GaAs光阴极材料的液相外延

利用液相外延技术生长出了GaAs光阴极材料,并对外延后的材料进行了观察与分析,测试了外延层厚度的均匀性,外延层表面及内部的氧、碳污染以及外延层中载流子浓度的纵向分布情况。结果表明,用此法生长的外延层表面光亮、平整、界面清晰、平直、厚度均匀,载流子浓度达7.6×10~(16)cm~(-3),少子扩散长度达2.1μm。     

氧离子注入无定形GaAs的形成及其在外延中的应用

用能量为60kev而剂量不同的氧离子注入研究了GaAs无定形层的形成,并从光吸收法测量计算了形成无定形层所需的临界剂量和能量,分别为5×10~(14)O~+/cm~2和每原子38ev。用氧离子注入的GaAs衬底在MO-CVD反应器中进行了GaAs外延生长。发现随着离子注入造成的表面损伤密度的增加,外延单晶过渡到不生长晶核,这就为选择外延获得应用提供了可能性。     

MOCVD GaAs／Si外延层中层错的TEM研究

应用透射式电子显微镜观测了MOCVD GaAs/Si外延层中的层错。在双束动力学条件下用三种方法确定外延层中层错类型为本征型,其滑移矢量为R=1/6[211],并讨论了引起滑移的三种应力来源。     

LPE GaAs生长条件对外延层补偿度的影响

本文研究了 LPE GaAs 生长条件对外延层补偿度的影响。根据实验结果,指出衬底表面受热缺砷是形成 Si_(As)受主的原因。     

GaAs气相选择外延生长的研究

本文采用AsCl_3—Ga—H_2体系,研究了衬底晶面与窗壁方向、气相组分以及窗孔的几何形状、尺寸和深度等因素对GaAs气相选择外延生长表面形貌的影响。研究结果表明,如果在一定量HCl气的外延系统内进行选择外延生长,在衬底晶面为(001),窗壁方向为(100)时各种大小和深度的方形和长方形窗孔材料均有良好的表面形貌。已用掺Te法制得18GC平面型肖特基二极管用的选择外延材料,外延层的杂质浓度为1×10~(17)cm~(-3),V_B≥_4V,厚度为2～3μ。文中对GaAs选择外延生长过程中的若干问题也作了初步探讨。     

制备GaAs激光窗口材料的一种新型补偿掺杂剂

用氧化铬 (Cr2 O3)作补偿掺杂剂、LEC法生长的GaAs窗口晶体 ,容易满足高阻补偿条件 ,碳、硅两种主要的残余杂质得到有效抑制 ,获得低自由载流子光吸收的优质GaAs红外激光出口材料。补偿掺杂剂氧化铬 (Cr2 O3)剂量为 99 9999%Ga和 99 9999%As量的优选范围是0 0 1%～ 0 0 4% (质量分数 )。室温下的自由载流子浓度低于 5× 10 6 cm- 3,对光吸收系数的贡献可以忽略。轻掺氧化铬高阻GaAs晶体具有良好的红外透射特性 ;10 6μm处激光量热法测量的红外光吸收系数约为 1 4× 10 - 3cm- 1 。     

低压OMVPE法GaAs外延层表面缺陷

日本研究人员用 SEM 与 TEM 详细研究了低压OMVPE 法 GaAs 外延层的表面缺陷。外延层生长以GaAs 为基底,方向(100)±0.5°,生长温度630～650℃,Ⅴ/Ⅲ约20～100,生长压力0.1～76Torr 文章用 SEM 与 TEM 详细观测了表面缺陷的形状和内部构造。研究发现,低压 OMVPE 法 GaAs 外延层表面分布着从表面凸起的椭圆锥形缺陷,与氯化物 VPE 法GaAs 外延层表面的小丘类似。而且,在每个缺陷中心附近存在一个位错。这一现象表明,具有旋转成分的位错终端的缧旋生长导致了椭圆锥形表面缺陷的形     

Mo-CVD法制备GaAs和CdTe的特种材料研究

用Mo-CVD技术已研制了几种特种半导体材料,(1)注氧GaAs衬底上生长GaAs:根据注氧剂量的不同,已获得各种结晶的GaAs外延层。这种材料将在选择外延中起重要作用;(2)Mo/Si衬底上生长GaAs:由于面积大,价格低和结晶性能较好,GaAs/Mo/Si材料可能成为有前途的太阳电池材料;(3)在GaAs衬底上生长CdTe:CdTe/GaAs是一种复合材料,它有望代替CdTe单晶成为HgCdTe外延的代用衬底。这三种材料的电性和结晶性能已用C-V,I-V,S。E。M和电子衍射以及用x射线能谱进行了研究和测量。     

高频C-V和脉冲C-V法测试GaAs FET外延片结果差异的讨论

高频 C-V 法和脉冲 C-V 法在测试 GaAsFET 外延层的 N(x)曲线时结果是有差异的,本文对这些差异作了分析和解释。GaAs FET 外延片的理论浓度分布如图1所示。图中虚线代表一般情况下测得的     

