带肖特基的TTL双与非门集成电路的特点

<正> TTL数字电路按其工作状态大致可分为饱和型和非饱和型电路两种。标准型的TTL电路如图1所示,即国外的54/74系列,是典型的饱和型逻辑电路。在这种电路中,为了确保晶体管进入饱和状态,缩短晶体管的导通时间,基区必须注入大量的电流。由于大量的空穴注入晶体管的基区,使管子的BC结由反向偏置转为正向偏置,晶体管的基区和集电区内就存在着大量的少数载流子,产生了所谓饱和现象。由于这种饱和现象而产生的电荷积累,使晶体管由导通转为截止时必须设法使这个大量的少数载流子消灭或用外电路将其流出,这就需要一定的时间,这个时间叫     

功率晶体管的散热计算

本文介紹了在通風工作的条件下,用于功率晶体管的直角梳状散热器的計算方法。     

一种基于高肖特基势垒的高性能隧穿场效应晶体管

为提升隧穿场效应晶体管的正向导通性能,有效降低晶体管的体积,根据TFET与SB MOSFET的结构优势提出一种基于高肖特基势垒的高性能隧穿场效应晶体管.提出带有等号形主控制栅的中央辅助控制栅结构,利用肖特基势垒来阻挡反向漏电流的同时,在导通机制上尽可能提高电子势垒的高度来减少热电子发射电流的产生.通过增大体硅与源漏电极...     

台灯触摸开关

触摸开关的电路如图a所示,它的电源部分如图b所示。晶体管V1、V2和V3构成了一个开关电路。晶体管V2和V1的基极A、B点分别是开关的触发端,其中A为开,B为关。当手摸到A和B时,由于人体杂波感应,在A和B产生一个触发感应信号,使晶体管导通、开关动作。当手摸A时,A得到一个信号,触发V2导通,V2集电极电流增加,使V3基极电位下     

面结合型晶体管电荷控制器件(下)

晶体管小信号性能在把电流和电压的小增量迭加在静态直流电平上时,便可由晶体管的大信号特性推导出晶体管的小信号特性。当把射集电压增量△V’_RE应用到本征晶体管(即基极电阻为0)上时,基极电荷必将增加,如图8(a)阴影面积所示。将额外电荷对电流和电压增量的影响分为两个步骤来讨论,是比较方便的:首先将晶体管作为理想晶体管,在这种情况下通导时基极宽度维持不变;然后     

1.5电压驱动发光二级管的电路设计

用一节1.5V电池驱动一个发光二极管,通过电路Q1、Q2两个晶体管产生振荡,使Q3晶体管处于导通或截止状态,电感L充放电使二极管发光,设计的简单,经济适用。     

高装架密度电子装置中强迫对流散热分析

本文討論了电子装置中的散热問题。提出了理論上的分析并给出了实驗数据。文中以工作在最坏情况下的晶体管作为代表元件,分析了最佳結构形式,并推导出晶体管結温的計算公式以及推导出为保証結温不超过允許值时所需的風量和通風消耗功率的計算公式。     

D类功率放大器的原理与应用

1.引言传统的模拟功放工作在晶体管的线性放大区,保真度较高,但效率低、能耗大,输出达到峰值时的效率为78%,且要求有良好的散热设备,因而设备体积和重量均较大。D类功放具有效率高、体积小、重量轻、输出功率大等优点,其功耗主要来自输出晶体管导通阻抗、开关损耗和静态电流开销。放大器     

JDIA电磁调速控制器的故障检查

JDIA电磁调速控制器用于电磁调速电动机的速度控制,它由给定比较环节、晶体管前置放大器、锯齿波移相触发器以及可控硅控制主回路组成。其原理方框图和电气原理图分别如图1、图2所示。 图1 工作原理方框图 由图可知,给定信号和速度负反馈信号比较后,其差值送前置放大器放大,放大后的信号与锯齿波叠加,控制晶体管导通时刻,产生了随差值信号改变的移相脉冲,从而控制了可控硅的导通角,即控制了滑差离合器的励磁电流,实现了电磁调速电机的无级变速。     

一种通用的DC-DC过温保护电路

设计了一种通用的过温保护电路.该电路是利用晶体管的BE结具有负温度系数的原理,转化成随温度升高而降低的BE结电压,控制晶体管的通断来达到过温保护的目的.仿真结果表明,该过温保护电路具有良好的稳定性,可以通用于大多数DC-DC转换器芯片中.     

