彩色顺序制液晶显示器的快速液晶开关

本文中,研究制成了含有液晶材料异硫氰酸根二苯乙炔和异硫氰酸根三联苯的较高双折射(0.3<△n<0.4)和相对低粘性的液晶混合物。制作了用于顺序制彩色液晶显示器的扭曲相列式液晶薄盒(TN),盒厚为1.6μm,研究证明了其响应时间为1ms。     

IPS液晶取向膜表面光学各向异性D△的研究

针对共面转换IPS(In-Plane-Switching)液晶显示模式取向膜,利用反射椭偏消光法测量了取向膜表面的光学各向异性D△值.研究了在不同摩擦条件和亚胺化温度条件下,取向膜表面光学各向异性值D△值的变化.研究结果表明,随着亚胺化温度升高,D△值呈现下降趋势.在摩擦强度各因子中,压入量和转速对于D△值影响较大.D△值可作为一种定量化评价取向膜取向状态的方法,并可作为生产过程中对于液晶稳定性取向的管控方法使用.     

显示及光通讯用的高△n液晶

高双折射率（△n）液晶常用于彩色顺序式微显示、高亮度胆甾相显示、高对比度PDLC及高速光通讯。本文对△n＞0．4、光吸收弱、光和热稳定性好的液晶,从液晶分子结构进行评述。     

利用动态反射法对手性液晶Bragg反射的分析

利用动态反射法对手性液晶材料的选择性反射特性进行了分析。根据理论分析结果，利用MATLAB程序计算了手性液晶膜层的反射光谱，得到了反射光谱随手性液晶的螺距和折射率变化的关系；利用动态反射法可以较为方便、快速地对手性液晶膜的Bragg反射特性进行数值求解分析，分析和计算结果可以为反射式液晶显示的设计和计算提供理论参考。由于在数值求解中引入了简化条件，因此该计算方法只能应用于△n值较小的情况，当Δn值较大时，应该用其他求解方法来完成计算分析工作。     

低熔点高Δn值双环向列相液晶的合成研究

为了获得低熔点、折射率各向异性(Δn)大的快速响应向列相液晶材料,高Δn值的液晶混合体系中需要加入熔点在50℃以下、Δn大于0.35的双环类液晶组分,以使快速响应向列相液晶材料满足室温工作的要求。本文合成了异硫氰基含氟二苯乙炔类液晶化合物;一方面由于在分子苯环侧位引入F原子,减小分子间作用力,使化合物的熔点下降;另一方面在两个苯环间引入三键、分子末端接入异硫氰基极性基团,增加了分子的共轭性,提高了目标化合物的Δn值。获得了熔点分别为31℃和50℃、Δn为0.39和0.40,这两种低熔点化合物与目前已具有的毫秒级快速响应向列相液晶化合物混合,可使其熔点低至10℃以下。     

被动矩阵垂直配向液晶显示器光程差的表征与测量

在不加电场的情况下,被动矩阵垂直配向液晶显示器(PMVA-LCD)对于垂直入射光不产生相位延迟,故无法表征及测量其光程差.通过对PMVA-LCD透过率与电压关系的理论推导及模拟得出,在电压增大到一定值后,其透过率随电压增大而保持稳定,即此时光程差保持稳定,这一数值可用来表征PMVA-LCD的光程差.对实际样品进行测试,得到的结果与理论分析结果较为接近,之间的误差主要由白光的色散现象引起.根据此方法,可以方便地匹配液晶层的△nd值与C-plate补偿片的补偿值R,使得PMVA-LCD达到更好的显示效果.     

含氟双环NCS液晶的合成与性质研究

合成了两种具有氟取代的双苯环异硫氰酸酯(NCS)类液晶单体。通过与不含氟NCS单体的对比发现,随着氟原子个数的增加单体的熔点逐渐降低,Δn值也逐渐降低,其中二氟代双环NCS单体的Δn为0.20。单氟代NCS单体混入商品液晶时具有提高其响应速度的特性,而二氟代材料对于响应速度的提升不明显。实验结果表明,单氟代双环NCS液晶是一种具有较高Δn、低熔点、低黏度的快速响应液晶材料,在液晶空间光调制器件中具有一定的应用前景。     

膜补偿超扭曲液晶显示器件参数的最佳化

本文提出了一个用于庞加莱球(Poincare (?)phere)方法最佳化超扭曲液晶显示器件参数的线性条件,我们应用这个线性条件用庞加莱球方法对膜补偿超扭曲液晶盒的参数进行了最佳化,获得了极好的补偿效果。分别对△nd=0.7,0.8,0.9,1.0μm的液晶盒进行了最佳化,得到了最佳化液晶盒参数,讨论了液晶盒厚度对显示特性的影响,将最佳化参效应用到实际液晶盒中去得列了很好的显示特性。     

