薄膜太阳能电池的进展和展望

薄膜太阳能电池因具有价格低、弱光性好、大面积自动化生产、柔性便携等优点,表现出极大的发展意义和良好的市场前景。目前光伏市场上薄膜太阳能电池主要分为硅基薄膜太阳能电池、碲化镉薄膜太阳能电池、铜铟镓硒薄膜太阳能电池三大类。本文介绍了三种薄膜太阳能电池的发展现状,指出了它们的优点和存在的主要问题,分析了学术界和产业界针对这些问题的解决方案,展望了其发展前景。     

制备硅薄膜太阳能电池的先进技术与实验研究

介绍了Si薄膜太阳能电池的材料与结构,重点介绍了几种叠层薄膜太阳能电池,详细阐述了近年发展的用于制备低成本、高效率Si薄膜太阳能电池的技术与最新的实验研究成果,其中高温沉积法、低温沉积法、层转移法尤为重要,展望了Si薄膜太阳能电池未来的技术发展和科研方向.三叠层薄膜太阳能电池是有发展前景的产品之一,更多叠层的薄膜太阳能电池与量子点叠层薄膜太阳能电池将长期作为实验研究的热门课题.     

电沉积制备CIS薄膜太阳能电池材料

电沉积法制备CIS薄膜因具有可实现大面积制备,成本低,制备效率高以及污染小等优点而得到了重点研究,是最有应用前途的薄膜太阳能电池材料之一.概述了电沉积制备CIS薄膜太阳能电池材料的原理、制备工艺,同时介绍了CuInSe2薄膜太阳能电池材料的发展概况.     

NiO/ZnO薄膜太阳能电池的研究进展

综述了近年来国内外NiO/ZnO薄膜太阳能电池的研究进展,重点介绍了有无掺杂的NiO/ZnO薄膜太阳能电池的制备方法及电性能指标,并简要分析了该异质结薄膜太阳能电池存在的问题和未来发展动向,认为未来NiO/ZnO薄膜太阳能电池的研究应集中在通过选择掺杂元素以及引入中间层来提高电学特性.     

多晶薄膜太阳电池发展

太阳能电池正在发生革命性地变化,近年来,业界已经充分掌握了以薄膜取代硅晶制造太阳能电池的技术。专家认为,未来5年内薄膜太阳能电池将大幅降低成本,届时这种薄膜太阳能电池将得到广泛应用。     

聚噻吩/无机纳米异质结薄膜太阳能电池材料的研究进展

近年来基于聚噻吩/无机纳米材料的异质结薄膜太阳能电池研究发展迅速,引起了研究者广泛的关注。阐述了异质结薄膜太阳能电池的工作原理,较全面综述了聚噻吩/无机纳米材料的异质结薄膜太阳能电池的最新研究结果,包括:聚噻吩与TiO2、ZnO、CdSe和CdS无机纳米材料复合电池器件等。分析和展望了今后聚噻吩/无机纳米材料异质结薄膜太阳能电池的研究重点和发展方向。     

基于聚噻吩衍生物的异质结薄膜太阳能电池

近年来聚噻吩衍生物作为电子给体材料的异质结薄膜成为国内外研究的热点.讨论了异质结薄膜太阳能电池的工作原理,重点分析了材料、混合比例、制作工艺等对聚噻吩衍生物异质结薄膜太阳能电池性能的影响,并指出了今后聚噻吩衍生物异质结薄膜太阳能电池的发展方向.     

太阳能硅薄膜电池的研究进展

阐述了太阳能电池发电原理和硅系太阳能薄膜电池（单晶硅、多晶硅和非晶硅）的结构、基本原理和特点。介绍了硅系太阳能薄膜电池的发展现状,同时对其优缺点进行了比较,并分析了硅系太阳能薄膜电池的发展前景。     

薄膜太阳能电池的技术特点及前景展望

本文着重阐述了非晶硅薄膜电池、多晶硅薄膜电池、铜铟硒系薄膜太阳能电池以及染料敏化二氧化钛薄膜太阳能电池生产技术方法以及研究方向，特别介绍了一些薄膜太阳能电池的实验室样品和组件的最高光电转化效率。并从材料、工艺与转换效率等方面讨论了它们的优势和不足之处。同时介绍了国内外薄膜太阳电池研究的进展，展望了薄膜太阳能电池的发展前景。     

SiGe∶H薄膜太阳能电池研究进展

针对氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜太阳能电池在发展过程中所面临的问题,阐述了氢化硅锗(SiGe∶H)薄膜在太阳能电池制备方面的优越性及其最新研究进展,总结了提高SiGe∶H薄膜太阳能电池效率的几种方法,着重介绍了叠层太阳能电池内部运行机理,分析了影响叠层太阳能电池转换效率的因素,最后对SiGe∶H薄膜材料在太阳能电池领域的应用前景以及一些亟待解决的问题进行了展望。     

薄层扫描仪校准方法探讨

薄层扫描仪已广泛应用于医药的研制和生产领域,但目前国内还没有相关的检定规程或校准规范,无法保证其计量性能的准确一致。文章简要介绍了薄层扫描仪的作用、工作原理及结构,探讨了薄层扫描仪的校准项目和校准方法,对其操作步骤及性能要求做了规定,为薄层扫描仪的计量校准提供了一种可行的方法和依据。     

