锑掺杂二氧化锡纳米粉体的制备及性能

以SnCl4·5H2O和SbCl3为主要原料,采用化学共沉淀法制得了纳米级的高导电性能的锑掺杂二氧化锡(ATO)超细粉体.研究了制备工艺对ATO粉体粒径和导电性能的影响,并探讨其影响机理,得到最佳工艺参数.运用热重-差热(TG-DTA)、X-射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)等测试方法对ATO粉体进行表征,并将试验产品与国内市场的同类产品性能进行了对比.     

掺锑氧化锡纳米粉体的制备与表征

以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,NH3为共沉淀剂,在表面活性剂存在下,采用室温固相法制备锑掺杂二氧化锡(ATO)纳米粉体。探讨了掺锑量、表面活性剂对ATO粉体性能的影响。运用IR、XRD、TEM、比表面仪(BET)等对ATO粉体进行了表征。结果表明,当锑掺杂量为12.3%时,ATO纳米粉体具有最小电阻率,为3.36Ω·cm,ATO粉体为四方晶红石结构,颗粒形状为近似球形,粒度均匀,一次粒径为10 nm左右。     

制备工艺对ATO纳米棒形貌结构的影响

以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,采用化学共沉淀法成功制备了高含量棒状纳米级掺锑二氧化锡(ATO)导电粉体,研究了掺锑量、热处理温度及热处理时间对纳米棒形貌结构的影响。初步探讨了ATO纳米棒的形成机理,并用热重分析(TG)、透射电镜(TEM)、X-射线衍射(XRD)、比表面法(BET)对棒结构进行了表征。     

水热法合成ATO纳米粉体的研究

以SnCl4·5H2O和SbCl3为锡源和锑源,采用水热法制备锑掺杂氧化锡（ATO）纳米粉体,分析了锑掺杂量、水热时间、水热温度对ATO纳米粉体的影响。研究结果表明：在180℃的温度下水热反应16 h后,Sb元素全部固溶进SnO2的晶格,且分布比较均匀,ATO颗粒径在10 nm左右;粉体的晶粒径随锑掺杂量的增加而逐渐减小,但随水热时间的延长而逐渐增大;随着水热温度的升高,所得粉体由无定形向晶形转变,粉体的结晶性变好。     

热处理温度对Sb:SnO2导电粉结构和性能的影响

SnO2超细粉用作透明导电膜和导电涂料具有广阔的应用前景.以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,采用共沉淀法制得了纳米级的SnO2超细粉.运用差热-失重分析(DSC-TG)、X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和紫外光谱分析(UV)等观测手段对微粉末进行了表征,比较系统地研究了热处理温度对粉末颗粒度和电阻的影响规律,探讨了Sb:SnO2导电粉的显色特性.     

Sb-SnO2/BaSO4导电粉末的制备与表征

以重晶石粉为基体,采用化学共沉淀技术制得表面包覆掺锑氧化锡的Sb-SnO2/BaSO4导电粉末.用差热/热重分析前驱体的热处理特性.用X射线衍射表征样品的结构.系统研究水解pH值和温度、SnCl4·5H2O/SbCl3摩尔比、SnCl4·5H2O用量和焙烧制度对导电粉末电阻率的影响规律.产物的电阻率为13Ω·cm、平均粒径为3 4μm,具有广泛的应用前景.探讨了锑掺杂氧化锡的缺陷与能级效应,确定了导电粉末中掺杂效应的缺陷反应.这种方法为矿物基功能材料的低成本制备提供了新的思路.     

纳米锑掺杂氧化锡的制备及表征(英文)

以无机盐SnCl4·5H2O和SbCl3为初始原料,以乙醇作为溶剂,采用溶胶-凝胶法结合超临界流体干燥(supercritical fluid drying,SCFD)技术制备了纳米锑掺杂氧化锡(antimony doped tin oxide.ATO)粉体.通过热重-差示扫描热分析、X射线衍射、扫描电子显微镜、透射电镜,对前驱体粒子以及ATO粒子的结构进行了分析.探讨了热处理温度、前驱体千燥方式对前驱体以及纳米粒子的形貌、粒径、分散性、晶型、结晶度的影响,并讨论了SCFD技术干燥前驱体的机理.结果表明:采用溶胶-凝胶法结合超临界CO2干燥技术,在给定的反应条件下,能够制得疏松的、良好掺杂的四方型结构的纳米ATO粒子,粒径约15～30nm,分散性好.     