反式十氢萘类混合液晶物理性能的研究

反式十氢萘类化合物是一类应用前景广泛的液晶材料，能有效改善混合液晶配方的物理性能。依据近似加法规则，考察了A、B系列反式十氢萘类液晶的引入对配方性能的影响规律，结果显示，A系列反式十氢萘类液晶添加到混合液晶基础配方中，能同时改善配方的高温性能和低温性能，拓宽液晶相区间；B系列添加到基础配方中，能明显改善基础配方的低温性能。含氟B系列反式十氢萘类液晶添加到混合液晶配方中，能有效降低配方的△n、Vth、Vsat。     

偶氮侧链聚合物液晶薄膜光致双折射及其光存储实验

本文实验研究了偶氮侧链聚合物液晶薄膜（P-CN）的光致双折射和光存储性质。在连续 532nm激光作用下,该液晶薄膜（P-CN）表现出显著的光致双折射（△n～10-2）。基于光致双折射效应,实验中获得了长久的、高对比度的光信息记录。     

二苯乙炔基异硫氰酸酯的合成与液晶性质研究

通过先偶联后还原的方法合成了3种具有氟取代的二苯乙炔基异硫氰酸酯化合物。液晶性质测试表明,这些材料均具有较高的Δn值,且随着分子中π电子共轭长度增加而变大,最大可达0.576。将这些高Δn液晶化合物溶于商品炔类液晶材料,可提高其响应速度;其中苯基二苯乙炔基异硫氰酸酯对器件响应性能的提升幅度最大。实验结果表明,二苯乙炔基异硫氰酸酯是一种具有高Δn、低旋转黏度的快速液晶材料,在液晶空间光调制器件中具有一定的应用价值。     

基于分层色调映射的LED背光调制算法

为了在降低液晶显示器背光功耗的同时能够保持图像质量,提出了基于分层色调映射的LED背光调制算法.利用低通滤波对图像进行分层,通过亮度对数映射函数把低频部分映射到低动态范围,再与增益后的高频部分相结合为输出图像.将输出图像最大灰阶能够增加的数值作为LED背光因子降低值,采用动态背光缩放技术,降低背光强度值,并提高液晶透光...     

异硫氰酸酯类化合物在混合液晶中的应用

近些年来,液晶透镜技术得到了长足的进步和广泛的应用,尤其是在立体显示技术中。液晶透镜为了获得高的光学效率和快速的响应时间,要求使用的液晶混合物具有较大的折射率各向异性、较小的旋转黏度、较大的介电各向异性以及大的K值。文中将异硫氰酸酯类化合物引入到液晶透镜用混合液晶中,获得了具有大折射率各向异性,较大的K值、较小的旋转黏度的液晶混合物。     

负性液晶在FFS模式下的残像研究

图像残像是评价画面质量的最重要因素之一,大部分工程师研究了组合物的材料和液晶面板的制造工艺,以改善影像残留,但之前的研究主要是以正性液晶材料为基础进行探讨的,本文主要以负性液晶材料为基础研究了用边缘场驱动的面板残像。首先为了比较正性液晶与负性液晶,测量了离子密度及电压保持率(VHR),其次为了比较两种配向材料(PI)与液晶材料的搭配特性并选择合适的组合,量测了样品的直流残留(RDC)电压和Vcom电压随时间的变化。从量测结果可知,紫外(UV)光照前负性液晶离子密度是正性液晶的39倍,经过紫外光照,后负性液晶的离子密度为560Pc/cm,且其紫外光照后电压保持率变化量为2.7%;使用负性液晶搭配PI1的样品A-1的直流残留电压和Vcom(等效为交流驱动电压的中心值)随时间变化量都是最大的,分别为0.5V和250mV,负性液晶搭配PI2材料的面板和正性液晶的面板的直流残留电压均小于0.2V,其Vcom随时间变化量均在50mV以内。负性液晶材料的离子浓度含量高,且其稳定性比正性液晶材料差,负性液晶材料比正性液晶材料更容易发生残像;对于使用负性液晶材料,边缘场驱动模式的面板,搭配PI2配向膜材料能够保持低的直流残留电压及低的Vcom电压变化量,从而对改善残像现象有帮助。     

ITO薄膜电极激光损伤形貌的多重分形研究

液晶光学器件中液晶分子的转动由施加在ITO薄膜电极间的电场来控制,ITO晶体结构中空穴和自由电子与强激光的相互作用,使ITO薄膜电极成为液晶光学器件结构中激光损伤的薄弱环节.为探索ITO薄膜电极的激光损伤机制,使用原子力显微镜(AFM)对厚度约为10nm的ITO薄膜的表面形貌进行了测量.采用多重分形理论,定量分析了薄膜表面粗糙度及微孔洞分布情况,对薄膜在脉冲宽度为10ns,能量分别为50mJ、lOOmJ、200mJ激光辐照下所获得薄膜的表面粗糙度分布情况进行比较分析,结果显示,随着激光功率的增加,多重分形谱的谱宽△a呈增大趋势,且△f为负值,表明ITO.薄膜表面粗糙度增大并形成微孔洞缺陷.     

