导电性电子束抗蚀剂

随着集成电路图形的微细化,具有微细图形描绘能力的电子束曝光益显重要。这种技术可用于光掩膜、中间掩膜、不能用光曝光来形成微细图形的GaAs器件和Si器件的制作,以及特定用途的集成电路(ASIC)的制作等方面。电子束在曝光过程中,当所描绘的目的物是绝缘或近于绝缘材料时,由于描绘时带电,所以存在电子束照射点偏移,描绘图形精度降低等缺点,如造成变形。即使是Si基板上的多层抗蚀剂,也会因多层抗蚀剂中残留的入射电子而使其图形精度下降。为了防止带电,传统的作法是在抗蚀剂表面和多层抗蚀剂之间形成金属Si等导电膜,以放出电荷。但这种方法必须在工序中引     

远紫外光刻用负型抗蚀剂

紫外光刻用的橡胶类负型抗蚀剂已满足不了进一步提高集成电路集成度的要求,其原因是: 1.这类抗蚀剂在显影过程中溶胀,从而使图象分辨率难以进一步提高。 2.湿法蚀刻必然引起侧向腐蚀,因此单位面积内所能容纳的元件数就受到限制。后来采用显影时无溶胀的正型抗蚀剂,但由于正型抗蚀剂的涂膜脆,不能和掩膜直接接触,加之微细图案的掩膜较难制作,而且价格昂贵,因此需要采用可以防止掩膜损     

电子束正型抗蚀剂

电子束照相制版具有两大优点:1.可大幅度缩短大规模集成电路从设计到制作的周期;2.可形成1微米以下的微细图形。用于电子束制版的抗蚀剂重点是开发正型抗蚀剂。其原因是:正型抗蚀剂的分辨率比负型高,没有后聚合效应,易于处理。同时,当时东芝开发的电子束扫描装置,正负型两种抗蚀剂都能用,而当时加工部门需要的是高灵敏度、高分辨率的实用性抗蚀剂。高灵敏度正型电子束抗蚀剂的开发有两条途径。第一是,开发交联型抗蚀剂,即在电子束照射前使抗蚀剂交联,使之对显影液有足够的稳定性,然后在电子束扫描到的部     

抗蚀剂近年发展动态

前言自从聚乙烯醇肉桂酸酯、环化橡胶、邻叠氮醌类等光刻胶的相继问世,伴随着紫外光刻技术的发展,抗蚀剂的研制工作正日新月异。进入八十年代,超大规模集成电路、磁泡等器件要求分辨率达亚微米级,由此出现了 X-射线抗蚀剂、电子束抗蚀剂以及深紫外抗蚀剂。本文就它们的现状作些综述。     

负性电子束抗蚀剂氯甲基化聚苯乙烯的合成及其性能的研究

随着集成电路向超大规模集成电路发展,对电子束抗蚀剂的要求也越来越高。如分辨率要求小于1微米,灵敏度要达到10~(-6)～10~(-7)库仑/厘米~2,并能适用于抗干法刻蚀加工工艺等。近年来日本北山礼村等提出了一种新型负性电子束抗蚀剂氯甲基化聚苯乙烯,     

正性光致抗蚀剂主要成膜树脂──酚醛树脂

正性光致抗蚀剂主要成膜树脂──酚醛树脂武玲，余尚先集成电路的小型化与集成化是以微米级及亚微米级的结构单元形成凸像为基础的，而凸像是将抗蚀剂均匀涂布在基片，通过底片曝光、显影形成的。因此，现代化集成电路的发展要以高分辨率的光致抗蚀剂为先决条件。微电子元...     