热处理对掺锑二氧化锡纳米棒结构和导电性能的影响

以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,采用化学共沉淀法制得纳米级掺锑二氧化锡(ATO)的前驱物,在一定条件下热处理,成功制备了直径为10～30nm,长为50～500nm的金红石结构的ATO纳米棒.运用热重分析(TGA)、X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)及比表面仪(BET法)对纳米棒进行了表征,初步探讨了其形成机理,较系统地研究了热处理温度及热处理时间对粉体形貌结构和导电性能的影响规律.     

热处理工艺对纳米级掺锑SnO2导电粉结构和性能的影响

SnO2超细粉用作透明导电膜和导电涂料具有广阔的应用前景.以SnCl4·5H2O和SbCL3为原料,采用共沉淀法制得了纳米级的SnO2超细粉.运用差示扫描量热法-失重分析(DSC-TG)、X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和紫外可见光光谱分析(UV)等观测手段对微粉末进行了表征,比较系统地研究了热处理工艺(温度、时间)对粉末颗粒度和电阻的影响规律,探讨了掺锑SnO2导电粉的显色特性.     

SnO_2-Sb_2O_3-TiO_2导电粉末及其导电涂层的制备

以TiO2为基体,采用化学共沉淀技术制得复合导电粉末。利用正交试验得到优化的制备条件:复合反应体系组成为m(TiO2)∶m(SnCl4)∶m(SbCl3)=25∶15∶1,pH值为1.5,水解温度60℃,沉积SnCl4和SbCl3的水解产物于TiO2粒子表面,得到的包覆物在700℃下焙烧30 min,制备的复合导电粉末体的电阻率为77Ω.cm,粒径≤200 nm。将导电粉末与粘结树脂经球磨分散制得具有良好流动性的涂布液,在铝箔上能够制备得到电阻率低于108Ω.cm的导电涂层,满足制备有机光导体的要求,涂层表面平滑,无凹凸等缺陷。     

超细导电粉末改性聚氨酯弹性体及其性能表征

将偶联剂处理过的ATO超细导电粉末(SnO2 Sb2O3)添加到聚氨酯(PU)基体中,经过超声混匀和高速搅拌,制备了抗静电性能良好的PU弹性体。探讨了影响ATO分散性及PU抗静电性能的主要因素,并研究了ATO对PU弹性体的力学性能与热性能的影响。实验结果表明:ATO经硅烷偶联剂处理后,在超声波分散和高速搅拌的条件下不易团聚,能在PU中较均匀地分散;PU添加导电粉末ATO后具有较好的抗静电性,拉伸强度、断裂伸长率和热稳定性均有所提高。     

PMMA/ATO纳米复合材料的结构与导电性能

采用溶液共混的方式制备了聚甲基丙烯酸甲酯/纳米掺锑二氧化锡(PMMA/ATO)复合材料,分析了复合材料的微观相态结构及导电性能,并对复合材料的物理机械性能及热性能进行了研究.结果表明:经过钛酸酯偶联剂处理的纳米ATO在PMMA基体中分散良好,在含量较低的情况下即可获导电性能良好的复合材料;当纳米ATO的质量分数为5%时,复合材料具有良好的物理机械性能;纳米ATO在PMMA基体中起到了交联点的作用,使其玻璃化转变温度随着ATO的增加而升高,从而改善了PMMA的耐热性能.     

