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新世纪光刻技术及光刻设备的发展趋势 总被引：13，自引：0，他引：13
本文主要阐述了光刻技术的发展极限及193nm,157nm光学光刻技术和电子束投影光刻（SCALPEL）、X－射线光刻（XRL）离子投影光刻（IPL）等技术的发展趋势。并详细介绍了国际著名品牌的光刻机以及即将推出的新一代光刻机。对国内光刻设备的发展现状作了简要概述。 相似文献
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7年前,贝尔实验室的物理学家发明了原子光刻技术,即使用中性原子代替光在表面刻蚀图形,目前已在世界范围内进行研究。尽管在工业上得到应用还需一段时间,但使科学家们感兴趣的是该技术提供了一个可以将现有依赖于光的光刻方法制造的芯片面积缩小10倍的方法。 相似文献
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0.1μm线宽主流光刻设备—193nm(ArF)准分子激光光刻 总被引：2，自引：0，他引：2
阐述了可实现 0 1μm线宽器件加工的几种候选光刻技术 ,对 193nm(ArF)准分子激光光刻技术作了较为详细的论述 ,指出其在 0 1μm技术段的重要作用 ,并提出了研制 193nm(ArF)光刻设备的一些设想。 相似文献
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马建军 《电子工业专用设备》2008,37(4):28-32
简要回顾了光学光刻技术的发展历程,从IC技术节点微细化要求对光刻技术的挑战方面讨论了光学光刻技术的发展趋势及进入32nm技术节点的可能性。 相似文献
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光刻技术在微电子设备的应用及发展 总被引：7，自引：0，他引：7
介绍了光刻技术在微电子领域的应用，具体分析多种短波长光刻技术的最新进展，并对在0．1μm之后用于替代光学光刻的下一代光刻技术的发展趋势作了展望． 相似文献
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简述了光学光刻技术在双重图形曝光、高折射率透镜材料及浸没介质、32nm光刻现状及22nm浸没式光刻技术的进展,指出了光学光刻技术的发展趋势及进入22nm技术节点的前景。 相似文献
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《电子工业专用设备》2000,29(1):61-62
1 瑞士推出一种新颖的高分辨率光刻技术 瑞士苏黎世ＩＢＭ实验室的研究人员已研制出一种十分简单的光学光刻技术 ,它可以印制比所用光波长 1 / 2还要小的特征尺寸。无需复杂而又昂贵的聚焦光学系统。含有图形的“光图章”直接置于晶片上 ,不同于传统的接触式光刻技术要采用玻璃上铬掩模 ;ＩＢＭ实验室开发的新方法采用橡胶式掩模 ,与晶片均匀地接触。当光透过这种掩模时 ,将图像传入衬底 ,并在凹进区域被封锁或反射。通过起推进作用的聚焦效应和“光图章”与抗蚀剂间的紧密接触来减小光散射 ,使其与折射率匹配。工作人员采用 2 48ｎｍＫ… 相似文献
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从特征尺寸的缩小看光刻技术的发展 总被引：1，自引：0，他引：1
从特征尺寸不断缩小变化的角度阐述了近代光刻技术发展的历程。指出90nm节点的主流光刻技术是193nmArF光刻;193nm浸入式光刻技术作为65nm和45nm节点的首选光刻技术,如果配合二次曝光技术,还可以扩展到32nm节点的应用,但成本会增加;如果特征尺寸缩小到22nm和16nm节点,EUV光刻、无掩模光刻以及纳米压印光刻等将成为未来发展的重要研究方向。在对各种光刻技术的原理、特点以及优缺点等分析对比的基础上,对未来主流光刻技术的发展做了一定的展望。 相似文献
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１引言一年半以前,国际ＳＥＭＡＴＥＣＨ财团将光学光刻的接班技术选择缩小到４种：极紫外（ＥＵＶ）、离子投影光刻（ＩＰＬ）、限角散射投影电子束光刻（ＳＣＡＬＰＥＬ）和ｘ射线光刻技术。已证实,各种技术均具有７０ｎｍ以下特征尺寸的作图能力。然而,根据下代光刻... 相似文献