开拓超高真空的世界(一)——支撑高技术的基础

本刊从本期将连载日本著名真空科学家小宫宗治先生于1985年在日本正式出版的科普图书—开拓超高真空的世界,全书共分10个部分.小宫宗治先生深入浅出地全面介绍了超高真空技术与高技术发展的关系,其中有不少内容还属于80年代以来的新的研究成果.在真空科普书籍为数甚少的今天,我们约请复旦大学物理系的姜祥祺、杨锡良同志全文译出这本书,以此奉献给许许多多关心本刊的年轻的读者.本刊在刊登这本译著的时候,仅仅在个别地方略有岀节.     

开拓超高真空的世界(三)——支撑高技术的基础

什么是离子镀膜?世界上创新的发明,大致都是这样开始的:用略有疑问的眼光去看待那些作为常识的毫无疑问的现象。离子镀膜的情况就是如此。位于沙漠地区的美国新墨西哥卅的阿鲁巴夸克建有一个圣地亚研究所。1964年,该研究所的马托克斯工程师想到这样一个问题:迄今为止的真空蒸镀都是在低于10~(-3)帕的真空条件下进行的,若在压力高于10~(-1)帕的等离子体中试一试,其结果将会如何呢?等离子体就是气体分子、电子和离子的混合态。第二章中,朗谬尔就是这样定义的。他     

开拓超高真空的世界（四）：支撑高技术的基础

七、超高真空(一) 清洁真空的获得清洁真空与超高真空技术本章将要介绍清洁真空的获得问题,它与镀膜技术略有偏离。在超大规模集成电路制作中所要求的镀膜技术必然是生长清洁的薄膜,其不可缺少的条件是清洁真空的获得。清洁真空的获得离不开超高真空技术。清洁真空为什么是必要的?迄今为止,只是偶而提及,下面重新加以说明。无论是真空蒸发还是真空溅射,在基底上每平方厘米的面积上,每秒总有10~(15)个原子堆     

开拓超高真空的世界（五）：支撑高技术的基础

九、不断发展的等离子体离子束应用技术现代半导体工厂第六章介绍了等离子加工中的溅射镀膜技术。第七、第八章介绍了作为清洁真空的基础的超高真空技术,并以表面科学和分子束外延为例说明了超高真空技术的应用。超高真空技术不仅仅是高技术,而且也是不断应用于实际的技术。这一章将介绍半导体工厂的超大规模集成电路生产中使用的硅片刻蚀工艺。超大规模集成电路的制造工序十分复杂,往往需要反复使用多种半导体制造装置才能完     

超高真空实验中的传动装置(二)

三、高温、真空中的传动装置1.装置本讲以日本原子能研究所研制的现场移动式镀膜装置的样机作为具体实例。现场移动式镀膜装置是为临界等离子体试验装置(JT60)的真空容器而专门研制的。可以随时对已损坏的第一璧上的碳化钛膜进行现场镀制。第一璧基底材料由钼以及耐蚀的因科镍尔合金625构成。为防止表面杂物混入等离子体中,表面镀有一层厚20微米的碳化钛膜。碳化钛膜会由于与等离子体的相互作用而逐渐被磨损。在两年内,所有碳化钛膜几乎全被剥     

超高真空实验中的传动装置(一)

为了适应新技术革命和高技术发展的需要,日文“真空”杂志从1987年第8期开始刊登真空技术讲座.这个讲座着重向读者介绍在一些专门领域内真空技术在近十年内所取得的进展、与传统的只介绍基本知识的真空技术讲座截然不同.本刊从本期起将陆续刊登出这个讲座的各讲的译文.刊登时本刊略有删节.     

真空击穿(二)

第二章真空击穿的引发机制真空中相距较近的电极之间,施以高电压,常会出现极间电流。开始时为微弱的预击穿电流;随着极间电压的升高,电流迅速增长;电压超过阈值时即发生真空击穿。击穿时,极间绝缘性能全部被破坏,极间电流可逾数千安。对于真空击穿的引发机制,依据电极的间距大小与表面状态等因素提出过各种解释,公认的主要有:(1)场发射现象,(2)微放电现象,(3)微粒现象。     

低能电子衍射(LEED)仪的超高真空系统

低能电子衍射(LEED)仪是一种基本的表面仪器。它可以对绝大多数单晶物质的表面结构进行非破坏性的测定。到目前为止,所得到的绝大多数表面结构信息是用LEED获得的。LEED要求分析室内真空度为10～(-10)托量级[1]。这是因为 LEED是测定清洁的单晶表面结构。以及表面重构和表面上吸附气体形成的新结构。无论是哪一种,在测定时,都要求分析室内的残余气体在样品表面上的吸附,不要明显地影响所测定的结果。还因为,在有的测定中,在样品退火处理时。就要求分析室内的真空度优于5 × 10～(-9)托[2]。总之,LEED仪对真空度的要求。在表面仪器中…     

