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相似文献
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1.
GaAs/Al_xGa_(1-x)As多量子阱红外焦平面性能初探周士源(南京理工大学南京210094)热电流和量子效率是GaAs/Al_xGa_(1-x)As多量子阱红外焦平面的两个最关键的特性,它决定着焦平面阵列的探测率和噪声等效温差NETD。本文...  相似文献   

2.
利用MBE生长的GaAAlxGa1-xAs折射率渐变-分别限制-多量子阱材料(GRIN-SCH-MQW),经液相一次掩埋生长,制备了阈值最低达2.5mA(腔面未镀膜),光功率室温连续输出可达15mW/面的半导体激光器,经腔面多功能摹一器件已稳定工作4500多小时。  相似文献   

3.
运用光调制光谱方法测量了GaAs/AlxGa(1-x)As多量子阱红外探测器材料的调制反射谱,结果表明光调制光谱可以精确确定阱宽、Al组分、子带跃迁能量和探测峰值波长等许多重要参数,结合实验结果,采用Kronig-Penny模型对材料能带结构进行了理论计算,与实验结果相符.  相似文献   

4.
对MOCVD生长的GaAs(40)/AlxGa(1-x)As(300)多量子阱结构观察到附内电子从基态到第一激发态跃迁引起的红外吸收.用Bruker红外光谱仪测量,发现了一个峰值在986cm-1(10.1μm)带宽为237cm-1(9~11.5μm)的强吸收峰,该峰位置与阱内电子从基态到第一激发态跃迁所计算的吸收峰位置基本一致.  相似文献   

5.
文章报道了用分子束外延(MBE)法在600℃和650℃下,在Si掺杂的GaAs衬底的(311)A和(311)B面上成功地生长了高质量的AlxGa1-As/GaAs单量子阱材料。计算了光荧光(PL)峰值能量,并与实验作了比较。讨论了(311)A和(311)B面上的不同生长特性。  相似文献   

6.
AlxGa1-xAs/GaAs合金型异质结价带偏移的研究中,采用以平均键能为参考能级的ΔEv理论计算方法,得到ΔEv(x)=0.531x+0.001x2的理论计算结果.该计算结果与目前的一些实验结果符合较好.  相似文献   

7.
本文测了n-AlxGa1-xAs/n-GaAs的表面光伏谱,推导了有关计算公式,计算了它们的能隙和组分,得出了它们的重要材料参数.计算结果表明:理论计算与实验结果是一致的.  相似文献   

8.
用金刚石对顶砧压力装置在液氮温度下和0~4GPa的压力范围内测量了不同阱宽(1.7~11.0nm)的InxGa(1-x)As/Al(1-y)Ga(1-y)As(x,y=0.15,0;0.15,0.33;0,0.33)多量子阱的静压光致发光谱,发现在In0.15Ga0.85As/GaAs多量子阱中导带第一子带到重空穴第一子带间激子跃迁产生的光致发光峰能量的压力系数随阱宽的增加而减小,在In0.15Ga0.85As/Al0.33Ga0.67As和GaAs/Al0.33Ga0.67As多量子阱中相应发光峰的压力系数随附宽的增加而增加.根据Kroniy-Penney模型计算了发光峰能量的压力系数随阱宽的变化关系,结果表明导带不连续性随压力的增加(减小)及电子有效质量随压力的增加是压力系数随阱宽增加而减小(增加)的主要原因.  相似文献   

9.
对AlxGal-xAs/GaAs异质面太阳电池经l-MeV电子辐照前后的性能变化进行实验研究和数值拟合分析.讨论了电池性能衰退的主要原因,并提出了如何提高AlxGa1-xAs/GaAs异质面太阳电池的抗电子辐照能力的方法.  相似文献   

10.
在GaAs-AlxGa1-xAs异质结中,我们观察到二维热电子的负磁阻效应,随着电场强度的增加,负磁阻效应增强,对我们的样品而言,Δσ/σ(0)的幅度可达20%以上.一个简单的理论分析表明:实验结果能够被弱磁场中的电子能量弛豫率的增加导致二维热电子的磁冷却所解释.  相似文献   

