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绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在应用中存在器件退化问题,分析了采用数据驱动技术实现退化特性参数识别的合理性,并提出了一种基于循环神经网络的分析方法.该方法通过选择集电极-发射极关断峰值电压作为退化特性参数,采用循环神经网络建模,实现退化特征参数的预测.采用了NASA PCoE研究中心提供的IGBT加速老化数据集,进行数据预处理,得到IGBT关断尖峰电压序列,并划分出训练集和测试集,其中训练集用于训练循环神经网络,测试集用于评估方法的准确性,实验结果表明循环网络相比于经典机器学习算法具有更高的预测精度. 相似文献
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随着1.7 kV SPT(软穿通)IGBT LoPak密集型封装结构模块类型的引入,为进一步开发利用新的1.7 kV SPTIGBT和二极管芯片的特性,研发了电压为1.7kV,电流额定值为2.4 kA新封装类型的模块,该模块采用了E1和E2工业标准模块封装形式.在长期高可靠性应用的经验基础上,设计了新的封装类型,其特性适用于牵引市场.讨论了1.7 kV SPT IGBT(E1/E2)模块范围的特性,尤其论述了改进的静态和动态特性. 相似文献
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对非穿通型绝缘栅双极晶体管 (NPT IGBT)的静态工作特性进行了理论分析。从IGBT结构入手 ,把它看作MOSFET驱动的BJT ,从其包含的BJT和MOSFET分别讨论。并且对比了传统BJT模型和IGBT中包含的BJT模型的分析方法 ,详细讨论了用双极传输方程分析BJT模型。在MATLAB的仿真环境中添加相应的模型描述语言S function ,实现静态特性 ,为实现动态仿真提供前提条件 相似文献
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针对内透明集电极(internal transparent collector,ITC)绝缘栅双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)结构的短路特性进行数值模拟研究,通过模拟仿真明确了缓冲层掺杂浓度、局域载流子寿命控制区位置及局域载流子寿命参数对ITC-IGBT的导通特性、开关特性、短路特性的影响。通过优化折中器件的缓冲层掺杂浓度、局域寿命控制区寿命参数和局域寿命控制区位置的关系,在器件特性满足要求的同时,改善器件的抗短路能力。文章最后给出一种可供参考的具有良好抗短路能力的IGBT器件设计方法,确定了缓冲层浓度的最低值和局域载流子寿命最大值,明确了局域寿命控制的合理范围。 相似文献
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从温度对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)通态特性影响出发,建立了3种1200 V穿通型-IGBT(PT-IGBT),非穿通型-IGBT(NPT-IGBT)和场阻止-IGBT(FS-IGBT)结构模型,分析了通态模型中通态电流和压降的组成成分,仿真了3种IGBT结构的通态温度特性,分析了温度对3种IGBT结构通态特性的影响,得出了PT-IGBT的通态压降具有负温度系数,NPT-IGBT和FS-IGBT的通态压降在不同电流下的两种温度系数及温度对FS-IGBT的通态压降影响最小等结论。 相似文献
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从2007年开始上市的最新NX系列绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)模块,采用统一的封装和功率硅片.其端子和电路结构具有前所未有的灵活性.在NX系列开发的第1阶段,采用的第5代载流子存储式沟槽型双极型晶体管(Carrier Stored Trench Gate Bipolar Transistor,简称CSTBTTM)硅片技术实现了高效性能.介绍在NX系列开发的第2阶段所采用的1.2 kv第6代IGBT硅片技术.新的第6代IGBT模块进一步提高了效率并降低了噪声,从而拓宽了客户的应用范围. 相似文献
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IGBT栅极驱动电路的特性分析和应用 总被引:1,自引:0,他引:1
详细叙述了功率绝缘栅双极型晶体管IGBT 对驱动电路的特殊要求以及设计驱动电路应该考虑的问题,概述了IGBT驱动电路的常用类型,并给出了几个具有实用意义的典型电路. 相似文献
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对非穿通型绝缘栅双极晶体管(NPT-IGBT)的静态工作特性进行了理化分析.从IGBT结构入手,把它看作MOSFET驱动的BJT,从其包含的BJT和MOSFET分别讨论.并且对比了传统BJT模型和IGBT中包含的BJT模型的分析方法,详细讨论了用双极传输方程分析BJT模型.在MATLAB的仿真环境中添加相应的模型描述语言S-function,实现静态特性,为实现动态仿真提供前提条件. 相似文献
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介绍了IGBT逆变电源的工作原理,分析了冲击性负荷对逆变电源造成的不利影响。提出一种简单,可靠的抗冲击控制电路。并用实验得到了证实。 相似文献
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随着能源技术的发展,电力电子器件日益受到人们的关注,绝缘栅双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)作为功率半导体的主流器件在能源领域得到了广泛应用。目前IGBT模块已经在电动汽车、高速铁路以及电力设备等领域发挥着不可替代的作用。IGBT模块的封装作为一个新兴产业越来越受到人们的关注。以IGBT模块的封装工艺为研究对象,确定模块封装两次焊接的顺序,选择两次焊接的焊料,确定焊接温度及回流温度曲线。最终焊接效果良好,有效地提高了IGBT模块封装的工艺水平。 相似文献