考虑薄膜杂质影响的电容器内部电场仿真分析

在分析电容器杂质缺陷产生原因的基础上,建立了电容器元件的仿真模型,对电容器元件的杂质质量缺陷进行ANSYS仿真,分析了内部缺陷中不同粒径金属杂质在不同位置对极间电场畸变的影响,给出了两种粒径金属杂质在靠近高压极板和靠近油道情况下的电场分布,得到不同类型杂质对电容器电场分布的影响程度,为提高电容器的绝缘设计及生产工艺奠定了理论基础。     

三氧化钼纳米带自组装柔性薄膜超级电容器的制备及其性能研究

采用单质钼为钼源,水热合成了具有高长径比的三氧化钼(MoO_3)纳米带,并通过减压抽滤制备了MoO_3纳米带自组装柔性薄膜。对MoO_3纳米带的形貌和结构进行了表征,采用三电极体系研究了MoO_3纳米带的电化学电容行为,考察了MoO_3纳米带自组装柔性薄膜直接作为电极组装柔性薄膜电容的性能。实验结果表明,MoO_3纳米带的长度为6～10μm,宽度为100～300 nm,厚度为7～10 nm,MoO_3纳米带自组装薄膜显示了很高的柔性,在100 mV/s的扫描速率下面积比电容为340 mF/cm~2。以此组装的柔性薄膜电容在5 mA/cm~2的电流密度下,2 000圈循环后电容保持率可达80%。     

关于电容器内电路特性的探讨

根据全电流连续定理 ,从电容器的内部电路讨论了位移电流的欧姆定律和焦耳定律 ,得到电容器电容的普遍公式 ,并给出物理解释。     

铝电解电容器阳极氧化膜特性研究

阐述了铝电解电容器阳极氧化膜的生长过程、耐压能力、单向导电性能、厚度上限以及“自愈”性机理，实验证明，铝氧化膜的增厚是一定电场作用下，Al离子和新生态[O]双向运动效应的结果。而且氧化膜的生长厚度有一定限度，最大约为0．8mm，因此铝氧化膜的实际工作电压不能大于500V。     

新型SiO-Ta2O5复合介质薄膜电容器的研究

研制出一种新型SiO-Ta2O5复合介质薄膜电容器,复合介质膜是用溅射法将SiO和Ta2O5材料溅射在微晶玻璃片上形成的,其下电极Al和上电极Au是用蒸发法制备的．这种电容器具有耐压强度高、损耗小、漏电低、精度高、稳定性好、合格率高等特点．     

铝电解电容器频率特性研究

研究了铝电解电容器在不同频率的交流电压下工作时,其等效串联电容,等效串联电阻,阻抗和损耗tgδ值随频率的变化情况,实验证明,实际的铝电解电容器在不同工作频率下的上述各值与理想的铝电解电容器相比有较大差,实验表明,影响频率特性的主要因素有：阴极和阳极铝箔表面腐蚀系数的大小及腐蚀坑洞的形状,阴极和阳极铝箔表面氧化膜的性质,电容器中衬垫纸的构造;工作电解液的电阻和浸渍情况以及电容器的内外结构尺寸等。     

关于非平行板电容器的研究

从电动力学原理出发,结合复变函数对非平行板电容器的电容进行了分析.从而找到了非平行板电容器电容计算方法,给出了计算电容的相应公式.     

退火温度对锆酸铅薄膜光学性能的影响

用溶胶-凝胶法在石英玻璃基片上成功地制备了PbZrO3(PZ)薄膜．X射线衍射分析结果表明晶化好的PZ薄膜,是多晶钙钛矿结构．750℃晶化的薄膜,晶粒尺寸为30～50nm．用紫外-可见光分光光度计在波长200～900nm范围内,测量了不同温度退火的PZ薄膜的透射率,结果表明450、600、750℃退火的薄膜样品,其光学吸收边分别为4．11、4．56、4．59eV．     

Crystallization and Electrical Properties of (Ba_(0.4)Pb_(0.3))Sr_(0.3)TiO_3 Thin Film by Pulsed Laser Deposition

(Ba_(0.4)Pb_(0.3))Sr_(0.3)TiO_3 thin films were fabricated via pulsed laser deposition(PLD)technique on Pt/TiO_2/SiO_2/Si substrate.The crystallization of the films was characterized by XRD and FSEM,and the experimental results suggested deposition parameters,especially the deposition temperature was the key factor in forming the perovskite structure.The dielectric properties of the film deposited with optimized parameters were studied by an Agilent 4294A impedance analyzer at 1 MHz.The dielectric constant was 772,and the loss tangent was 0.006.In addition,the well-shaped hysteresis loop also showed that the film had a well performance in ferroelectric.The saturated polarization P,remnant polarization Pr and coercive field E were about 4.6μC/cm~2,2.5μC/cm~2 and 23 kV/cm(the coercive voltage is 0.7 V),respectively.It is suggested the film should be a promising candidate for microwave applications and nonvolatile ferroelectric random access memories (NvFeRAMs).     