11.
本文首次报道用光调制光谱(PR)研究了Cd1-xMnxTe/GdTe半磁半导体多量子阱的能带结构和带间跃迁,观察到多量子阱的各子能级激子跃迁11H.11L,22H,33H等,并得到轻重空穴分裂为18meV.当能带偏移Qc=0.90时,理论计算的子带跃迁能量与调制光谱结果符合很好.发现低温时第二子能级跃迁比第一子能级跃迁更强,并给出了初步解释,通过变温测量,测得各子能级的温度系数并与纯CdTe及Cd1-xMaxTe混晶体材料的温度系数作了比较.  相似文献   

12.
采用缓变In_xGa_(1-x)As沟道的高性能δ掺杂GaAs/In_xGa_(1-x)As PHEMT近来,InxGa;-xAs三元合金已被公认为高电子迁移率晶体管有前途f的沟道材料,因为它的有效质量较小,F一L间隙较大。据((IEE.D.L.)199...  相似文献   

13.
分析了AlxGa1-xAs/GaAsHBT外基区表面复合电流及外基区表面复合速度对直流增益的影响,用光致发光(PL)谱和Al/SiNx-S/GaAsMIS结构C-V特性,研究了GaAs表面(NH4)2S/SiNx钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明,ECR-CVD淀积SiNx覆盖并在N2气氛中退火有助于改善GaAs表面硫钝化效果的稳定性。在此基础上形成了一套包括(NH4)2S处理、SiNxECR-CVD淀积及退火并与现有HBT工艺兼容的外基区表面钝化工艺,使发射区面积为4×10μm2的器件增益比钝化前提高了4倍,且60天内不退化。  相似文献   

14.
用国产的分子束外延设备生长出多量子阱激光器结构,在室温下,其宽接触阈电流密度为3000A/cm~2,质子轰击条形器件单管最佳阈值电流为128mA,单面连续输出功率可大于22mw,在一定注入范围内可单纵模工作,最高单面微分量子效率达34%,激射波长在8590~8640埃之间,远场光强分布呈单峰,在室温附近的特征温度T_o为202K.对外延材料和器件的初步研究表明,AlGaAs材料特别是掺杂的AlGaAs材料质量不理想是导致激光器阈电流密度不够低的可能原因.  相似文献   

15.
16.
本文讨论了用MIQ-156四极SIMS仪器对AlxGa(l-x)As中Si进行定量分析的实验方法,考察了测量结果的重复性及x变化时SiRSF的变化规律,在IMS-4fSIMS仪器上进行了对比测试,用Cs+源对(29)Si的原子检测限达到4×10(15)cm(-3).  相似文献   

17.
本文采用三角附近似,考虑了GaAs/AlxGa(1-)xAs二维电子气(2DEG)异质结中七种主要的散射机制,计算了2DEG电子迁移率与隔离层厚度(d)和Al组分(x)的关系,对GaAs/AlxGa(1-x)AS异质结的结构参数进行了优化分析.就作者所知,本文首次计算了2DEG电子迁移率与Al组分x的关系,得到了与实验规律一致的结果.  相似文献   

18.
GaAlAs/GaAs多量子阱激光器结构设计   总被引:1,自引:1,他引:1  
本文详细地讨论了多量子阱激光器材料的结构设计、量子阱结构对激射波长的影响以及波导限制层铝含量x值对光限制因子的影响.用由密度矩阵理论推导的线性光增益公式,计算了光增益.从受激阈值条件得到最佳阱数和最佳腔长.为多量子阱激光器材料结构设计提供了有效的方法.  相似文献   

19.
20.
MBE生长高质量GaAs/AlGaAs量子阱激光器   总被引:2,自引:4,他引:2  
我们利用分子束外延方法研制了GaAs/AlGaAs缓交折射率分别限制(GRIN-SCH)单量子阱和双量子阱激光器.对腔长为600μm的端面不镀膜的宽接触条型F-P腔激光器,阈值电流密度(平均值)分别为290A/cm2和240A/cm2.腔长在1200μm的双量子阱激光器的阈电流密度低达190A/cm2.对出光面和背面分别镀以增透膜和高反膜的宽接触条型(80μm).激光器,线性输出功率高达1.82W;出光面的斜率效率达到1.04W/A;利用湿法化学腐蚀所制备的脊形波导结构单量子阱激光器阈值电流最低可达8mA  相似文献   

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