真空名词术语简介(二)

真空镀膜技术真空镀膜就是在真空环境下,采用各种物理、化学的方法使待镀材料呈原子、分子、离子或粒子团等状态沉积到某一固体(称为基板或衬底)表面上凝聚成膜的一种过程。真空镀膜是一种最重要的薄膜制造技术。它能镀制薄膜的材料最为广泛,又能在各种各样固体的表面上生长成表面粘附良好的薄膜。制得的薄膜纯度高,薄膜的组分、生长速率和厚度在镀制过程中可进行控制,以及应用最为广泛。真空蒸发和溅射现象早在1857年和1902年分别由法拉第(Faraday)和戈德斯坦(Gol-     

真空冶金装置(二)——第二讲 真空电子束炉

电子束熔炼的设想于1907年提出,直到1954年才显出它的重要性。它既能使液态金属在真空下充分脱气,又没有坩埚材料的污染。其优点主要有:熔炼速度可在大范围内调节,功率密度高且易控制,熔池表面温度高,因而可熔炼难熔金属,适用于任何形状的原料(如棒、块、屑、板等),易于精确控制熔料的化学组分,得到一定性能要求的稀有难熔和高纯金属材料。电子束对熔料的扫描还有搅拌作用,有利于合金化与去除杂质。     

真空事故预防手册(二)

第三章电气方面的注意事项无论何时何地只要是使用电力和电子设备,就处在一种潜在的危险状态。当用真空设备工作时,尤其是这样,因为许多电气接头必须带有引到法兰和压制的玻璃导线管座上引线的夹持引线头。这就是说:带电裸线位于偶然能触碰到的地方。因此,工作人员在真空系统周围工作或在准备某项真空工艺工序时必须极度小心。电气故障可能造成人身伤亡、设备损     

超高真空的获得

超高真空技术是从1950年BA型电离真空计的发明以后迅速发展起来的。现代科学技术的发展对超高真空技术是一个很大的促进。本文将向读者简要地介绍某些超高真空获得的主要手段和现状(同时介绍一些我在国外进行考察的印象和体会)。     

“超高真空的物理基础”一书简介

由 P.A.Redhead、J.P.Hobson和E.V. Kornelsen三人合写的“The PhysicalBas-isofUltrahighVacuum” (“超高真空的物理基础”)一书,是关于超高真空基础理论的一本好书。 超高真空技术是发展高能物理、空间技术、表面科学、薄膜工艺、电子器件等科学技术的必不可少的手段。因此,自六十年代 起,为了适应上述这些科学技术的发展,超 高真空技术和理论也取得了迅速的发展。为 了进一步发展超高真空技术,必须对超高真 空的基础理论作深入的、系统的研究。为 此,作者结合自己的研究成果,综述有关超高真空基础理论方面的文献,写成了本书。 本…     

MIDI技术基础(二)

3.3.MIDI通道模式信息(Channel ModeMessages) 当一台电子合成器从MIDI IN接收到通道声音信息后,可以按几种不同的方式把这些信息转化成声音。通道模式信息被用来通知接收设备按何种方式对通道声音信息做出反应,也就是怎样把通道声音信息转化为声音。另外,通道模式信息还包含了一些其它控制命令。通     

二维码世界的精彩(二)

正(上接第三期)4.数据防伪。二维码的数据防伪功能,也越来越多地被应用于我们的生活当中。对于产品防伪,目前普遍采用的方法是:将二维码防伪系统加密生成的产品信息二维码,印刷或标贴于商品包装上,消费者购买产品后,可通过官方网站或指定手机软件进行解码,即可验证产品真伪,获得详尽的信息。目前的二维码演唱会门票,新版火车票、以及国航的登机票上的二维码,都用了二维码的加密功能,经过手机识别后,是一串加密的     

真空冷冻干燥的现状与展望(二)

本文从真空冷冻干燥的理论、设备、工艺和应用几个方面介绍其发展的历史和现状,讨论未来的发展趋势.现代真空冷冻干燥理论研究的重点是微纳尺度和超常传热传质;设备的发展方向是连续式冻干设备和过程控制的自动化;工艺研究重点应该是被冻干物料的热物性参数和冻干保护剂;应用前景在于生物材料,金属及陶瓷微粉的工业化生产.     

超高真空射频磁控溅射镀膜机(双室三靶)及其应用

本文介绍了 JGP- 4 2 0型超高真空射频磁控溅射镀膜机的设计思想和研制过程 ,并讨论了在该机上进行硅片上沉积 Pt和 Si O2 膜层的实验情况。此文仅为此类机器及其工艺的发展提供一定的借鉴