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利用位于反射界面附近或远离反射界面的单个矢量传感器,提出了一种波形扭曲声波二维方向角的估计算法.首先给出了单个矢量传感器的测量模型;基于波形扭曲声波到达单个矢量传感器时仍能保持空间一致性这个特性,构建矢量传感器的波达方向矩阵;利用此矩阵的信号子空间,求出了波形扭曲声波二维方向角的估计值;并推导了估计的CRB.数值仿真验证了算法的有效性. 相似文献
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利用理论分析和计算机仿真相结合的方法.对三种常用的二维均匀天线阵列(方阵、圆阵、L阵)的空间方向特性进行了深入的理论和仿真实验研究.推导出了三种二维阵列结构的空间方向分辨率的工程近似计算公式,并得到了它们之间的关系;分析了阵元间的互耦对空间方向分辨率的影响,得出了互耦对空间方向分辨率没有影响或影响很小的结论.并对该结论进行了解释;对由工程近似计算得到的空间方向分辨率和计算机仿真得到的实际的空间方向分辨率进行了比较.指出了工程近似计算公式的局限性. 相似文献
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高频电压计量中常常采用固定被检表读标准的方法检定频率附加误差,在检定的过程中,由于信号源电压调节的分辨力不够高或被检数字电压表不稳定,通常被检电压表无法稳定的定度到选定的电压值,从而增大了检定的误差。本文针对高频电压计量中频率附加误差检定中存在的问题,进行探讨和分析,并提出了解决措施和数据修正的方法,并用实验验证了数据修正的合理性和有效性。 相似文献
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二维波达方向(Direction of Arrival,DOA)估计是智能天线技术中的一个关键问题.在低信噪比、低快拍数条件下,常规DOA估计算法的性能会严重下降.针对此问题,提出了一种基于均匀面阵的酉ESPRIT算法.算法将复矩阵转化为实矩阵计算,使运算复杂程度简化,估计精度提高,且可实现参数自动配对,是一种比较高效的DOA估计算法.计算机仿真结果表明了所提算法在测向性能方面比常规DOA估计算法有更好的估计性能,且在低信噪比和低快拍数条件下估计性能不受影响,同时具有更小的运算量. 相似文献
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针对现有近场源估计算法中近场源数量受限于阵元数的问题,提出了一种基于稀疏对称嵌套阵列和稀疏信号重构的近场欠定波达方向估计方法。首先利用四阶累积量,将二维空间参数估计问题转化为一维参数估计问题,同时得到差分阵列;为了进一步提高估计分辨率与减少估计误差,对虚拟阵列的接收信号在空间域进行稀疏表示;最后通过L1范数最小二乘法得到目标源的波达方向。相较于现有算法,该方法可以估计更多的目标源,并且有更低的均方误差与更高的分辨率。实验仿真验证了算法的有效性与优越性。 相似文献
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Xionghui Jia Zhixuan Cheng Bo Han Xing Cheng Qi Wang Yuqia Ran Wanjin Xu Yanping Li Peng Gao Lun Dai 《Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany)》2023,19(19):2207927
In this work, monolithic three-dimensional complementary metal oxide semiconductor (CMOS) inverter array has been fabricated, based on large-scale n-MoS2 and p-MoTe2 grown by the chemical vapor deposition method. In the CMOS device, the n- and p-channel field-effect transistors (FETs) stack vertically and share the same gate electrode. High k HfO2 is used as the gate dielectric. An Al2O3 seed layer is used to protect the MoS2 from heavily n-doping in the later-on atomic layer deposition process. P-MoTe2 FET is intentionally designed as the upper layer. Because p-doping of MoTe2 results from oxygen and water in the air, this design can guarantee a higher hole density of MoTe2. An HfO2 capping layer is employed to further balance the transfer curves of n- and p-channel FETs and improve the performance of the inverter. The typical gain and power consumption of the CMOS devices are about 4.2 and 0.11 nW, respectively, at VDD of 1 V. The statistical results show that the CMOS array is with high device yield (60%) and an average voltage gain value of about 3.6 at VDD of 1 V. This work demonstrates the advantage of two-dimensional semi-conductive transition metal dichalcogenides in fabricating high-density integrated circuits. 相似文献