冲裁件优化排样中嵌套排样算法的研究与实现

现有的冲裁件计算机辅助优化排样算法一般都无法有效地求解嵌套排样的问题。本文通过对排样方式中对头双排的分析,提出了一种求解冲裁件优化排样的新算法。该算法彻底解决了冲裁件嵌套排样的问题,同时也可完成一般情况的优化排样。     

基于UG的精冲模半自动排样方法研究

开发了半自动排样方法,结合手动排样和自动排样的优势,先提取零件的轮廓运用最小包络算法生成初始排样图,再利用零件平面内基准点之间的参数关联响应用户在交互式界面上所做的编辑和改动,通过平移或旋转生成最终的排样图。     

一种应用数据库技术的二维排样优化综合系统

二维优化排样在工程应用领域中应用范围非常广泛,尽管人们对排样问题进行了大量研究,并取得了一些成果,但一直没有找到通用的、标准的解决方法.随着各种优化算法的改进和各种二维优化排样软件不断完善,排样结果越来越理想,在一定程度上满足生产实际的需要,但单纯局限于依靠某种算法的提高或改进来解决二维优化排样问题还不能完全满足实际应用的需要.介绍了二维优化排样在实际应用中遇到的问题,进而提出了一种应用数据库技术和二维排样软件来综合优化二维排样,以期在实际生产应用中,在总体上提高材料的利用率,从而有效控制生产成本的目的.二维优化排样系统的构成及其作业流程也在文中作了详细介绍.     

优化排样技术在专用数控机床中的应用研究

针对航空工业隔热橡胶实际生产下料问题，运用运筹学理论，建立了矩形件优化排样数学模型，并提出了一种矩形件优化排样算法，在此基础上开发了优化排样程序，能够自动快速的生成优化排样下料图，并将排样结果生成DXF文件输送到数控系统，数控系统根据所得到的图形信息进行加工。经实践证明，该数控系统能够有效地提高工件的加工效率和加工质量。     

两相区形变对中锰钢逆相奥氏体稳定性及其断裂性能的影响

采用D-ART(两相区形变-奥氏体逆相变)退火热处理工艺,研究不同两相区压缩量对试验钢组织演变、残留奥氏体含量与断裂性能的影响规律。结果表明:试验钢经两相区压缩退火后,获得铁素体、奥氏体与马氏体等多相组织,随压缩量由零增加到15%,残留奥氏体含量由15. 3%增加到23. 4%,其稳定性逐渐增强,C元素配分行为明显;对比未变形退火试样性能,压缩10%和15%的退火试样断后伸长率显著提高,分别达到35. 8%、42. 0%,强塑积最大值可达到35 490 MPa·%;压缩退火试样断口韧窝均匀,断裂性能得到有效改善。     

冲裁件优化排样类多边形顶点算法的研究

多边形顶点算法是冲裁件优化排样的一种新算法。本文借鉴单排多边形顶点算法的思想，对其他排样方式进行了研究，通过对相邻图形存储数组的拆分和重组，形成虚拟内、外多边形，给出了类多边形顶点算法。该算法在简化计算的基础上，提高了程序运行速度，并保证得到最优解。     

优化套料中拆分/组合工艺数据预处理技术研究

自动优化套料可以提高材料利用率和排样效率,但是利用自动优化套料技术前必须首先对原始工艺数据进行预处理,其中拆分和组合是冲压加工中的基本工艺.针对板材件拆分和组合工艺需求,分析自动优化套料计算对数据预处理的要求,研究和提出拆分和组合工艺数据处理解决方案,设计和开发了工艺数据处理模块.该模块不仅提高了企业板材件工艺设计效率,为优化套料模块提供了准确数据,确保自动优化套料计算的可用性,而且为准确计算板材件材料定额提供了可行性.     

实用矩形件优化排样系统的研究与开发

在研究矩形件优化排样数学模型的基础上, 根据不同的下料的工艺要求, 构造出与之相适应的四种不同的近似优化算法。对于这些算法, 要求它们在板材尺寸与矩形件的尺寸的差异方面;在矩形件个数的规模方面; 在矩形件之间的尺寸差异方面等敏感问题上有较好的适应性。在理论方面对这些算法进行一些定量的分析以保证这些算法的先进水平。     

钒钛中硅铸铁组织及性能的研究

研究了钒对中硅耐热铸铁的组织及常温机械性能的影响,对钒在中硅铸铁中的存在状态和作用进行了探讨。     

基于单片机数控系统的单一冲裁件优化排样及加工

研究了单一形状冲裁件的优化排样算法 ,在此基础上开发了优化排样应用程序。通过程序将排样结果自动生成数控代码并发送到E2 PROM ,使优化排样计算与压力机数控系统紧密相连。并在数控系统中采取了必要的精度补偿措施 ,保证按照优化计算结果进行加工。     

带卷的高度和宽度自动对中及自动上卷

文章阐述了自动上卷过程中不同类型的高度和宽度对中控制的实现方法和基本硬件组成,并介绍了相应的数学模型.分析了自动上卷过程中高度和宽度自动对中的合理配置和工程设计中的各种因素.     