应用于纳米制造的新型电子束抗蚀剂Calixarene的工艺研究

为了满足电子束光刻（EBL）对高分辨率、性能优秀抗蚀剂的需求,研究了将Calixarene衍生物作为电子束抗蚀剂在胶液配制、电子束曝光及显影等工艺过程中的相关技术.其中电子束曝光实验在JEOL JBX-5000LS系统上进行.实验结果表明,在入射电子能量50 keV、束流50 pA的条件下,Calixarene可以方便地形成50 nm的单线、50nm等线宽与间距的图形结构.通过与常用电子束抗蚀剂的对比,总结了Calixarene在电子束光刻性能上的优缺点,并分析了其成因.作为一种新型的高分辨率电子束光刻抗蚀剂,Calixarene有望应用在纳米结构制造、纳米尺寸器件及电路的研制等领域.     

下世纪的抗蚀刻材料

半导体大规模集成电路的集成度以相当快的速度逐年提高。现已大量生产4M DRAM(最小线宽0.8μm),1991～1992年将大量生产16M DRAM(最小线宽0.5μm)的产品。集成度之所以能如此急剧地提高是与光刻技术的发展分不开的,而该技术则依赖于抗蚀刻材料的开发。表1是短波长抗蚀技术中对抗蚀剂特性的要求,而下世纪在64M和256M DRAM的制作中,对抗蚀剂特性的要求将更高。在此就短波长紫外线光刻,技术中所用抗蚀剂的开发动向     

取代溶剂“ECA”的动向

抗蚀剂行业已积极地用其他溶剂来取代“ECA(醋酸乙酯类溶纤剂)”。溶剂的作用是使抗蚀剂涂敷在圆片表面时能够均匀平整。在劳动卫生法中规定ECA在大气中的浓度低于5ppm,但美国因担心其能致癌,所以作了更严     

抗蚀剂的研究进展

综述了紫外光曝光的抗蚀剂、电子射线抗蚀剂、Ｘ射线抗蚀剂、电沉积抗蚀剂的组成、成像原理和分辨率,并对几种高性能抗蚀剂的原理及用于抗蚀剂的新材料做了介绍。     

高性能化工新材料及其应用(六) 几种电子化工材料(下)

３印制线路板工艺用材料在印制线路板制作工艺过程中需用不少化工材料，这类材料包括干膜抗蚀剂、丝网印料、显影剂、阻焊剂、去膜剂及镀覆化学品等。前二种均属有机高分子材料。３．１干膜抗蚀剂干膜抗蚀剂为三层结构的感光材料，上层为聚酯膜、下层为聚乙烯膜，中间层是...     

感光性树脂市场动向(下)——抗蚀剂用聚合物,光固化用聚合物

一、抗蚀剂用聚合物用于一般半导体元件制造的抗蚀剂材料,其种类可根据曝光光源的波长而灵活使用。光刻照相用光源和对应抗蚀剂材料的种类见表1。     

采用双向偏置曝光的成像干涉光刻技术

成像干涉光刻技术(IIL)具有干涉光刻技术(IL)的高分辨力和光学光刻技术(OL)产生任意形状集成电路特征图形的能力。在IIL中,按掩模图形的不同空间频率成份分区曝光,并使其在抗蚀剂基片上非相干叠加,得到高分辨抗蚀剂图形。本文在研究一般三次曝光IIL原理基础上,提出采用沿X轴正、负方向以及沿Y轴正、负方向偏置的双向偏置照明,分别曝光 X方向、-X方向、 Y方向、-Y方向的高空间频率分量并与垂直于掩模方向的低空间频率分量曝光相结合的五次曝光IIL。理论和计算模拟表明,该方法可以提高图形对比度和分辨力,并减小因调焦误差引起的图形横向位移误差,有利于改善抗蚀剂图形质量。     

日本各公司竞相开发半导体用正型光致抗蚀剂

半导体用光致抗蚀剂正处于由负型向正型的转变之中,以迎接超大规模集成电路时代的到来。在正式的超大规模集成电路制品256K 随机存取存储器的批量生产同时,各公司在光致抗蚀剂的供应方面竞争激烈。目前以64K 随机存取存储器(RAM)为中心的正型抗蚀剂的市场占有率为东京应化工业和     