聚苯胺/nano-ATO导电复合材料的原位聚合与表征

用原位聚合法,以十二烷基苯磺酸(DBSA)/HC l混酸为掺杂剂,过硫酸胺(APS)为氧化剂,制备了聚苯胺/掺锑二氧化锡(ATO)导电复合材料。探讨了ATO用量对导电复合材料电导率的影响。在n(苯胺)∶n(APS)∶n(DBSA)=1∶1∶0.7,m(ATO)∶m(苯胺)=0.1∶1时,复合材料室温25℃的电导率最高可达8.35 S/cm,比通常方法合成的聚苯胺和nano-ATO的电导率分别提高约1至2个数量级。通过FTIR、XRD、SEM和TEM对目标物进行了表征,结果表明,苯胺优先在ATO纳米粒子表面聚合,形成聚苯胺包覆ATO的导电复合材料。     

湿法制备纳米xSb2O3·(1-x)SnO2导电颜料及导电机理研究

以尿素为沉淀剂,利用均匀沉淀法制备出性能优异的xSb_2O_3·(1-x)SnO_2导电颜料,其粒径约为10 nm,电阻率为36.70Ω·cm。对不同制备方法做对比,结果表明:采用均匀沉淀法所制颜料导电性能明显优于干法。在xSb_2O_3·(1-z)SnO_2前驱体形成过程中有均相成核与非均相成核,以非均相成核为主。通过对样品进行TG-DTA,XRD测试,以及晶胞参数的变化,证实掺锑二氧化锡的半导体化是由Sb~(3 )与Sb~(5 )取代Sn~(4 )的格位所致,其导电性能随锑的氧化态变化而改变。     

工艺参数对ATO复合涂料抗静电性能的影响

研究了主要工艺参数对ATO抗静电涂料导电性能的影响,用渗滤模型分析了导电填料含量对涂层导电性能的影响;填料表面处理实验表明,偶联剂能提高ATO的最大填充量。另外,讨论了基体树脂种类、固化工艺对涂层导电性能的影响,并确定了优化的工艺参数。     

锑掺杂二氧化锡纳米导电浆料的制备与防静电应用

以锑掺杂二氧化锡(ATO)纳米导电粉体为研究对象,以直径0.2 mm的氧化锆球作为研磨介质,采用卧式砂磨机对粉体进行湿法球磨,并添加分散剂促进纳米浆料的分散稳定化。通过优化试验获得了小尺寸、高稳定性、高固含量的锑掺杂二氧化锡纳米导电浆料。将该浆料加到环氧树脂中,添加量为1.5%时,涂层的电阻率为106Ω·cm,可见光透过率为87%。     

复合金属氧化物导电粉末的制备

以二氧化钛为载体,采用化学共沉淀技术在其表面包覆SnO2和Sb2O3制备导电粉末。考察了各种制备因素对复合导电粉末性能的影响。结果表明当包覆体系的pH=1.5,n(TiO2)∶n(SnCl4)∶n(SbCl3)=54.0∶7.5∶1.0,水解温度为50.0℃、焙烧温度为700.0℃时得到的复合导电粉末电阻率最低,为76.14Ω.cm,复合导电粉末的粒径≤1.5μm。     

纳米ATO导电浆料的分散稳定性

将纳米ATO粉体分散于溶剂中制备成纳米ATO导电涂料.通过黏度测定和沉降实验,讨论了分散剂种类、pH等参数对制备浆料的影响,进行优化筛选.经粒径分布测定及扫描电镜观察,最终制得分散稳定性较好的纳米ATO浆料.     

ATO的表面修饰及其在抗静电胶中的应用

采用不同分子质量聚乙二醇（PEG）对锑掺杂纳米二氧化锡（ATO）进行了表面改性并比较了改性效果,用共混法制备了醋酸乙烯酯／锑掺杂纳米二氧化锡（PVAc／ATO）复合乳液,研究了复合乳液的物理力学性能及导电性能：结果表明,经过相对分子质量为20000的PEG表面修饰的ATO在乳液中分散良好,在含量较低情况下即可得到导电性良好的胶膜,且能增强乳液的粘接性能。     

锑掺杂二氧化锡(ATO)导电粉体的研究进展

介绍了锑掺杂二氧化锡(ATO)的特点、导电机理、制备方法研究现状及目前存在的问题.ATO具有良好的导电性、浅色透明性、稳定性、粒子纳米化及多功能性,指出氧空位和Sb5+在SnO2禁带形成施主能级并向导带提供n型载流子是ATO导电的两种主要机理,主要介绍了液相法中常用制备超细ATO粉体的方法:沉淀法、溶胶一凝胶法和醇盐水解法,最后指出了制备超细ATO粉体存在的问题及解决方法.