一种改进的参数提取方法

为了描述双负材料的电磁特性,利用改进的基于S 参数的参数提取方法来提取该材料的电磁参数,该方法的最大特点是利用了各参数之间的内在联系来提取参数,而不是通常的利用S 参数来单独提取各个参数,从而保证了参数提取结果的一致性。基于上述参数提取方法设计了一种毫米波段SRR-Rod 结构的双负材料,并提取了它的电磁参数,为了验 证这种改进方法的可行性,提取了X 波段双负材料的电磁参数,通过和相关文献的参数提取结果的比较发现二者基本一致,从而验证了该提取参数方法的可行性。     

自适应遗传算法提取pin光探测器小信号模型参数的研究

采用自适应遗传算法对pin光探测器小信号等效电路模型的参数进行了提取,用提取到的模型参数计算得到的S参数与实际测试的S参数进行了比较,为进一步说明提取到的数据的合理性,采用ADS仿真得到了高频处的S参数。     

用虚拟制造设计低压功率VDMOS

采用虚拟制造方法设计了低压功率VDMOS器件,并对其进行结构参数、物理参数和电性能参数的模拟测试,确定了器件的物理结构.通过对这些参数和电学特性的分析,进一步优化设计,最终获得了满意的设计参数和性能.     

机械产品零部件参数匹配系统的开发与研究

针对机械产品中零部件多,参数匹配组合多样,实际工作中无法对产品参数进行快速匹配等难题,开发了一种可以实现自优化的零部件参数匹配系统。在进行零部件参数选取的时候,该系统会对数据库进行检索,得到未选定零部件的可选参数,提示操作者优先选取这些可选参数。通过不断地将产品零部件的参数匹配结果存储到数据库中,从而不断完善产品零部件参数配置规则,实现系统的自优化。实践表明,该系统很好的解决了产品的参数匹配的难题,提高了工人的工作效率。     

随机性检测参数选择研究

从统计学角度对同一个随机性检测项目中2个独立的参数所应满足的条件进行了研究,在此基础上设计了一个假设检验方法,用于检测2个参数是否满足独立的关系.以扑克检测为实例,对其参数集中的参数进行了实验研究,并对结果进行了分析.提出的方法是一个通用的方法,可以直接应用于其他带参数的检测项目的参数 ,关系研究中,这为随机性检测中参数选择提供了一种可操作的手段.     

二端口传输参数测量及互易性对称性导出

针对现有教材在表述二端口传输参数时由其他参数推导而得的情况,讨论了二端口参数的测量方法。针对现有教材在叙述采用传输参数表达的互易或对称二端口电路性质时基于其他参数形式而非传输参数形式本身而导出的情况,讨论了基于传输参数本身的二端口互易性或对称性的导出方法。本文的讨论表明,二端口电路VCR的传输参数表达形式是独立于其他参数表达形式的。     

一种基于参数重估计和分层匹配的PTZ相机参数修正算法

由于多种因素的影响,PTZ(pan-ti lt-zoom)相机经过长时间运行后其参数会偏离真实值,因 此有必要对相机参数进行修正。针对现有算法参数修正精度低、适应能力弱等问题,提 出了一 种改进的基于参数重估计和分层匹配的参数修正算法。算法通过引入参数重估计策略,避免 了参数 修正过程中的误差累积,提高了参数修正的精度;通过设计分层匹配和特征传播步骤,增强 了算法 对不同尺度图像的适应性。实际场景中的多组实验结果表明,本文算法可以准确修正PTZ相 机参数,并且较现有方法更具优越性。     

真空灭弧室机械参数确定原则

真空开关的机械参数决定了电气性能。本文总结了真空灭弧室和真空开关的机械参数及其关系,并论述了相关机械参数的来源、确定依据以及相关关系,以此推导出相对最佳的保证开关电气性能的机械参数。     

小灵通基站:切换参数的调整

基站切换参数调整是无线网络优化的重要手段,通过对基站切换参数的仔细分析,文中给出了基站切换参数的调整方法,并给出了在切换参数优化中的主要应用与评估方法.     

参数音频编码回顾

音频编码主要有两类技术:波形编码,参数编码。前者适合高速率高质量的应用环境,后者适合带宽受限或存储容量受限的应用或环境。参数音频编码以源模型表示信号,运用基于心理声学原理的参数估计和量化方法,提取、量化感知重要参数,在保证重建信号质量的同时,有效地减小了编码比特率。近年来,研究者将自适应时间分段、联合参数量化、参数立体声等新技术引入参数音频编码,使算法得到了优化,重建信号质量也得到了显著提升,其中某些技术成为了国际标准,并获得商业应用。本文回顾了近十几年来参数音频编码的重要进展,评述、探讨了存在的问题和研究的难点,并给出了两个典型参数音频编码系统的听力测试数据,以定量显示这些技术的性能,最后,展望了参数音频编码发展的方向。      

田口稳健设计优化之绝热式光方向完全耦合器

本研究利用田口实验优化法配合光束传播法设计优化光方向完全耦合器 sin-square 函数,能夠达到低串扰与短耦合器长度的目标,在田口实验优化法中我们选择直交表 L9 做为我们的实验平台.研究结果显示,使用 BPM 辅助设计方式配合田口方法可有效的减少设计优化光方向完全耦合器的实验数.在实验过程中我们尝试去找出并设定符合低串扰与短耦合器长度的绝热式光方向耦合器 sin-square 函数的结构参数范围,并且在田口实验优化法中的确认实验可以达到95%的信心指数.在这份研究中,我们证实利用田口实验优化法配合 BPM 辅助设计优化光方向完全耦合器 sin-square 函数是确实可行的.     