Turning an organic semiconductor into a low-resistance material by ion implantation

We report on the effects of low energy ion implantation on thin films of pentacene, carried out to investigate the efficacy of this process in the fabrication of organic electronic devices. Two different ions, Ne and N, have been implanted and compared, to assess the effects of different reactivity within the hydrocarbon matrix. Strong modification of the electrical conductivity, stable in time, is observed following ion implantation. This effect is significantly larger for N implants (up to six orders of magnitude), which are shown to introduce stable charged species within the hydrocarbon matrix, not only damage as is the case for Ne implants. Fully operational pentacene thin film transistors have also been implanted and we show how a controlled N ion implantation process can induce stable modifications in the threshold voltage, without affecting the device performance.     

纳米晶化对CoNbZr薄膜结构及阻抗的影响

采用独特的快速循环纳米晶化技术,对直流磁控溅射制备的非晶CoNbZr软磁膜,进行纳米晶化。研究了在不同的纳米晶化工艺条件下．薄膜的微观结构和阻抗性能。CoNbZr软磁薄膜晶粒细化到30nm．阻抗值从20Ω增加到100Ω(1400MHz),阻抗共振峰向低频移动200MHz左右．极大改善了薄膜的软磁性能。     

溅射SnO_xF_y与SnN_xF_y减反射涂层

反应高频磁控溅射SnO_xF_y与SnN_xF_y膜的沉积率约达50nm/min,这些膜的折射率约1.7,可用于作为金属氧化物涂层的减反膜。给出了SnO_xF_y/SnO_x与SnN_xF_y/SnO_x,多层膜的减反射性能。     

Turning an organic semiconductor into a low-resistance material by ion implantation

Abstract

We report on the effects of low energy ion implantation on thin films of pentacene, carried out to investigate the efficacy of this process in the fabrication of organic electronic devices. Two different ions, Ne and N, have been implanted and compared, to assess the effects of different reactivity within the hydrocarbon matrix. Strong modification of the electrical conductivity, stable in time, is observed following ion implantation. This effect is significantly larger for N implants (up to six orders of magnitude), which are shown to introduce stable charged species within the hydrocarbon matrix, not only damage as is the case for Ne implants. Fully operational pentacene thin film transistors have also been implanted and we show how a controlled N ion implantation process can induce stable modifications in the threshold voltage, without affecting the device performance.     

热处理温度对铁电薄膜底电极Pt和Pt／Ti物相与形貌的影响

随着热处理温度上升，在ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上溅射的Ｐｔ、Ｐｔ／Ｔｉ电极中，构成Ｐｔ薄膜的晶粒由小变大，由分布均匀到晶粒局部聚集，最后分离成小岛。Ｔｉ层可提高Ｐｔ薄膜与基片间的粘附性和高温下的稳定性。快速热处理可提高Ｐｔ薄膜在高温下的连续性。并研究了Ｐｔ薄膜对ＰＬＴ铁电薄膜的成品率和分散性的影响。     

纳米复合薄膜的制备及其应用研究

纳米复合薄膜材料由于具有传统复合材料和现代纳米材料两者的优点,正成为纳米材料的重要分支而越来越引起广泛的重视和深入的研究。本文全面介绍了纳米复合薄膜的发展历史、制备方法、薄膜性能及其应用前景。提出了纳米复合薄膜材料研究的关键问题以及今后的发展方向。     

光学薄膜及其发展现状

介绍了传统光学薄膜的原理,并对反光膜、增透膜、纳米光学薄膜等传统光学薄膜的研究现状及应用情况,以及几种新型光学薄膜如高强度激光器、金刚石及类金刚石膜、软X射线多层膜、光电通信用光学薄膜的研究现状及应用进行了详细分析;最后对光学薄膜的发展前景进行了展望。     

纳米GaAs—SiO镶嵌复合薄膜的发光特性

采用射频磁控共溅射法制备了纳米ＧａＡｓ－ＳｉＯ２镶嵌复合薄膜。通过Ｘ射线衍射、透射电镜观察和Ｘ射线光电子能谱等手段研究了薄膜的结构及其与沉积过程中基片温度间的关系。测量了薄膜的光致发光特性。表明,薄膜由晶态的ＧａＡｓ及非晶Ｓdisplay status两相组成,ＧａＡｓ在沉积过程中未明显氧化且以纳米颗粒形式均匀地弥散;ＧａＡｓ的平均粒径依赖于沉积时的基片温度。通过控制基片温度,成功地获得了ＧａＡｓ的平均粒径分     

反应磁控溅射沉积氧化铜薄膜及其电化学性能研究

以金属铜为靶材,氧气为反应气体,采用射频磁控溅射法在不同温度的不锈钢基片上制备了氧化铜薄膜电极.采用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)分别对薄膜的组成和形貌进行了表征分析.电化学测试表明,在基片温度为室温条件下沉积得到的薄膜电极比300℃基片温度沉积得到的薄膜电极首次放电容量高,达到785μAh/(cm2·μm),但循环100次后后者放电容量较高.用交流阻抗法测得锂离子在氧化铜薄膜中的扩散系数为2.46×10-15cm2/s.