用改进曝光模型模拟厚胶显影轮廓

考虑厚胶曝光过程中非线性因素的影响及其显影特点,用一套随抗蚀剂厚度发生变化的曝光参数改进的Dill曝光模型,仿真厚层抗蚀剂光刻过程,并比较新曝光模型与原有Dill模型模拟的结果差异。模拟显示,用新曝光模型获得的厚抗蚀剂显影轮廓与实验结果吻合较好;并对厚胶光刻成像机理进行了讨论。通过分析正性厚层抗蚀剂AZ4562的显影轮廓,给出其显影线宽及边墙陡度随显影时间的变化规律,提出应以获得最大边墙陡度作为优化显影时间的思想。对厚度5μm和15μm的抗蚀剂,经计算,可获得良好的抗蚀剂浮雕轮廓的优化显影时间分别为98s和208s。     

微细加工用抗蚀剂

什么是抗蚀剂用于制造电子工业精密元器件的抗蚀剂叫微细加工用抗蚀剂。它是一种通过感应光和电子束等射线后改变对溶剂的溶解性的耐蚀刻性被膜材料。根据对溶剂的溶解性能,分正性(可溶)和负性(不溶)两种;对光敏感者称为光致抗蚀剂;对电子束敏感者称为电子束抗蚀剂;对X线敏感者称为X线抗蚀剂。     

LCD专用抗蚀剂

日本杰昂公司已将LCD(液晶显示器件)生产专用抗蚀剂商品化。加工ITO(铟、锡、氧化物)膜、TFT(薄膜场效应晶体管)等时要用这种抗蚀剂,要求对各种底膜具有较高的附着力,以使蚀刻液对抗蚀剂膜与底膜的交接处     

激光直接写入系统线宽分析

在激光直接写入系统中,由于抗蚀剂内的曝光量分布和光强分布之间有差别,所以在分析线条的形状时,如果用光强分布代替曝光量分布会产生误差.本文给出了用激光直接写入技术制作二元光学元件时,抗蚀剂内曝光量的计算公式.分析了抗蚀剂内曝光区域各点的曝光量分布,它们在显影后所对应的侧壁角和线条宽度以及写入激光束运动速度变化对线条侧壁角和宽度的影响.实验结果和理论分析相吻合.     

高分子纳米LB膜的制备及其光刻性能研究

合成并表征了N-十六烷基丙烯酰胺（HDA）和对叔丁基苯酚甲基丙烯酸酯（BPhMA）的共聚物p（HDA-BPhMA）s。当HDA含量较高时，共聚物可在气，液界面上形成稳定，排列紧密的单分子薄膜，并可以Y型膜的方式沉积在各种固体基片上，形成多层均匀的Langrnuir-Blodgett（LB）膜。这种LB膜被成功地应用于光刻，获得了分辨率为0.5μm的LB膜图形。以该图形为抗蚀层，可将图形进一步转移至金属薄膜上，得到分辨率较高的金属图形，在图形转移的过程中，这种LB膜显示出较高的抗蚀性，有望作为纳米抗蚀薄膜材料在亚微米刻蚀领域得到应用。     

水机材料的抗磨蚀性判据研究

为了证实水机材料的抗磨蚀和抗空蚀性能与材料的常规宏观性能之间的相依关系，选取4种具代表性的材料（碳化钨涂层、NiCr合金涂层、硼不锈钢涂层和钛），进行空蚀和磨蚀试验，并测试了它们的硬度和抗腐蚀性。试验结果表明，材料的空蚀和磨蚀抗力与硬度和抗腐蚀性有着紧密的相依关系:高硬度是抗磨蚀性优的第一判据，较强的抗腐蚀性是第二判据；高抗腐蚀性是抗空蚀性优的第一判据，较高的硬度是第二判据。