InGaN基高压LED和传统大功率LED的发光效率比较

主要从三个不同角度探究并分析了基于In Ga N材料的高压LED的发光效率优于传统大功率LED的原因。为了保证实验结论的可靠性,文中所采用的实验样品具有相同的芯片尺寸和材料以及相同的封装结构。经过大量的实验证明,更均匀的电流分布和小芯片间隙的出光,使得高压LED的发光效率优于传统大功率LED。结果显示,在相同的1 W输入功率下,高压LED的发光效率比传统大功率LED高大约4.5%。     

交流LED与高压LED的特性实验研究

高压LED和交流LED都是通过串联数十颗LED来增大整体导通电压,结构上高压LED是交流LED的一种特殊形式。介绍了高压LED和交流LED的驱动电路模型,其共同点是皆有一个限流电阻与光源串联。通过调整限流电阻的阻值和改变光源所含LED个数与连接形式,分别对高压LED和交流LED的输出特性进行了测量。在两种光源所含LED数量和工作电流均相同的情况下,高压LED的发光效率和光通量要高于交流LED;并联式高压LED的发光效率低于串联式高压LED的发光效率,光通量则相反;验证了交流LED的发光效率与限流电阻无关。     

交流发光二极管光源的工作特性研究

为得到交流发光二极管(AC LED)内部晶粒参数与其工作特性的关系,讨论了ACLED光源的内部结构和应用电路模型,分析了AC LED光源的工作特性,给出AC LED发光效率的解析表达式,理论上说明了AC LED的发光效率低于单颗LED晶粒的电光转换效率,且光效随着LED晶粒串联数量的增加而提高,AC LED的光效与限流电阻无关,增加串联晶粒的个数可减小限流电阻的损耗。因此,AC LED制造过程中宜降低晶粒的导通电压,以增加晶粒个数。     

有机EL和LED与无机EL和LED发光机制的异同

比较了有机EL和LED与无机EL和LED的主要差异。有机EL属于电注入发光,无机EL属于高场激发下的碰撞离化机制,而且有机LED和无机LED的激发和发光机制也不同。无机半导体中往往存在着局域载流子,而有机LED必须从电极注入,在未注入载流子之前,它们是绝缘体。不能简单地用无机LED中的p-n结理论来解释有机LED的发光现象。     

无机钙钛矿白光LED及可见光通信研究进展（特邀）

在现代社会中,白光发光二极管（LED）在照明和显示背板等诸多领域都有着重要的基础性作用。为了获得具有优异性能的白光LED,首先需要获得满足白光LED发光需要的高性能的发光材料。而作为一类新兴的半导体材料,无机钙钛矿（CsPbX₃, X = Cl, Br, I）由于其具有的高发光量子产率、发光波长可调、色纯度高和稳定性好等优点,在发光应用特别是白光LED领域展现出了巨大的潜力。文中将首先分别从光致白光LED和电致白光LED两个方面出发,综述近期在基于无机钙钛矿的白光LED方面所取得的研究进展,随后分别介绍以上两个体系中改性后的无机钙钛矿发光材料与其他发光材料复合形成白光以及无机钙钛矿单组分白光的代表性成果。最后,对钙钛矿白光LED在可见光通信方面所取得的最新进展进行介绍,并且对白光LED以及可见光通信的研究发展趋势与挑战进行了总结和展望。     

标准CMOS工艺U型Si LED器件发光分析

描述了用于制备Si LED发光器件的Si材料的一些特性和Si发光器件的发光原理,分析了影响Si发光器件发光性能的主要因素.介绍了采用新加坡Charter公司的0.35 μm标准CMOS工艺最新设计和制备的U型Si LED发光器件,设计和制备此U型器件主要目的是尽可能大的提高侧面发光效率.在对器件进行了电学和光学特性的测量后,得到了Si LED发光及实际版图的显微图形以及器件的正反向Ⅰ-Ⅴ特性和发光光谱.器件在室温下反向偏王,50 mA电流下所得辐射亮度值为14.43 nW,发光峰值在772 nm处.     

高效率LED

京都大学野田教授和日本科学技术振兴会研究组联合开发了高效率LED。当前LED发光效率为20％，他们开发的LED发光效率理论上提高到100%。用此LED作为照明灯，将实现长寿命目体节能灯。     

基于激发光可调的超微弱发光探测系统

鉴于目前超微弱发光探测仪器的功能单一,设计了一种把激励光源与探测合为一体的,用于探测生物超微弱发光探测系统.激励光源由高亮度的LED阵列、光学系统构成,用可调恒流源调节LED发光强度.采用多重密封方法来降低系统噪声,将噪声控制在50cps之下.并对兰花叶片进行了生物超微弱延迟发光探测,取得了比较好的探测效果.     