MOCVD法在GaAs衬底上生长Hg1—xCdxTe和过渡层研究

用改进的 MOCVD 装置成功地在 GaAs 衬底上生长了 CdTe 过渡层,获得了适合于生长Hg_(1-x) Cd_xTe(CMT)的 CdTe/GaAs 复合衬底材料。所得 CMT 的 x 值可在0.2～0.8之间变化,其电学性质与 CdTe 过渡层厚度有一定关系,其红外透过率大于70%。     

砷化镓LPE法生长外延层厚度的数学模型

本文以实际测得的数据为依据,从实用的角度出发,探求影响GaAs液相外延层厚度的主要因素,提出了几种厚度的数学模型。并对(1)δ=a_0 a_1△t~(1/2),(2)δ=a_0 a_1△t a_2t~(1/2),(3)δ=a_0 a_1△t a_2t三种模型进行校验和比较。此三种模型相关指数大于0.85,剩余标准差约为3μ。     

φ50mm多层GaAs气相外延技术

介绍了自行设计制造的φ50～76mm GaAs气相外延系统特点,多层GaAs外延生长技术,微机控制程序,分析了外延材料的均匀性;报道了此类材料在多种GaAs MESFET和GaAs IC研制方面的应用结果。     

氯化物体系气相外延镓铟砷

本文报告用Ga/InAs/AsCl_3/H_2体系,在GaAs衬底上气相外延Ga_(1_x)In_xAs的结果。通过生长过渡层,降低晶格失配;用水平舟生长的InAs源,并适当选择生长参数,得到表面光洁、完整性较好的外延层。组份x值在0.25以内,最佳电性为:     

Si衬底上3C-SiC异质外延应力的消除

利用低压化学气相沉积方法在N型Si衬底上异质外延生长3C-SiC薄膜,研究和分析了不同碳化工艺和生长工艺对3C-SiC外延层的影响;探讨了Si衬底3C-SiC异质外延应力的消除机理.通过台阶仪和XRD对不同工艺条件下的外延层质量进行分析,得到最佳工艺条件的碳化温度为1000 ℃,碳化时间为5 min,生长温度为1200 ℃,生长速度为4 μm/h.对最佳工艺条件下得到的外延层的台阶仪分析表明外延层弯曲度仅为5μm/45 mm;而外延层的XRD和AFM分析表明,3 μm厚度外延层SiC(111)半高宽为0.15°,表面粗糙度为15.4nm,表明外延层结晶质量良好.     

电化学C-V法测量亚微米GaAs外延层的参数

本文叙述了电化学C-V法测量SI-GaAs和n~+-GaAs衬底上的单层和双层外延层中的载流子浓度分布及其厚度。测量和讨论了亚微米有源层、单层和多层结构中的界面过渡区的特性。     

MOCVD法生长Ga_(l-X)In_xAs_(l-y)Sb_y的物化研究

为更好地控制MOCVD Ⅲ-Ⅴ族锑化物的生长,改进外延层性质,本文用物理化学方法研究了Ga_(1-x)In_xAs_(1-y)Sb_y合金的生长过程。用热力学的“平衡模型”计算了铟和锑的分配系数及外延层固相组成与生长条件的关系,用化学动力学方法推导了当外延过程为物质扩散控制、化学反应控制及混合控制时的外延层生长速率公式,结果均符合实验规律。     

离子束外延生长（Ga,Mn,As）化合物

利用质量分离的低能双离子束外延技术,得到了（Ga,Mn,As）化合物。补底温度523K条件下生长的样品的俄歇电子谱表明,一部分锰淀积在GaAs的表面形成一层厚度约为30nm的外延层,另一部分锰离子成功注入到GaAs基底里,注入深度约为160nm。补底温度为523K时获得了Ga5.2Mn相,补底温度为673K时获得了Ga5.2Mn、Ga5Mn8和Mn3Ga相。在1113K条件下对673K生长的样品进行退火,退火后样品中原有的Mn3Ga消失,Ga5Mn8峰减弱趋于消失,Ga5.2Mn仍然存在而且结晶更好,并出现Mn2As新相。     

帘线钢盘条生产中表面氧化铁皮的控制

通过加热实验、轧制实验、冷却实验及温度场模拟的研究,分析线材表面氧化铁皮与各影响因素间的对应关系,进而改进生产工艺,使帘线钢表面氧化层平均厚度减小52%左右,稳定在6.0μm左右,最大厚度≤10.0μm,取得良好的效果.     

用于MESFET的GaAs多层气相外延的研究

用AsCl_3-Ga-H_2体系生长GaAs气相多层外延材料。研究了一些生长参数对缓冲层中Ec-0.82eV深中心密度n_T的影响,讨论有源层和缓冲层之间的界面特性以及有关在微波器件中的应用。     

MBE法InAs异质外延

用 MBE 法实现了无孪晶 InAs 外廷生长、基底为 GaAs(111)B,取向偏差0.5°。外延层厚2μm,其 X 射线回摆曲线的半高宽为200弧秒。在 InAs 生长过程中,其反射式高能电子衍射(RHEED)图形为条纹,无额外斑点出现。而生长