用静态和动态辐射等离子流处理基板上的液晶取向

在本文,我们介绍关于液晶取向的新成果,基板用阳极分层推进器(anode layer s thruster,ALT)产生的加速氩等离子体"层(sheet)"作倾斜处理.由有机的(聚合物)和无机的(玻璃,类金刚石(DLC),二氧化硅等)原材料做成的基板,用等离子体流在静态和动态(垂直于等离子体层方向单向变化)方式下进行处理.对于正性液晶(△ε＞0),在两种方式下观察到两种取向模式易取向轴限制在入射等离子层平面内(模式1)或垂直于这个平面(模式2).在第1种取向模式中,液晶的预倾角不等于零,并且随着等离子体束入射角和辐射量而变化,其均匀性在动态辐射中更好.随着辐射的增强,会发生模式1到模式2的转变.应用于垂面取向液晶显示器(VA LCD)的负性液晶混合物(△ε＜0),只有第1种模式(在整个基板上一致取向)被观察到,在辐射量低或高(正性液晶出现第2种取向模式时的相对高的辐射量)时都能出现.预倾角可高达30°,由等离子束的辐射量和入射角来控制.第2种模式在高辐射下出现,并且只在静态方式下,位于等离子层中心的、比较密集的区域,而第1种取向模式在其外围.模式1和模式2由狭窄的过渡区分开,该区呈现多畴液晶取向(二重简并).这些畴的易取向轴相对于模式1中取向方向大约偏转±45°.对于负性液晶,由模式1到二重简并到模式2转变的取向方式,与早期真空镀膜产生的取向非常相似.对于正性和负性两种液晶,我们实现了动态辐射下在15×15cm2基板上的均匀取向.     

kp值为15%的压电陶瓷的研制

陶瓷滤波器材料的k_p值需要从15％到75％形成系列。而低k_p值材料的Q_M值必须在3500以上,频率稳定度(△f/f)必须优于0.01％才有使用价值。为此,我们在k_p值为20％的材料基础上,进行了k_p值为15％的材料的研制。 k_p值为20％的材料的配方可以写作:     

液晶显示屏的热特性模拟及其热仿真软件的设计与开发

液晶的工作温度是液晶显示器的一项重要参数,为克服直接测量或解析计算求取液晶温度精确值的困难,利用ANSYS有限元软件对液晶显示屏进行了热特性分析,模拟计算出了稳态温度场分布,以及液晶层中心点的瞬态温度响应,经实验测量验证,模拟结果基本与试验值基本吻合,证明了模拟仿真的可行性.介绍了自行设计开发的液晶显示器仿真设计平台中的热分析模块,叙述了该热分析模块的设计思路以及计算的流程设计.     

TFT LCD用液晶显示材料进展

列举了一批近年来得到开发应用的TFTLCD显示用液晶材料，并分析了其发展趋势。TFT LCD要求液晶材料具备高电压保持率，低粘度，低双折射率等特性，而传统的液晶材料无法满足上述要求，含氟液晶、环己烷类液晶，乙烷类液晶因其极性较低，分子粘度低，电阻率高，电压保持率高，在FTFLCD中得到广泛应用，初步阐述了其分子结构与物理性能之间的关系，为为新型液晶分子设计及配方设计提供了线索。     

基于液晶移相器的相控阵天线低成本制造技术

液晶移相器可作为中低轨无线卫星中相控阵天线实现电控波束扫描的关键部件。本文提出了一种基于成熟面板技术的高精度、低成本液晶移相器可行的量产化制造方案。实现了低方块电阻（Rs<0.02）,高精度线宽线距（1μm厚铜CD/Space可达到3.5μm/8μm）,并支持多规格Cu膜层厚度（1μm～3μm）物理气相沉积制备,高精度液晶滴下工艺以及高对准、低插损FPC和IC邦定工艺等量产可行性方案。低液晶盒厚度（Cu-Cu间距4μm～6μm）的量产工艺相较于传统方案液晶用量大幅降低,成盒精度高,不仅降低了液晶相控阵天线的材料成本,亦可提高液晶移相器的响应速度,从而提升液晶相控阵天线的波束扫描速率等性能。