功率型白光LED光源在照明中的技术探讨

结合目前LED白光生成技术,通过理论和实践研究对如何提高白光LED的发光效率、显色性做出全面的论述,进一步推进了功率型LED在照明应用中所要解决难点问题。     

InGaAlP LED发光特性分析

InGaAlP LED发光效率高，性能稳定，应用相当广泛。在InGaAlP LED的应用中，发光特性是相当重要的参数，而发光强度和半强度角是LED发光特性的两个主要参数。介绍了不同的InGaAlP LED芯片结构．分析了其发光特点及封装后的发光特性，讨论了不同的反射式支架结构对其发光特性产生的不同影响。     

超高亮度10W白光LED

<正> 随着半导体光电器件材料、结构设计、工艺及封装技术的发展,大功率白光 LED 的性能得到了快速发展。这不仅在单颗 LED的功率见长,并且在发光亮度、发光效率上及降低热阻上也有较大进展。本文介绍韩国首尔半导体公司推出的 Z-功率 LED 系列的 W724C0,它是一种超高亮度10W 冷白光 LED。它在2800mA 工作电流时,光通量为700lm(典型值)、900lm(最大值),发光效率可达70-90lm/W,这是目前发光亮度最大的10W     

LED背光灯板

<正> 液晶显示器(LCD)的最大优点是耗电极少,因此应用于大多数便携式电子产品中。但LCD有一个缺点,就是在黑暗的环境中不能进行显示。发光二极管(LED)背光灯板是与LCD显示配套的,它可以发出柔和的亮光在夜间照亮LCD显示器。 LED背光灯板的形状与尺寸因LCD显示板的形状及尺寸不同而各异。LED背光灯板基本上是长方形或长条形的。它有侧部发光及底部发光两种基本结构。侧部发光的结构主要用于狭长条形的背光灯板(一般长度大于2倍的宽度);而底部发光结构主要用于长度与宽度相差不多的背光灯板。 1.侧部发光结构 侧部发光的LED背光灯板的外形如图1(a)所示,其横剖面如图1(b)所示,图1(c)是底部的印制板,在印制板上焊了两排LED管芯,图1(d)为其电路图。发光二极管点亮时,光线射入透明有机玻璃2,使整个发光面都可以看到亮光,这称为边     

白光LED荧光粉远场涂覆光学性质

研究了白光LED远场隔离封装中隔离距离对发光效率及相关色温(CCT)的影响。实验结果表明,低电流输入条件下,白光LED的发光效率随芯片表面到荧光粉层距离变化是非线性的,当芯片表面到荧光粉层距离为0.88mm时具有最佳发光效率74lm/W,白光LED相关色温随着距离的增加呈线性下降。这为白光LED的一次光学设计提供了实验依据。     

采用线性恒流驱动方案发挥小功率LED在照明应用中的优势

小功率LED发光效率高、价格相对便宜、温度更均匀，用于LED照明领域有其独特的优势，但如果采用传统的开关电源方案，这些优势将大打折扣。     

LED单色平面光源并联支路中的电流均分

LED构成的半导体光源,在各个领域已被广泛应用。用LED单色光源在大学物理实验中取代传统的气体光源,也被不断的探索和尝试,并取得了有益的经验。为保证单色光源的发光阵列中每一支LED颜色一致,使LED光源具有良好的单色性,以满足物理实验的要求。必须控制并联方式的LED每路电流均等且保持不变,采用相应驱动电路可以达到这一目的。     

表面等离子波导改进LED发光效率的研究

设计了在氮化镓材料上淀积周期光栅银薄膜的结构,利用SPPs增强作用提高LED的发光效率。理论上建立了增强LED的内部发光效率、SPPs辐射匹配以及SPPs辐射衰减模型。实验结果表明:淀积银薄膜的LED结构由于SPPs的增强可以显著提高出光效率;出射光的偏振模式对LED出光效率没有影响;金属光栅的吸收率在占空比达到0.87左右达到峰值;SPPs的增强作用可以显著改善弱光致发光的发光效率和非线性过程。这一研究对于LED发光效率的改进具有明显的理论和实际意义。     

LED的原理、术语、性能及应用

介绍了发光二极管(LED)的构造与发光原理,对不同光谱的LED制备材料与发光原理进行了介绍,解释了与LED有关的一些术语及性能指标,如显色性、发光效率等,介绍了LED在照明、显示、电视、投影等方面的应用,重点介绍了LED作为背光源在液晶(LCD)电视中的应用。     

白光LED能量转换效率的研究

推导出了根据发光效能和光谱功率分布函数,计算了白光LED能量转换效率的公式,研究了1W白光LED能量转换效率与工作电流、环境温度和发光效能之间关系,并对荧光粉涂敷前后白光LED能量转换效率的变化进行了分析.研究结果表明,φ5、1W白光LED能量转换效率分别为22.67%和14.87%,1W白光LED的能量转换效率,随着工作电流、环境温度的增加而下降,能量转换效率与发光效能比值基本恒定,荧光粉涂敷前后白光LED能量转换效率从21.2%下降到15.11%,荧光粉能量转换效率约为93%.     

GaN基绿光LED材料蓝带发光对器件特性的影响

分析比较了在不同外延生长条件下GaN基高In组分绿光LED材料室温和低温10K下光致发光谱中蓝带发光峰,研究了外延结构中p型层蓝带峰发光特性对材料晶体质量和器件电光转换效率的影响.结果表明:通过优化p型层的外延生长条件,可有效降低和消除其蓝带发光峰较之多量子阱主峰的相对强度,有利于提高LED器件特别是高In组分绿光LED器件在同等注入电流条件下的发光功率.     

GaN基绿光LED材料蓝带发光对器件特性的影响

分析比较了在不同外延生长条件下GaN基高In组分绿光LED材料室温和低温10K下光致发光谱中蓝带发光峰,研究了外延结构中p型层蓝带峰发光特性对材料晶体质量和器件电光转换效率的影响.结果表明:通过优化p型层的外延生长条件,可有效降低和消除其蓝带发光峰较之多量子阱主峰的相对强度,有利于提高LED器件特别是高In组分绿光LED器件在同等注入电流条件下的发光功率.