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本文简单叙述长波160元光导碲镉汞红外探测器,3~5μm锑化铟和8~12μm光导碲镉汞双波段红外探测器的制造工艺过程,性能和使用情况。 相似文献
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讨论了一个多元光导碲镉汞探测器电串音的物理模型,理论计算表明,探测元电串音的大小为(N-1)Re/Rb,实验结果与计算一致 相似文献
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本文简单叙述长波160元光导碲镉汞红外探测器,3-5μm锑化铟和8-12μm光导碲镉汞双波段红外探测器的制造工艺过程,性能和使用情况。 相似文献
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文章介绍了小型实用化长波光导碲镉汞线列红外探测器组件在华北光电技术研究所的发展近况,其制造技术和性能均得到显著的提高。 相似文献
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本文分析了探测器长度对Hg_(1-x)Cd_xTe光导探测器性能的影响。分析是针对工作在77~300K温度范围3~5μm和8~14μm波段的器件进行的。将由几个厂商制造的探测器的实验数据与基于Rittner模型及我们为有阻挡接触点的光导器件开创的理论研究所做的理论预测进行了比较。力图阐明理论与实验结果之间的差异。 相似文献
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碲镉汞光导探测器设计参数 总被引:1,自引:0,他引:1
利用微机计算了碲镉汞光导探测器的各种参数,如辐射寿命、俄歇寿命、热噪声、产生复合噪声、响应率和探测度。文中强调了背景激发的非平衡载流子△p和扫出效应的作用。在附录中给出了产生复合噪声的扫出作用的新推导。定义了扫出因子Q。详尽分析了各参数之间的关系,以求得最佳器件设计的思想方法。 相似文献
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文章报道了空间多光谱扫描仪红外波段多元光导碲镉汞探测器的研制与优值。重点研究并解决了多元器件光谱曲线不一致性的问题,简述了器件的优值波段响应率RΔλ1,波段探测率DΔλ和单色响应率Rλ的测试定标方法,以及器件按空间环境使用要求经历老炼和环境条件试验的情况。测试结果表明多元件性能稳定可靠,各项指标均达到了空间多光谱扫描仪的技术要求。 相似文献
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本文报导探测器/微杜瓦,1.75W/80K分置式斯特林制冷机和大动态,低频,低噪音,低源阻集成前置放大器组成的全国产化工程化160元双排线列光导碲镉汞红外探测器组件和分置式斯特林制冷机制的120元单排线列光导碲镉汞红外探测器组件性能;简述组件芯片制造工艺,组件中探测器芯片,微杜瓦,网络电阻排,吸气剂,测温二极管和微型连接器间的组装技术;介绍组件机械耦合技术和总体联调技术。 相似文献
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报道了HgCdTe光导探测器光电参数随温度变化的关系,重点描述了光谱响应变温测试,给出了HgCdTe器件从液氮到室温 之若干个不同温度点测试的光谱响应曲线及器件变温测试的性能参数对照表,并与经验公式计算结果进行对比,给出了相应的测试误差分析。 相似文献
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把掺杂层对HgCdTe光导探测器表面的影响视为掺杂层电活性载流子与基底材料电活性载流子之比的函数关系,作了理论研究。结论是:在较薄层正面和背面作适当掺杂,可能提高光导探测器的响应率。 相似文献
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多元8~12μm碲镉汞光导探测器组件电子工业部十一所王海华等本文论述了30元、60元8~12μm碲镉汞光导探测器组件的最近技术进展,这两种探测器组件是“八五”期间科工委、电科院重点课题,是碲镉汞实用化课题。多元MCT光导探测器组件主要由三部分组成:多... 相似文献
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光导碲镉汞红外探测器探测率高,响应率大,响应时间快,七十年代为先进国家推广使用,尤其是空间技术和特殊军事应用上。我们研制的8~14μm玻璃结构和金属结构光导碲镉汞器件曾由国内用户应用于美国HRC红外多谱扫描系统,用户认为其性能与SBRC公司相当;用在中科院物理所研制的紫外-红外平面扫描干涉仪中;效果很好;为高能物理所激光加速原理试验提供了一种探测光场的新方法;北京大学利用该器件在研究“锑化 相似文献
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为了提高碲镉汞红外探测器的性能,对ZnS钝化的碲镉汞光导型探测器进行了氢化处理研究,发现处理效果与氢等离子体密度和ZnS钝化层的厚度密切相关。对于ZnS层厚度固定的器件,通过改变氢等离子体密度发现低等离子体密度条件氢化处理更有利于提高器件的性能,表现在处理后器件响应信号提高且噪声下降,从光谱响应上表现为器件短波方向的响应抬高;对于同样的氢化处理条件,通过改变ZnS钝化层的厚度,发现具有较大厚度ZnS层的器件的氢化效果更好。SIMS测试发现氢化过程中氢离子可以穿过ZnS层到达ZnS与碲镉汞的界面处,分析认为氢离子对界面态起到了钝化作用,降低了界面态密度,提高了器件的性能。 相似文献
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本文论述了电子工业部十一所60元光导碲镉汞探测器实用化组件的最新技术进展,着重分析了影响探测器组件性能指标的诸多因素,并且首次发表了几只组件达到的主要技术指标。 相似文献
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本文通过超声楔焊过程,理论分析了塑性变形和界面的切向移动是提高焊接质量的两个主要因素,根据上述两方面因素,结合我们目前的多元光导碲镉汞器件流程中半过渡延伸电极形成区焊区的特点,提出了适合该工艺压焊区薄膜的最佳厚度在500nm以上,膜层要有良好的欧姆 相似文献
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0.1电子伏HgCdTe光导器件的研制进展使D~*和响应率的性能在宽的温度范围内接近由俄歇复合理论预测的理论热极限,同时显著地改善了1/f噪声、阵列的均匀性和烘烤稳定性。简单的俄歇理论亦说明了70 K以上所测得的产生复合噪声随温度的变化。 相似文献