裂变快中子辐照在GaAs中产生缺陷的正电子湮没研究

采用自电子湮没寿命测量方法研究了注量为６．５×１０＾１５／ｃｍ＾２和１．４×１０＾１４／ｃｍ＾２，Ｅｎ≥１ＭｅＶ的裂变中子辐照在掺Ｓｉ，Ｎ型单晶ＧａＡｓ产物的缺陷，此辐照在ＧａＡｓ中产生单空位和双空位缺限，缺陷浓度于比于辐照注量，高温退火产生三空位缺陷及小空位团，单空位，双空位和三空位缺陷的退火温度分别为２５０，４５０，６５０℃。     

5.0MeV和9.5MeV快中子辐照在GaAs中产生的辐射损伤的正电子湮没研究

采用正电子湮没寿命测量方法研究了５．０ＭｅＶ和９．５ＭｅＶ快中子辐照在ＧａＡｓ中产生的辐射损伤，实验结果表明１０＾１１－１０＾１２ｎ／ｃｍ＾２注量的中子辐照只产生单空位缺陷１０＾１３ｎ／ｃｍ＾３注量的中子辐照产生单空位和双空位缺陷，１０＾１２ｎ／ｃｍ＾２注量的９．５ＭｅＶ中子辐照的ＧａＡｓ经４５０－６２０℃退火产生三空位缺陷，产生的缺陷浓度随中子能量和注量的增大而增大，但缺陷产生率对中子注量更灵敏     

铝外壳Si（Au）面垒探测器受快中子辐照后性能恢复的研究

本文研究了探测器经注量＜10^15n/cm^2的快中子辐照后，在重新加偏压过程中它们的反向电流猛增而使性能变坏的原因，然后采用慢加偏压的方式恢复了探测器的性能，延长了使用寿命。     

纳米晶Al的快中子辐照效应研究

采用真空热压技术将自悬浮定向流法制得的纳米Al粉压制成平均晶粒尺寸约为120nm的块体,并对其进行了注量为1.9×1012~7.2×1014 cm-2的快中子(E1 MeV)辐照。通过X射线衍射(XRD)分析、扫描电子显微镜与能谱(SEM-EDS)分析和显微硬度测试研究了快中子辐照对纳米晶Al的微观结构和显微硬度的影响。研究结果表明:快中子辐照同时造成了纳米晶Al的平均晶粒尺寸增大和显微硬度提高。随快中子辐照注量的增大,纳米晶Al的平均晶粒尺寸和显微硬度分别增大了2.09%~9.09%和3.54%~4.37%。纳米晶Al的平均晶粒尺寸的增长率随快中子注量的增加而增大。     

快中子辐照链霉菌和黑曲霉的诱变效应

本文叙述了快中子辐照弗氏链霉菌、灰色链霉菌、埃维链霉菌和黑曲霉在不同的辐照剂量条件下,对菌种的死亡率、产酸率、遗传性状和变异类型等进行了测定和分析,获得了较满意的结果。灰色链霉菌产生的五种不同的变株、很有深入研究意义。     

隐藏爆炸物检测装置快中子辐照安全分析

为推广隐藏爆炸物检测装置在反恐领域的应用,对快中子辐照炸药、食品及药品的安全性进行了分析。通过蒙特卡罗方法建立了装置的快中子辐照炸药安全性评估模型。通过能量沉积计算及炸药起爆机理分析可知,快中子辐照炸药不会产生爆炸的危险。采用剂量分析法对快中子辐照食品及药品的安全性进行了分析,结果表明,在隐藏爆炸物检测装置的快中子辐照条件下,食品及药品的辐照剂量在国家和国际限定的标准内,快中子辐照食品及药品的安全性是可接受的。     

Si(Au)探测器的快中子辐射损伤

在核实验中,半导体硅探测器常用来对带电粒子和中子进行探测。其能量响应和时间响应特性均十分良好,但是耐辐射性能却较差,尤其在伴有γ和中子本底的环境中,由于辐照引起探测器晶格损伤,导致半导体探测器性能退化,如探测器漏电流增大、能量分辨本领变差、能量亏损增加、时间响应增长等,严重影响探测器的使用和寿命。     

SR-XRD和EXAFS研究Mn掺杂ZnO薄膜的微观结构

用射频磁控溅射技术在蓝宝石衬底上制备了一组不同衬底温度的Mn掺杂ZnO薄膜。质子激发X射线荧光(PIXE)测量表明,薄膜中仅有含量为5 at.%的Mn,未见其它磁性杂质元素(如Fe、Co、Ni等)。同步辐射X射线衍射(SR-XRD)表明,这些Mn掺杂ZnO薄膜具有纤锌矿ZnO结构。SR-XRD和扩展X射线吸收精细结构谱(EXAFS)分析显示,薄膜中未发现Mn团簇或MnO、MnO2、Mn2O3、Mn3O4等二次相,Mn原子是通过替代Zn原子而进入了ZnO晶格。     

一个同轴Ge(Li)探测器的快中子辐射损伤

实验结果表明:本文给出的探测器对快中子辐射损伤的灵敏度相当高。当累积中子通量为6.22×10~8cm~(-2)时,探测器对~(60)Co 1.33MeV γ射线的能量分辨(FWHM)大幅度变坏,为辐射损伤前的三倍;观察到了损伤后的能量分辨的瞬态变化现象;用~(137)C662keV的γ射线扫描技术从实验上再次证明了快中子辐射在探测器中产生空穴陷阱,导致能量分辨变坏。采用简单的净化漂移方法,能恢复损伤过的探测器的性能。     

Radiation damage in beryllium oxide single crystals

Radiation damage in single crystal BeO has been studied using ⁶⁰Co gamma, 2 MeV electron, and epithermal neutron irradiations. The temperature of irradiation and the accumulated dose were kept within the range in which the change in the $\text{a}$ lattice parameter has been found to predominate. The observed changes produced by ⁶⁰Co irradiation are attributed to ionization of crystal impurities. Both electron and neutron irradiation produce optical absorption bands at about 5.25 and 6.5 eV. The energy at which the band peak occurs varies slightly with the conditions of irradiation and from sample to sample. No e.p.r. resonance could be correlated with either band. Neither F⁺ nor V^? centers were observed. The data from the annealing of these two bands indicate that they arise from different but related defects and that they are not due to simple point defects.     

Structural and magnetic properties of Tb implanted ZnO single crystals

ZnO single crystals have been implanted with Tb ions. For an atomic concentration of 1.5%, annealing at 823 K leads to an increase of the saturation magnetization per implanted Tb ion up to 1.8 μ_B at room temperature. Structural investigations revealed no secondary phase formation, but the out-diffusion of Tb. No significant evidence is found for Tb substituting Zn sites either in the as-implanted or annealed samples. However, indications for the existence of a small amount of Tb nanoclusters however have been found using magnetization versus temperature measurements. The ferromagnetic properties disappear completely upon annealing at 1023 K. This behavior is related to the formation of oxide complexes or nanoparticles.