含乙烯基的聚碳硅烷的合成

利用聚碳硅烷与甲基乙烯基硅氮烷共混热聚反应 ,制得了含乙烯基的聚碳硅烷。分析了甲基乙烯基硅氮烷的结构 ,讨论了两者共热聚的反应过程 ,研究了制备条件对产物性能的影响。通过熔融纺丝制得了含不同乙烯基的适于电子束辐照的聚碳硅烷纤维。     

硅烷接枝交联聚乙烯的研究

用不同结构的乙烯基硅烷与聚乙烯进行熔融接枝及水解缩合交联反应，通过对 支物的结构表征，交联行为以及交联前后结晶性质，高温应力－应变曲线的测定，研究了不同结构的乙烯基硅烷对硅与聚乙烯的接枝反应和交联反应的影响。     

聚碳硅烷强化辐射交联的研究

合成了不同乙烯基含量的聚碳硅烷,研究了共Ｈｅ气氛条件下的电子束辐射交联不熔化处理,分析了含乙烯基聚碳硅烷纤维在辐照过程中的结构变化,结果表明,乙烯基起到强化聚碳硅烷辐射交联的作用,完成不熔体所需剂量显著降低。     

Al2O3—SiO2—TiO2薄膜的表面改性——偶联剂反应

用乙烯基三乙氧基硅烷对Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＴｉＯ２陶瓷薄膜作表面改性。乙烯基三乙氧基硅烷通过乙氧基与薄膜表面的羟基反应而结合于薄膜表面。表面基团含量随处理时间延长而线性增加,提高温度和有机物浓度都使表面基团的含量提高。偶联剂在复合薄膜表面枝接后以单体形式存在,互不交联。     

取代基对有机硅化合物等离子体聚合规律的影响EI

在外部电容耦合的辉光放电装置中进行了三乙氧基乙基硅烷、三乙氧基乙烯基硅烷和三甲基乙烯基硅烷的聚合。研究了体系压力、放电功率、等离子气体(N_2、Ar)及基片距离对淀积速率的影响,重点讨论了取代基的影响。并用元素分析、红外光谱和热重分析等方法研究了聚合物的结构与性能。     

取代基对有机硅化合物等离子体聚合规律的影响

在外部电容耦合的辉光放电装置中进行了三乙氧基乙基硅烷、三乙氧基乙烯基硅烷和三甲基乙烯基硅烷的聚合。研究了体系压力、放电功率、等离子气体(N_2、Ar)及基片距离对淀积速率的影响,重点讨论了取代基的影响。并用元素分析、红外光谱和热重分析等方法研究了聚合物的结构与性能。     

乙烯基笼型倍半硅氧烷的合成及表征

分别采用乙烯基三甲氧基硅烷和乙烯基三乙氧基硅烷为原料,盐酸作为催化剂,通过水解缩合反应合成了乙烯基笼型倍半硅氧烷,探讨了温度、盐酸和去离子水的配比、溶剂用量和聚合时间对实验产率的影响。并通过红外和核磁共振氢谱/碳谱等手段对产物进行了表征。结果表明:合成的化合物为乙烯基笼型倍半硅氧烷。同时,热失重分析表明,失重5%对应的温度在244.1℃,说明产物的热稳定性很高。     

不同分子量的陶瓷前驱体聚硅氮烷的结构与性能的研究

以甲基氢二氯硅烷、甲基乙烯基二氯硅烷为原料,采用氨解反应以及热聚合反应合成了一系列乙烯基氢基甲基聚硅氮烷(PSZ135-170),其数均分子量(Mn)在2.9×103~1.9×105之间,单位浓度聚合物的粘度(ηred)在0.06~0.49mL/g之间。通过FTIR和1H NMR对聚硅氮烷结构进行了表征,该系列聚硅氮烷具有无定型结构,可溶解于正己烷、甲苯、乙酸乙酯、二氯甲烷和N,N-二甲基甲酰胺等常用有机溶剂中,通过TGA分析了该系列聚硅氮烷的热性能,发现随着聚硅氮烷分子量的增加,在N2中25~700℃热解后剩余物的百分含量逐渐升高,最高可达72.58%。     

乙烯基三(2,2,2-三氟)乙氧基硅烷的合成研究

以乙烯基三氯硅烷和三氟乙醇为原料,二氯甲烷为溶剂合成了乙烯基三(2,2,2-三氟)乙氧基硅烷。考察了原料配比、溶剂用量、Ar2流量、三氟乙醇滴加速度、温度、反应时间等因素对产物收率的影响,确定了最佳合成条件。并运用FT-IR、1 H-NMR、13 CNMR对产物结构进行了表征。     

嵌段共聚物偶联剂的合成及其胶束化行为

采用阴离子聚合反应合成了可作为纤维增强聚合物复合材料界面改性偶联剂的苯乙烯/丁二烯/乙烯基三乙氧基硅烷及苯乙烯/异戊二烯/乙烯基三乙氧基硅烷嵌段共聚物,通过傅立叶红外光谱(FT-IR)、核磁共振氢谱(1H-NM R)等分析手段对合成产物进行了表征,并采用透射电镜(TEM)、动态激光光散射(DLLS)等技术研究了嵌段共聚物在溶剂中的组装行为。结果表明,反应合成了预定结构的嵌段共聚物偶联剂,该共聚物在选择性溶剂中能形成以可溶性链段为壳、难溶性链段为核的胶束结构,胶束的粒径与共聚物分子链及各嵌段的长度有关。