太阳电池中CdTe多晶薄膜沉积制备及其性能

在氩氧混合气氛下近空间升华技术(CSS)制备CdTe多晶薄膜中，薄膜的结构、性质决定于整个沉积过程深入研究沉积过程中的热交换、物质输运，有助于制备薄而致密的具有进行良好光电性质CdTe薄膜．通过分析近空间沉积的物理机制，测量近空间沉积装置内温度分布，对升温过程、气压与薄膜初期成核的关系进行讨论。研究结果表明，不同气压下制备的样品，均有立方相CdTe，此外，还有CdS和SnO2：F衍射峰，CdTe晶粒随气压增加有减小趋势；随气压的增加．透过率呈下降趋势，相应的CdTe吸收边向短波方向移动。在此基础上制备出转换效率优良的结构为SnO2：F／CdS／CdTe／Au的串联集成电池。     

SiO2-MxOy系统镀膜玻璃的光学性质

在浮法玻璃上镀制了SiO2－MxOy（M=Ti,Fe－Mn,Co,Ni,Ag,Cu）薄膜。对样品的折射率、反射率、透过率和光吸收进行了测定,进而研究了镀膜玻璃的先学性质。     

双层锰氧化物薄膜中的应力效应

双层钙钛矿结构的La2-2xSr1 2xMn2O7(X=0.32)单相薄膜生长在具有不同晶格参数的两种衬底上，测量发现，两种衬底上生长的La2-2xSr1 2xMn2O7(X=0.32)薄膜具有迥然不同的金属－绝缘体转变温度TM－1及其他物性，界面应力的研究表明这是衬底晶格数不同引起膜内应变的结果，在衬底的压应力下，薄膜的电阻－温度曲线的峰值（TM－1）向高温移动且电阻率（ρ）下降；相反，对于衬底张力应力下的薄膜，TM－1下降ρ上升，这些结果可以用双交换模型做很好的解释。     

Gas sensitivity of poly (3, 4-ethylene dioxythiophene) prepared by a modified LB film method

An arachidic acid/poly (3, 4-ethylene dioxythiophene) (AA/PEDOT) multilayer Langmuir-Blodgett (LB) film was prepared by a modified LB film method. The theories were utilized to explain the effects between HCl molecule and LB film. The gas sensitivity mechanism of poly (3, 4-ethylene dioxythiophene) (PEDOT) multilayer film can be explained by the charge transfer between p system of PEDOT and oxidization HCl system. The gas sensitivity of PEDOT LB film deposited interdigital electrode to HCl was tested. The results showed that film thickness, treating temperature, deposition speed had different influence on film gas sensitivity. The AA/PEDOT film deposited device exhibited nonlinear behavior to HCl gas at lower concentration (20-60 ppm) and linear response behavior at higher gas concentration was observed. The time of the compound LB film of the AA/PEDOT responding to the 30 ppm HCl gas is about 20 seconds, which is far quicker than the time of the film to the PEDOTPRESS film(about 80 seconds). It is not higher film press to better film. When the film press attains 45 mNs/m, the sensitivity of the AA/PEDOT film on the contrary descends.     

界面对PZT铁电薄膜性能的影响

利用射频溅射工艺,在低阻硅p-Si(111)基片上分别制备Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)和PZT/LaN iO3(LNO)薄膜,样品在大气中进行650℃/15 min后热退火处理.用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)等手段分析不同衬底与PZT薄膜之间的界面对薄膜微观结构和铁电性能的影响,实验结果分析表明,即使溅射工艺相同,在p-Si和LNO/p-Si上外延生长的PZT薄膜结晶取向、晶颗大小和表面平整度存在很大差异,薄膜与底电极间的界面明显地影响PZT薄膜的微观结构和铁电性能.     

液晶材料5CB Langmuir-Blodgett薄膜的制备

研究了新型高性能液晶材料5CB(4-氰基-4′-戊基联苯)薄膜的制备技术.采用Langmuir-Blodgett(LB)法制备了单分子液晶薄膜.通过实验得出均匀、完整的液晶材料5CBLB薄膜的最佳制备的工艺,成膜方式为Y型垂直提拉法,压膜速度为8 mm/min;提拉速度均为1.5 mm/min,液晶材料溶于三氯甲烷的浓度为1.0 mg/m L,亚相温度25℃.通过偏光显微镜观察发现,该液晶薄膜具有向列型条纹织构.液晶材料5CB LB薄膜的制备技术研究为其光学及电学研究提供了基础.     

不同衬底温度对ZnO薄膜结构和光学性质的影响

利用磁控溅射在玻璃基片上制备了不同衬底温度下的ZnO薄膜.借助X射线衍射仪(XRD)、吸收光谱、光致发光谱(PL)等手段研究了衬底温度对ZnO薄膜的微结构、光致发光性能的影响.结果表明:所有样品均呈现ZnO六角纤锌矿结构且具有高度c轴择优取向;ZnO薄膜在可见区的吸收系数很小,在紫外区有很高的吸收系数;室温下的荧光光谱显示薄膜具有较强的紫光发射.     

快速退火Sol—Gel PZT铁电薄膜的性能研究

报道了以乙酸铅、乙酸氧锆和钛酸正丁酯为原料，用溶胶-凝胶（Sol-Gel）法，经多次旋转涂膜，在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备了PZT凝胶薄膜。用快速退火（RTA）作薄膜的热解和结晶热处理，制备了以（100）取向为主的PZT薄膜。用X射线衍射（XRD）和RT66A测试了膜的结晶取向、漏电流、电滞回线和抗疲劳性能等。结果表明，经RTA处理的溶胶凝胶法PZT膜具有良好的性能。