一种BiCMOS基准源及其应用

本文分析了ＭＯＳ晶体管的温度特性及其对器件参数的影响，提出了一种ＢｉＣＭＯＳ基准源，它使器件具有良好的温度特性和抗干扰能力。还对具体应用电路的工作原理作了简单的介绍，分析了电路的温度性能及抗干扰能力，并给出应用结果。     

WCDMA天馈系统隐性故障定位方法研究

从天馈系统参数与网络性能指标的关联入手,研究高效的天馈排查定位方法,有效发现和整改现网中隐性和显性的天馈问题,并对实施天馈整改的基站进行优化效果验证。     

42英寸AC-PDP的驱动原理及能量恢复研究

讨论了三电极交流等离子体平板显示器（AC-PDP）的驱动原理，着重对PDP中基于L，C谐振电路的能量恢复系统进行了详细的分析，给出了数学模型，并就该模型讨论了决定能量恢复效率的时间、器件参数等因素的影响。     

双极模拟集成电路的参数统计性分析

本文给出了实现双极模拟集成电路参数统计相关性分析的步骤和方法,提出了含对称参数分析的双参数(BF,RS)统计分析方法。实例分析和对比表明,该方法适于模拟集成电路的分析和设计。     

高功率因数开关电源的分析与设计

功率因数校正是开关电源设计中的一个重要问题,PFC以其外围电路简单,功率因数高而得到广泛使用,但PFC外围参数的设计是一个难点。针对此问题,提出一种确定外围参数的方法。通过理论分析控制器件内部结构、建立数学模型、Matlab仿真分析,从而在理论上完全掌握控制器件外围参数对系统控制性能的影响,避免在调试过程中出现太多的盲点。将此方法确定的参数应用于实际电路,只需经过简单调试,就可设计一款性能较好的高功率因数开关电源。     

带Cache的磁盘阵列I/O响应时间及吞吐量分析

文章分析了磁盘参数的描述,针对华中科技大学研制的磁盘阵列,利用排队论分析并计算带Cache磁盘阵列I/O响应时间及吞吐量,得出了提高I/O平均响应时间及最大吞吐量的方法。     

6061铝水导激光加工工艺参数优化研究

为研究水导激光加工关键工艺参数对6061铝切槽形状与组织性能的影响,利用自研的水导激光加工设备,对6061铝开展了包括激光功率、激光重复频率、进给速度及加工次数在内的多个关键工艺参数的多因素影响切槽实验.利用金相显微镜对加工沟槽的深宽比、侧壁锥度及组织变化情况进行了测量与分析.实验结果表明:激光重复频率对沟槽宽度有较明...     

微晶硅硼薄膜结构的喇曼研究

单晶,多晶,微晶及非晶硅是固态硅材料中几种重要的组建结构.随着非晶硅晶化研究的深入,定量的研究其微观尺度的变化(键角变化△θ,微晶晶粒尺度△d)已日趋必要,而光散射手段为此提供了可能.非晶硅喇曼谱中类TO模的峰位变化(△ω_R)为微晶硅晶粒尺度提供了数据△d～2π(B/△ω_R)~(1/2)(B是材料的结构参数),类TO模峰陡边的半高峰宽,又为每个键的平均畸变能U=3K(r_(b*)△θ)~2提供了一定的信息.文中对与之相关的物理过程亦做了相应的讨论.     

Theoretical investigations of [110] IV-VI lead salt edge-emitting lasers

Theoretical simulations on a new [110]-orientated IV-VI lead-salt midinfrared (IR) edge-emitting laser are performed in comparison with the conventional [100] orientated laser. The modal gain of quantum-well (QW) structure on [110] orientation is significantly higher than that on the [100] orientation. Light versus current (L-I) characteristics at different operation temperatures are simulated by solving the coupled rate equations. The maximum operation temperature of [110] laser is 70 degree higher than that of conventional [100] laser. To further improve the laser performance a new Si/sub 3/N/sub 4/ clad laser structure is proposed to improve the heat dissipation. The effects of other parameters on the performance of the lasers, such as Auger recombination, Schockley-Read recombination, facet reflectivity and cavity length, are also investigated. The simulated results show that with optimized laser structure and modestly reduced Auger recombination [110] IV-VI lead-salt edge-emitting laser could produce output power of about 10 mW at room temperature.