第七届国际晶体生长会议(ICCG—Ⅶ)概况(二)

三、本届会议讨论的主要技术问题 第七届国际晶体生长会议内容极其广泛,涉及的技术问题很多,资料也很丰富,但会议期间短,而且分数个会场同时进行交流,每天仅大字报展讲就80多篇,听技术报告就看不了大字报,两者不能兼顾,现仅把我们在这届会议上捕获到的并认为较突出的问题扼要介绍如下: 1.理论研究     

第七届国际晶体生长会议和西德晶体生长技术研究概况

电子工业部晶体生长技术小组于1983年9月11～16日参加了在西德Stuttgart举行的第七届国际晶体生长会议(ICCG-7)。会后在西德七个城市参观考察了12个与晶体生长技术有关的大学、研究所和公司研究实验室。本刊约请小组成员张英侠、吴仰贤同志分别撰写了有关激光晶体和红外碲镉汞晶体方面的考察报告,同期刊出。     

第七届电子封装技术国际会议(通知)

自1994年以来,两年一届的电了封装技术国际会议(ICEPT)分别在中国北京、上海和深圳等地顺利召 开。作为唯一同中国政府,权威机构,业内主导所组织和支持的电子封装技术会议,每届都吸引了大批的国内 外高校、研究机构、封装组装制造厂商、封装测试组装设备厂商、封装组装材料厂商踊跃参加,人数每次都超 过400位,包括来自近20个国家和地区的国外专家、学者和企业家等。会议议题主要集中在封装设计、封装 制造、封装测试、以及光电了封装、MEMS封装、系统及组装等领域。这是唯一由中国政府和相关业界发起 的国内最高水平、最大规模的关于电…     

第七届电子封装技术国际会议(通知)

自1994年以来,两年一届的电子封装技术国际会议(ICEPT)分别在中国北京、上海和深圳等地顺利召开。作为唯一由中国政府,权威机构,业内主导所组织和支持的电子封装技术会议,每届都吸引了大批的国内外高校、研究机构、封装组装制造厂商、封装测试组装设备厂商、封装组装材料厂商踊跃参加,人数每次都超过400位,包括来自近20个国家和地区的国外专家、学者和企业家等。会议议题主要集中在封装设计、封装制造、封装测试、以及光电子封装、MEMS封装、系统及组装等领域。这是唯一由中国政府和相关业界发起的国内最高水平、最大规模的关于电子封装…     

第十届国际广播会议概况

国际广播会议(IBC)第10届年会于1984年9月21日至25日在英国布赖顿召开,这是由EEA、IEEE和SMPTE等6个技术工程协会联合发起的二年一度的例会。     

第七届国际晶体生长会议中关于碲镉汞晶体研究的情况

一、会议议题与红外材料关系密切随着红外技术的发展,红外材料也越来越引起人们的重视,特别是HgCdTe这类材料的发展,以及它本身的特性,已成为举世注目的第三代半导体材料。这次会议专门一项内容就是讨论混晶、固溶体和合金的。专门邀请美国Honeywell公司J.L.Schmit到会报告“碲镉汞的生长、性质和应用”。此外,还有西德Telefunkeng公司H.Zimmermann的“热壁技术生长HgTe、CdTe和HgCdTe薄膜”,美国H.Wiedemeier等的“CVT生长碲镉     

第19届国际半导体物理会议概况

<正> 一、概况 第19届国际半导体物理会议于1988年8月15日至19日在波兰华沙举行。由于这次会议选在华沙,所以苏联及东欧国家参加的人数占了总人数的49％,而美国的人数减少,在一定程度上影响了这次会议的学术水平。参加会议的人数据统计为33国853人,其中波兰231人,波兰以外国家共622人。我国从国内来的代表为13人,台湾省1人,加上在国外的学者、留学生共有20余人。送交会议的论文摘要共约900篇,其中约400篇被接受作为口头或张贴报告。会议安排了4篇全体会议报告,27篇邀请报告,144篇口头报告和245篇张贴报告。我国在会上     

第三届红外物理国际会议概况

会议概况第三届红外物理国际会议于1984年7月23日至27日在瑞士苏黎世召开。本届会议是由瑞士物理学会主办,得到瑞士国家科学基金会、瑞士联邦政府等单位赞助。会议由瑞士苏黎世联邦高等工学院(苏黎世高工、BTH)量子电子学与光谱学组组织,并由该校的F.F.Kne-Ub(?)hl教授任会议主席。出席这次会议的有24个国家323名代表,会议特邀28篇综述报告(其中12篇大会交流,16篇分组交流,分四个组,每篇报告时间45分钟);会议录取论文(confributed paper)172篇,在分组会议(分四组)上宣读交流,每篇15分钟,另外还     

第五届国际气相生长和外延会议和美国第五届晶体生长会议简讯

<正> 今年7月 19日-24日在美国召开了第五届国际气相生长和外延会议美国第五届晶体生长会议.会议交流了体单晶和薄膜生长的实验和理论研究,其中着重交流了各国在半导体材料,如硅、Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物的晶体生长理论,工艺和特性等方面的研究情况. 参加会议的代表来自十六个国家,共400多人,我国有四人参加.会议上宣读的论文     

