质结双极晶体管雪崩电流受温度影响的特性进行了讨论,为Mextram模型提出了雪崩外延层的有效厚度的温度变化经验公式和新的雪崩电流温度变化参数,提高了Mextram模型对不同温度下SiGe双极型晶体管进行模拟仿真的精确度.