圆盘类精锻件顺序转向输送方法的研究及应用

针对圆盘类精锻件输送问题,提出了一种圆盘类精锻件顺序转向输送方法,对圆盘类精锻件多排变单排的输送形式及多排布局方案进行研究。输送过程分为两个阶段:第1阶段,第1输送装置进行多排输送;第2阶段,经自动落料装置按顺序依次落料至第2输送装置,实现了转向、单排输送。其中,第1输送装置的多排布局分别为由远及近、由近及远两种形式,第2输送装置的输送速度分别设置为ΔL/P、2ΔL/P、3ΔL/P、4ΔL/P,通过对以上8种组合的位置仿真分析得到了合理方案。研究及应用表明,若第2输送装置输送速度设置为4ΔL/P,则由近及远多排布局方案的布局形式满足了顺序转向的输送要求。     

加工中心分中对刀方法的研究

以Fanuc加工中心为研究对象,在深入了解Fanuc系统的宏编程处理方法后,通过分析华中数控系统分中对刀方法的原理,提出利用宏程序设计分中程序来实现分中对刀。经实际验证,该方法达到了预期的结果,简化了算法,提高了对刀的速度,效果良好。     

预精焊机组多丝内焊起弧稳定性问题的研究

简述了螺旋缝焊管预精焊机组的内焊结构;介绍了数字化焊接系统的内焊一键式起弧过程及原理;分析了埋弧焊电弧自我调节过程及影响内焊起弧稳定性的因素,总结出提高起弧稳定性的措施.实践证明：通过优化数字电焊机参数,调整最大送丝速度,结合实践操作经验,使内焊起弧稳定性得到大幅度提升,提高了螺旋缝焊管的质量.     

稀土及热处理对中铬半钢的冲击疲劳性能的影响

研究了稀土元素及热处理对中铬半钢冲击疲劳性能的影响。结果表明，稀土与热处理复合作用，可加速网状共晶碳化物向弧立的块状转变，促进粒状碳化物的析出，有效地推迟裂纹的形成，降低裂纹扩展速率，提高中铬半钢的冲击疲劳抗力。     

自动研磨对精冲模零件表面影响的研究与参数优化

为了研究自动研磨对模具零件表面的影响,以线切割后的S390粉末冶金钢为研究对象,以研磨时间、装夹角度、缸体转速、自转速度等4个因素进行正交试验,通过分析表面材料去除量、表面粗糙度、残留应力等指标,得出研磨工艺对各参数指标影响的主次关系和最优研磨参数组合。试验结果表明:表面材料去除量随着缸体转速的增加和加工时间的延长而增大,表面粗糙度随着缸体转速的增加而增大,残留应力随着缸体转速的增加而减小。     

高气压环境下脉冲MIG焊频率优化改善电弧稳定性的研究

对比分析不同压力环境下焊缝宏观图及相应焊接过程的电流、电压信号,并在此基础上分析了电流电压波形图、U-I图和概率密度图,探索脉冲频率对高气压环境下焊接电弧稳定性的影响。试验证实,压力环境下通过提高脉冲频率来补偿电弧弧柱区的能量损失,形成良好的焊接质量方法的可行性。试验证明,在0.3 MPa的压力下,脉冲频率提高到220 Hz,在0.5 MPa的压力下,脉冲频率提高到250 Hz,能够明显改善电弧燃烧的稳定性;实现稳定的焊接过程。为高气压环境下焊接工艺的改进提供有效的理论依据。     

精轧温度对含铌、硼Cr17薄板成形性及表面皱折的影响

通过光学显微镜、X射线衍射及背散射电子衍射技术,研究了精轧温度,即高温精轧和低温精轧,对含Nb、B的超纯Cr17铁素体不锈钢薄板成形性及表面皱折的影响。结果表明：低温精轧有利于得到细小及均匀的冷轧退火组织。低温精轧有利于改善冷轧退火板织构的均匀性,促使冷轧退火板得到均匀、规则的γ纤维再结晶织构并形成更少的取向晶粒簇。因此,低温精轧是显著改善冷轧退火板成形性能及抗皱折性的有效工艺。     

卡车中地板工艺优化及降低成本的方法

以某卡车驾驶室前中地板为研究对象,由于原工艺不合理,出现了零件成形质量不稳定的情况,在不影响零件搭接关系的前提下,通过修改工艺补充面、更改拉深方式以及零件局部造型变更等方式,并经过CAE模拟分析,重新制定新的工艺方案和模具结构,在提高零件成形合格率的同时,降低模具制造的成本,提高材料利用率,为类似件降低制造成本提供了参考。     

退火温度对连铸-轧制成形铜包铝复合扁排组织与性能的影响

研究退火温度对连铸-轧制成形铜包铝复合扁排组织、界面结构与结合强度、力学性能以及电学性能的影响。结果表明:铜包覆层在300℃开始再结晶,400℃时再结晶完成;芯部铝靠近铜包覆层的剧烈变形区在200℃完成再结晶;而在中心部位,粗晶区在250℃时已开始再结晶,400℃时再结晶完成。铜包铝复合扁排的抗拉强度和伸长率在300℃以下退火时变化较小,在300℃以上退火时变化显著。随着退火温度的增加,界面结合强度先增大后减少。在250℃及以下温度退火时,界面处无明显金属间化合物相生成,因此,在此温度范围内,界面结合强度随着退火温度的升高而升高;退火温度在300~400℃时,界面处有金属间化合物相生成,且随温度升高,界面厚度由约1μm增大到约4μm,界面结合强度由54.0 MPa逐渐降低到25.8 MPa。铜包铝复合扁排的电阻率主要受基体金属组织状态的影响,随着退火温度的升高,铜包铝扁排的电阻率逐渐降低;在本实验条件下,当界面处金属间化合物层的厚度不大于4μm时,金属间化合物层对电阻率的影响不明显。