第七届电子封装技术国际会议

自1994年以来，两年一届的电子封装技术国际会议（ICEPT）分别在中国北京、上海和深圳等地成功召开过六届。作为唯一由中国政府、权威机构、业内主导所组织和支持的电子封装技术会议，每届都吸引了大批的国内外高校、研究机构、封装组装制造厂商、封装测试组装设备厂商、封装组装材料厂商踊跃参加，人数每次都超过400位，包括来自近20个国家和地区的国外专家、学者和企业家等。     

第七届电子封装技术国际会议

时间:2006年8月26-29日地点:中国·上海·龙东商务酒店自1994年以来,两年一届的电子封装技术国际会议(ICEPT)分别在中国北京、上海和深圳等地顺利召开。作为由中国政府,权威机构,业内主导所组织和支持的电子封装技术会议,每届都吸引了大批的国内外高校、研     

第七届国际量子电子学会议报道

第七届国际量子电子学会议包含了整个激光技术的范围,从热核聚变到室温半导体,其10毫瓦连续输出能持续100个小时。1100名以上的参加者在蒙特利尔四天的会议上听取了从提出的369篇中选出的190篇论文,参观了27个商业展览会。     

半导体材料的晶体生长——第五届国际气相生长和外延会议/第五届美国晶体生长会议介绍—

<正>1981年7月在美国加利福尼亚州圣地亚哥召开了第五届国际气相生长和外延会议/第五届美国晶体生长会议(ICVGE—5/ACCG—5).参加会议的代表来自近20个国家,共400多人.会议上宣读的论文有200多篇,我国被接受宣读的论文有5篇,其中一篇为特约报告.会议论文可归纳为七个方面:1.晶体生长理论,2.熔体和溶液生长,3.气相外延,4.分子束外延,5.波相外延,6.特性和测试,7.新工艺和新材料.     

美国第六届晶体生长会议及第六届国际汽相生长和外延会议

<正> 由美国晶体生长学会主办的美国第六届晶体生长会议及第六届国际汽相生长和外延会议于1984年7月15日至20日在美国新泽西州大西洋城召开。参加会议的代表400余人,提交论文211篇。其中美国119篇,日本16篇,中国14篇(其中包含台湾4篇),联邦德国9篇,加拿大5篇,英国4篇,民主德国1篇。 会议期间进行了论文评选,图片展览与评选,小型设备与仪器展览。 会议内容十分丰富,主要包含半导体材料、非线性光学材料、激光材料(KDP和DKDP)和高温材料的研究进展,反映了当前电子材料在晶体生长和外延生长方面实验与理论研究的最新成果。现就半导体材料方面几个感兴趣的问题介绍如下:     

第13届国际红外与毫米波会议概况

国际红外与毫米波会议每年举行一次。1988年12月5-9日在美国夏威夷举行。共收录论文236篇,与会代表300人来自世界各国。我国学者论文占20篇。会议由组织委员会主席K. J. Button主持。组织委员会由程序会议与12位顾问组成,聘自美、法、中、日,意及瑞士等国教授。本文作者受聘为顾问,并担任分组主席。     

第七届集成光学与光纤通信国际会议(IOOC′89)报导

<正> 第七届集成光学与光纤通信国际会议于1989年7月18日至21日在日本神户举行。参加会议的正式代表有947人,他们分别来自23个国家和地区,其中日本664人,美国121人,西德28人,中国共有11人参加(含台湾5人)、香港4人。第一届IOOC国际会议于1977年在东京举行。每两年一次,第七届IOOC′89是第三次在亚洲举行。本届会议的组织委员会主席是日本著名光电子专家、东京工业大学的末松安睛教授。会议学术论文共261篇,来自19个国家(宣读182篇,张贴79篇),特约报告50篇。学术报告分4个分会场进行。两个专题研讨会: 1.弧子传输, 2.光子交换。两个专题小组座谈会: 1.B-ISDN系统, 2.高速调制。六个专题分会: 1.稀土掺杂光纤;     

1985年光纤通讯和第三届国际光纤传感器(OFC/OFS’85)会议概况(一)

1985年光纤通讯和第三届国际光纤传感器会议,于2月11—14日联程在美国圣地亚哥市的城乡旅馆召开.我国由电子工业部科技司高启锦、第十三研究所张希源、第二十三研究所钱祖清、第二十六研究所高希才、第四十四研究所王家齐及成都电讯工程学院杨淑雯等六人组成的代表团应邀出席了会议.下面将简要地介绍这     

第十九届国际半导体设备和材料会议概况

<正> 一、前言中国科协应国际半导体设备和材料会议执行主席的邀请于今年五月下旬组团出席这次会议(SEMICON/West89)。这次国际会议在美国硅谷地区的圣马涕尔城召开。会议期间还组织了半导体设备和材料的展览。这次展览会是一九七一年创办以来历届规模最大的一次,拥有2300个展室,美国、西欧、日本、南朝鲜、中国台湾等1200多个厂家参加展出,吸引了全世界五万多位专家和商界人事出席会议和参观展出。会议期间进行了三天技术研讨会,主要内容涉及整个集成电路领域的新技术研究和开发。会上还讨论了国际半导体设备和材料的标准化问题。