精确研究AlO分子P线系高振转跃迁谱线

对大部分双原子分子体系某一跃迁带而言,由于受实验条件的限制,往往很难获得跃迁带内高振转能级的跃迁谱线,而只能测得一组几乎能包含体系振转信息的实验能谱子集合.本文应用能精确预言双原子分子P线系高激发振转跃迁谱线的新解析物理公式,首次从理论上研究了AlO分子在电子态B2∑+-X2∑+跃迁中(5,6)跃迁带的P支跃迁光谱,基...     

TaO分子跃迁结构的理论研究

结合实验上获得的有限的低激发振转态的跃迁结构,利用孙卫国等建立的能精确计算双核分子体系跃迁谱线的理论方法,研究了TaO分子K2Φ5/2-X2Δ3/2跃迁过程中(1,2)跃迁带的R线系跃迁结构。获得的理论结果在重现已知实验数据的基础上又成功预测了包含转动量子数J=80.5在内的高激发振转态的跃迁谱线数据,为进一步正确认识TaO分子的微观结构提供了重要的光谱信息。     

NaAs材料分子R线系高激发量子态跃迁谱线研究

基于课题组前期建立的差分收敛法(DCM)中的微分思想，从双原子分子R线系跃迁能量的经典表达形式出发，推导获得仅需11条已知精确的R支跃迁谱线数据，精准预测出该线系实验上难于测量的高激发量子态跃迁谱线的新解析表达式。利用新解析式，重点研究了NaAs材料分子在其电子态A₃0+→X₁0+的(0, 0)跃迁带的R线系跃迁谱线，不仅获得了实验上没能给出的该跃迁带部分低激发振转态的跃迁谱线数据，还预测了包含转动量子数J=80在内的高激发量子态跃迁谱线。本研究为进一步认识NaAs材料分子的微观结构提供了大量重要的结构信息。     

双原子分子高振转激发态跃迁谱线间的相互关系研究

从双原子分子跃迁谱线的普遍表达式出发,建立了预言双原子分子P、R、Q线系高激发振转跃迁谱线的新代数方法,并给出了1组解析的物理公式。本文从这些公式出发,以TiF（4T5/2-4φ3/2）的（0,0）振动带的Q支跃迁谱线为例,进一步分析了高激发振转跃迁谱线的相互依赖关系,定义了表征实验测定谱线对新谱线的贡献度C（contribution）参数。结果表明,新代数方法提出的物理公式不仅很好地复现已知的实验数据,正确地预言了实验未能测定的很多高激发振转跃迁谱线,而且还能了解不同实验谱线对新谱线的贡献程度,使人们能深人地了解给定跃迁体系中各条谱线之间的相互关系。     

并联双跃迁系统的谱线竞争效应

本文讨论了并联双跃迁系统的谱线竞争效应,提出了“交叉耦合比”的概念,并给出了计算与实验测定的数值,与作者以前计算强场的结果进行了比较.这部分工作是设计双波长同时运转的稳频激光器的基础.     

CuI－SeVI离子谱线和振子强度的理论计算

通过对３ｄ１０４ｌ（１＝ｓ，ｐ，ｄ，ｆ）和（３ｄ９４ｓ４ｐ组态部分能级的ＨＸＲ理论计算值与实验值之差△Ｅ随Ｚｃ（Ｚｃ＝Ｚ－Ｎ＋１）变化的分析研究，找出了△Ｅ与Ｚｃ之间的一种新的拟合公式，用该拟合公式和相应的ＦＯＲＴＲＡＮ程序对上述组态能级的ＨＸＲ方法理论计算值进行了拟合计算．给出了至今还没有实验值的部分能级。     

分子r(0 0)r(1 1)谱线的理论研究

该文利用分子能级结构理论,计算了NO分子r(0 0)r(1 1)谱线P、Q、R支的波长值,并与由共振增强多光子电离及飞行时间质谱技术获得的NO分子振转态NO(X2Ⅱ,ν〃J〃)的r(0 0)r(1 1)离子谱的实验结果比较,两者符合很好,这表明采用Ee、Ev、Er的分子能级结构理论,计算得到的双原子分子NOr(0 0)r(1 1)的谱线波长值是合理的,它是分子高分辩率谱线标识理论计算的一种重要方法。     

我国转型期教育投资的理论思考

我国目前处在社会深刻变革的历史时期，面对人民群众对优质教育资源有着强烈需求而优质教育资源供给又严重不足的基本矛盾，笔者运用制度分析方法，从教育的准公共产品属性入手，对我国转型期教育投资市场的基本因素、运行特点进行分析，希冀对现行的教育投资制度研究有所帮助。     

过渡金属硫化物类富勒烯的研究

过渡金属硫化物类富勒烯，由于其独特的分子结构、电子结构及电、磁学性质和潜在的应用前景，因而成为当前富勒烯研究的一个热点课题。该文对过渡金属硫化物类富勒烯的研究进行了综述。     

内嵌乙硅烷的推拉型有机分子的二阶非线性光学性质的理论研究

用密度泛函理论方法计算了系列含乙硅烷的推拉型有机分子的结构、电子性质和非线性光学（ NLO）性质。该系列分子具有典型的电子供体－共轭桥－电子受体结构,其中乙硅烷的饱和Si Si键嵌入共轭桥,改变了共轭体系的电子性质,导致分子的电子吸收光谱、偶极矩、极化率、超极化率、结晶行为等发生显著改变。在比较研究该系列化合物电子结构的基础上,提出了进一步优化其NLO响应的方法。     

一种基于分带谱熵和谱能量的语音端点检测算法

语音端点检测的精确度直接影响语音识别的准确度.在噪声环境下,语音端点检测很困难.信噪比下降,语音端点检测的正确率也随之下降,同时,噪声类型的变化影响端点检测的正确率.为此,提出了一种改进的、适合在电话语音城市名识别系统中应用的端点检测算法,并结合分带谱熵和谱能量形成了一个新的特征参数集,利用该参数集进行端点检测,弥补了分别采用分带谱熵和谱能量进行端点检测的缺陷,提高了检测性能.     

BN/聚砜导热绝缘复合材料的制备及性能

采用粉末混合法制备了BN/聚砜导热绝缘复合材料,用扫描电子显微镜（SEM）、导热系数测试仪和超高电阻微电流测试仪对复合材料的微观形貌、导热性能和电绝缘性能进行了表征。结果表明：硅烷偶联剂改性处理后的BN粉体与聚砜基体之间的相容性较好;BN/聚砜复合材料的导热系数随BN含量的增加而增大,最大可达2.08（W·m^-1·K^-1）;表面电阻率和体积电阻率随BN含量的增加而减小,最低值分别为0.82×10^15Ω和1.78×10^15（Ω·cm）,具有电绝缘性。     

Effects of microstructure modification on properties of AlN/BN composites

It is very difficult to prepare full-densified aluminum nitride-boron nitride （AIN/BN） composite ceramics with homogeneous microstructure and high thermal conductivity. Spark plasma sintering （SPS） was used to fully densify the AIN/BN composites in this work. Microstructure, mechanical properties and thermal conductivity of the SPS sintered AIN/BN composites with 5-30 vol% BN were investigated. The results show that the microstructure of composites is fine and homogenous, and the AIN/BN composites exhibit high mechanical properties. To promote the growth of AIN grains and modify the distribution of grain boundary in AIN/BN composites, a heat treating methodology was introduced through gas pressure sintering （GPS）. This processing was significantly beneficial to enhancing the thermal conductivity of the specimen. The thermal conductivity of AIN/BN composites with 5-30 vol% BN reached 60 W/m K after the samples were treated by GPS.