《电子控制技术》教学的问与答（6）

问:我使用的是广东科技出版社的《电子控制技术》教材。在教材P68—70页"晶闸管工作特性试验"中,在晶闸管控制极上加几十毫安的小电流可以控制阳极数十、数百安大电流的导通,它与晶体管用较小的基极电流控制较大的集电极电流有何不同点?晶闸管能否和晶体管一样构成放大器?     

毫微秒邏輯綫路的应用

本文描述了一种每级“与—或”延迟时间小于1.5毫微秒的高速逻辑门线路的特性。该线路为输入条件提供了从控制输入端到输出端的低阻抗通路,因而使速度得到了提高。反相器采用一偏置的隧道二极管去控制晶体管通导或截止。为获得高的响应速度,晶体管工作在非饱和与非截止状态。文中还提出了一种经济的线路装配和连接技术。最后介绍了读数速度为20毫微秒的小型隧道二极管存貯器的结构和应用。     

晶体管快速测量仪

电子爱好者手中都有不少处理晶体管,要知道这些三极管的好坏,必须用万用表一一测量,很费时间。本人制作出一台晶体管快速测量仪,它可以快速判断三极管的好坏,还可以用作声响检修表,检查线路通断情况。     

垂直MOS功率器件的结构设计

本文以理论分析为依据,对垂直导电型功率器件,即 VDMOS 晶体管的结构进行优化设计。特别对高压器件的元胞形状、尺寸、导通电阻、终端保护结构、工艺参数等进行了合理设计,并在工艺上验证了400~V-2~A 及600~V-5~A 两种器件的设计。对工艺流程中出现的问题亦进行了相应的分析解决,获得合格的样品及一套完整的 VDMOS晶体管的设计方法     

开关模式(D类)音频功率放大器的设计及运用

近几年来,中职学校的电子专业学生在制作音频功率放大器的实践教学中,基本以制作传统的A类或AB类功率放大器的制作为主。然而很少学习制作D类放大器。D类放大器与传统功率放大器相比具有更高的输出效率,这是因为D类放大器工作在开关模式,其输出晶体管只工作在完全"导通"和完全"截止"的状态。从理论上讲,晶体管完全不损耗能量,意味着晶体管上的散热片可以做得很小,因而功率放大器的体积也能成倍地缩小。学生了解到D类放大器的优点后,激发他们制作D类放大器的兴趣,促进他们更深入掌握D类放大器的工作原理。     

恩智浦展示首款功能性CortexTM-MO硅芯片

意法半导体推出全新系列的30V表面贴装功率晶体管。导通电阻仅为2mΩ（最大值）,新产品可提高计算机、电信设备和网络设备的能效。     

反向使用的二极管

很多常用的二极管如整流二极管、开关二极管、发光二极管等,都是工作在正向导通状态下。图1是晶体管驱动发光二极管LED电路,LED的正极接高电位, 负极接低电位,这就是二极管的正向接法。但有些二极管,如稳压二极管、光敏二极管却是工作在反向击穿或反向导通的状态下。图2是硅稳压二极管组成的并联式直     

电子管——晶体管触发器

图1为这种触发器的原理图。如果真空三极管截止,晶体管也就截止,因为射极电流等于零。这时收极的电压为负,因此电子管也被截止。如果三极管通导,晶体管也通导;同时,适当选择线路的参数;使晶体管工作于饱和状态,结果使收集极电压等于零,这样就使电子管保持通导。这样一来,便可获得这样的两个稳定状态:触发器的两个支路或者同时截止,或者同时通导。     

一种用于可穿戴式生理参数检测的集成电路

提出了一种用于处理光电容积脉搏波信号的集成电路结构,将主要应用于可穿戴式多生理参数检测,例如血压、血氧、心率等。电路包括直流、交流分量分离电路,直流分量读出电路,低通滤波器,以及矩形波产生电路。直流、交流分量分离电路由跨阻放大器和金属氧化物半导体晶体管-双极晶体管(MOS-Bipolar)虚拟电阻构成,可以实现0.07-0.7 Hz的高通截止频率;低通滤波器可以实现16 Hz的低通截止频率。电路采用标准0.13μm CMOS工艺设计,电源电压1.2 V。     

能自动复位的固态保险丝

本电路在流过R_L的负载电流超过1A时将使晶体管Q_1截止,过一段时间后重新使Q_1导通,再次接通负载。因此它实际上是一个有自动复原功能的固态保险丝。运算放大器LM10对负载电流取样电阻R_1上的