一类时序逻辑电路的逻辑参数提取激励波形自动生成

提出了对具有反馈信息的时序逻辑电路进行逻辑参数提取时用于 SPICE模拟的激励波形自动生成方法 ,该方法能根据用户指定的要提取的时延参数要求 ,很快产生这种时序逻辑电路的模拟激励波形 ,从而可以加快逻辑参数的提取过程 ,保证参数提取激励波形的正确性 .该方法的实现 ,可以使逻辑参数的提取完全自动化 ,缩短了逻辑参数库的建立时间 ,具有较高的适用价值     

一类时序逻辑电路的逻辑参数提取 激励波形自动生成

提出了对具有反馈信息的时序逻辑电路进行逻辑参数提取时用于SPICE模拟的激励波形自动生成方法,该方法能根据用户指定的要提取的时延参数要求,很快产生这种时序逻辑电路的模拟激励波形,从而可以加快逻辑参数的提取过程,保证参数提取激励波形的正确性．该方法的实现,可以使逻辑参数的提取完全自动化,缩短了逻辑参数库的建立时间,具有较高的适用价值．     

时序电路逻辑参数提取激励波形的自动生成

本文提出了在提取时序电路逻辑参数时,应用于SPICE模拟时的激励波形自动生成算法,该算法可以根据用户指定的各种相关参数进行激励波形的自动生成,从而缩短了建立逻辑参数库的时间.     

COMPASS的库开发工具Mercury建立逻辑参数库应用

从建立逻辑参数库的实际出发，立新离ＣＯＭＰＡＳＳ库开发工具Ｍｅｒｃｕｒｙ建立逻辑参数库的过程，并给出了一些事例分析。     

利用COMPASS软件的AutoSpice进行逻辑参数提取

本文简单介绍了ＣＯＭＰＡＳＳ软件的ＡｕｔｏＳｐｉｃｅ工具，给出了利用该工具进行逻辑参数提取的一般过程．各有关文件并给出一些实例。     

电迁移物理模型参数统计特性提取新方法

随着ＶＬＳＩ技术的发展，电迁移已成为集成电路最主要的失效原因之一，其可靠性评估技术也显得愈加重要。要改进该技术，不仅需要确定可靠性物理模型参数，而且要求掌握参数的统计分布特性。基于电迁移物理模型，提出一种提取参数统计分布特性的新方法。与传统方法相比，此方法不仅所需实验样品少、实验次数少，能真正得到反映样品离散性的物理模型参数的统计分布特性，而且也可用于其它失效机理（如栅氧击穿）物理模型中。     

基于反向遍历组合单元BDD的延时参数激励波形自动生成算法

本文研究了深亚微米工艺条件下单元特征参数提取和建模的激励生成，提出了一种基于反向遍历组合单元BDD的延时参数激励波形生成算法。该算法通过分析组合单元延时参数激励波形的特征和单元BDD的特征，推导了组合单元延时激励波形的生成定理，给出了基于该定理的组合单元延时激励波形生成算法。算法能快速完备地生成延时参数的激励波形，避免了复杂的布尔函数运算，提高了激励波形的生成效率。     

标准单元工艺参数提取工具的设计及实现

提出了一种标准单元工艺参数自动提取工具的实现方法。该工具能利用用户所提供的功能文件自动生成模拟所需的SPICE激励波形，并能根据SPICE激励波形自动进行参数提取，最后自动生成Synopsys综合库，Verilog仿真库和Vital仿＋＋真库。该工具不仅可用于单个电路的工艺参数提取。也可应用于建立工艺参数库。工具缩短了建立工艺参数库的时间，也减少了工艺参数提取过程中人为引入的误差。     

一种深亚微米工艺条件下的Memory逻辑参数提取方法

随着Memory的集成度越来越高,逻辑参数的提取时间变得无法忍受.在分析Memory结构特点和工作特性的基础上,提出了一种Memory逻辑参数提取的新方法.方法根据AWE模型简化了电路中的RC数量,依据激励波形简化电路中的不活动部分.研究表明新方法能很好地保持电路原有的功能特性和电气特性并大大加快了提取速度.     

射频功率晶体管内匹配技术中键合线的建模仿真与参数提取

金属键合线互连是射频大功率晶体管内匹配技术中的关键手段.键合线的直径、长度、拱高和并列键合线间距等物　理参量,均对器件性能有很大影响.采用三维电磁仿真软件EMDS和射频电路设计软件ADS对金属键合线互连进行了建模　仿真和射频等效参数提取,分析了等效参数与键合线各物理参量之间的关系,针对具体的关系特点及内匹配技术中键合线...     

一种微波滤波器的参数提取方法

在微波滤波器的计算机辅助调试技术中,必须要知道滤波器的状态参数。以往的方法主要是通过滤波器的耦合矩阵来求得它的状态参数,但计算起来相当复杂。介绍一种简单易行的提取滤波器状态参数的方法,该方法通过建立滤波器的等效电路模型,运用软件的优化拟合功能,从而提取出等效电路模型的参数值。实验证明,只要搭建的电路模型精确度较高,就能够迅速、准确地提取出滤波器的状态参数。     

VDMOS场效应晶体管电路模型的构造及参数提取

从VDMOS的物理结构出发建立子电路模型,进而导出描述其交直流特性的参数及模型公式.相对以往文献的结果,该模型避免了过多工艺参数的引入,同时对子电路进行了有效的简化.在参数提取软件中的加载结果表明,该模型结构简单,运算速度快,物理概念清晰,拟合曲线与测试数据符合精度高(直流误差5%以内,交流误差10%以内),适于在电路模拟及参数提取软件中应用.     

CMOS／SOI电路模拟与参数提取

ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴ主要模型参数得一致的提取，因而该模型嵌入ＳＰＩＣＥ后能保证ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的正确模拟工作，从ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件和环振电路的模拟结果和实验结果看，两者符合得较好，说明我们所采用的ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ器件模型及其参数提取都是成功的。     

栅氧化层TDDB可靠性评价试验及模型参数提取

采用恒定电压和恒定电流试验方法对20nm栅氧化层进行了TDDB可靠性评价试验，并完成了1／E模型参数提取，给出了恒定电流应力下描述氧化层TDDB退化的统计模型，较好地解释了试验结果。     

VDMOS场效应晶体管电路模型的构造及参数提取

从VDMOS的物理结构出发建立子电路模型,进而导出描述其交直流特性的参数及模型公式.相对以往文献的结果,该模型避免了过多工艺参数的引入,同时对子电路进行了有效的简化.在参数提取软件中的加载结果表明,该模型结构简单,运算速度快,物理概念清晰,拟合曲线与测试数据符合精度高(直流误差5%以内,交流误差10%以内),适于在电路模拟及参数提取软件中应用.     

深亚微米全耗尽SOI MOSFET参数提取方法的研究

基于BSIMSOI对深亚微米全耗尽SOI MOSFET参数提取方法进行了研究,提出一种借助ISE器件模拟软件进行参数提取的方法。该方法计算量小,参数提取效率高,不需要进行繁琐的器件数学建模,易于推广。将该方法提出的模型参数代入HSPICE进行仿真,模拟结果与实验数据相吻合,证明了这种方法的有效性和实用性。