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前言
金属探测器因其功能和市场应用领域的不同,可分为以下几种:通道式金属探测器(又称:金属探测门:简称:安检门)、手持式金属探测器、便携式金属探测器、台式金属探测器、工业用金属探测器和水下金属探测器。本文所设计的金属探测器属于手持式金属探测器。金属探测器一般都是基于感应式的工作原理。 相似文献
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本专利所描述的热电探测器,由有效探测器和补偿探测器组成。探测器材料相同。它们夹在两层电极之间,其中一层电极是公共的。两个探测器极化相反,并联相接,就可补偿环境温度变化。热电探测器的问题之一是其灵敏度随环境温度而变化。温度一变,探测器上的电荷 相似文献
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红外探测器的最新进展 总被引:2,自引:0,他引:2
首先,简述了红外光电探测器的发展历史以及分类,可分为室温探测器和低温探测器。然后对每种探测器所使用的材料进行了介绍,室温探测器介绍了氧化钒、无定型硅,低温探测器介绍了碲镉汞(HgCdTe)、量子阱和锡化物超晶格,以及它们在三代红外光电探测器方面的研究进展。最后,介绍了黑硅材料以及黑硅在探测器应用中的最新进展。 相似文献
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由于军事、工业、医学和科学市场对固体探测器需求逐年增加,这就促进先进技术和新产品的发展。随着技术的发展,新产品不断出现,其中包括:紫外光电倍增管、外延生长的铅盐类探测器、InGaAs雪崩光电探测器、热电探测器、HgCdTe探测器、软X射线多通道探测器、肖脱基硅薄膜二极管探测器等等。与这新技术和新产品相适应的是,满足用户对探测器需要的工业能力有所提高。预计美国1987年探测器销售额达1.46亿美元,比1986年增长15%,其中一半以上是半导体产品,主要有硅和HgCdTe探测器。 相似文献
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以多色、大面阵、高性能、低成本为特征的第三代红外探测器是当前红外探测器的发展方向及目标.InAs/GaInSb Ⅱ类超晶格探测器因为独特的断代能带结构以及自身存在的材料和器件优势,在大面阵长波红外探测器、高温中波红外探测器、中波双色探测器以及甚长波红外探测器领域显示出优异的器件性能和技术成熟性,成为第三代红外探测器技术... 相似文献
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1 概述 对于宽波段红外探测,高性能的光子探测器因受到波段的限制而较少被应用;一般都采用热探测器。常规的热探测器主要有热敏电阻探测器和热电堆探测器等。本文介绍一种新型 相似文献
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《红外技术》2016,(8):636-642
在现代高技术战争中,以探测器为核心的光电设备极易受到激光的辐照干扰,严重的情况下则导致探测器内部结构损坏以及材料的永久性损伤致使探测器功能性损坏。所以激光对探测器的硬损伤一直都是研究的热点课题,而探测器的损伤判别方法和损伤阈值的确定则是深入研究损伤机理的关键。近几年来,激光对探测器的损伤判别法在不断改进,也出现了新的判别方法,这使得判别结果的准确性和可靠性都得到了提高。本文主要对强激光损伤探测器的判别方法重新进行了总结,介绍了各判别方法的作用机理及发展趋势,为探测器损伤机理的研究打下了良好基础,同时也为探测器的防护以及激光对探测器的故意损坏提供了理论依据和研究方法。 相似文献
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介绍了昆明物理研究所近几年在红外焦平面探测器组件技术方面的最新进展.随着探测器组件技术的全面突破,焦平面探测器组件批量生产线的建设是昆明光电子产业基地建设的核心内容.HgCdTe材料的提纯、CdZnTe衬底、HgCdTe材料LPE薄膜工艺、探测器芯片平面工艺、读出电路设计和制作、真空杜瓦封装、集成整体式斯特林制冷技术已全面成熟,LW288×4、MW320×256HgCdTe焦平面探测器组件形成批量生产,具备年产数千套探测器组件的生产能力.近期计划完成HgcdTe LW576×6,MW640×480、GaAs/A1GaAs QWlP320×256探测器组件研制.将进一步发展320×240/640×480热释电材料及微测热辐射计非制冷焦平面探测器,1K×1K规模焦平面探测器组件,双色及多色量子阱焦平面探测器组件,在红外焦平面探测器技术领域达到世界一流水平. 相似文献