第三代红外成像器（下）

另一种方法是在用铟丘混成之后去除衬底.在制作混成的InSb列阵过程中,衬底的去除是一种标准的操作规程.经过数十次实验,用这种材料制作的甚大规格列阵已得到验证,混成结构的可靠性没有问题.去除CdZnTe衬底有一个附带的好处,那就是列阵对短波长的灵敏度可从0.7μm(CdZnTe的带隙)扩展到可见光和紫外谱区.     

光导型测辐射热计红外探测器

本发明提供一种光导型测辐射热计红外探测器。这种红外探测器是用一种电阻会随入射红外辐射的光激发和热激发而变化的探测器材料制作的。对于这种探测器材料来说,由光激发和热激发引起的电阻变化是叠加的。该探测器材料悬置在衬底上面,它与衬底之间的间隙为入射辐射的四分之一波长,     

制作红外探测器的新三元合金材料的进展

本文对近年来国际上研究较多的新三元红外探测器合金材料的性能及研究进展作了简要论述,特别注重了与碲镉汞材料的对比,同时讨论了用作各种外延的优质衬底材料CdZnTe晶体的现有水平。认为对于新三元窄禁带半导体HgMnTe及HgZnTe,国内应尽早进行技术跟踪研究,8～14μm光谱范围探测器材料的研究重点仍应继续放在HgCdTe材料上。对于优质外延衬底材料CdZnTe的研究,应在现有基础上继续深入下去。     

高温超导红外探测器的研制

用在两种衬底(SrTiO_3和LaAlO_3)上生长的YBa_2Cu_3O_(7-x)。薄膜制成高灵敏的热敏型高温超导红外探测器。经500K标准黑体的测量,在10Hz调制频率时,以SrTiO_3为衬底的器件,D~*(500,10,1)达8.2×10~8cm·Hz~(1/2)/W,NEP(500,10,1)达1.6×10~(10)W/Hz~(1/2);以LaAlO_3为衬底的器件,NEP(500,10,1)达10~(-11)W/Hz~(1/2)。还测量并分析了D~*和NEP随频率的变化和噪声频谱。     

PtSi红外探测器截止波长延长研究

讨论了将PtSi红外探测器截止波长延长的理论基础,并介绍了采用在衬底掺入T1^ 和Ir^ ,MBE生长P^ 层以及低能离子入注B^ ,In^ 未延长PtSi红外探测器截止波长的三种方法。     

SPRITE探测器的优化设计

本文在一维理论的基础上,经微处理机模拟计算,设计给出了工作在8—14μm波段SPRITE探测器的优化参数:器件长700μm,宽62.5μm,厚7μm,读出区长度50μm,工作偏压2.8V。结果表明,受器件粘接胶层热阻及扫出效应的影响,更大的器件工作偏压只能使器件优值参数探测率和调制传递函数交劣。计算结果还表明,尽可能减少器件在衬底上的粘接胶层厚度,背景辐射及材料的净掺杂浓度,有利于提高器件性能。     

硅基红外信平面阵列技术的新进展（Ⅱ）

主要介绍以硅为衬底的ＰｂＳ，ＰｂＳｅ，ＰｂＴｅ，ＰｂＳｎＳｅ，ＨｇＣｄＴｅ，ＩｎＳｂ等红外探测器焦平面阵列的新进展。     

在硅衬底上研制大规格红外焦平面列阵

第三代红外成像技术需要高性能的大规格红外焦平面列阵。HgCdTe红外焦平面列阵所呈现的性能可满足这种要求。基于硅的复合衬底已被证明是实现高分辨率HgCdTe列阵的首选衬底。复合衬底的工艺技术具有可量测性,目前使用的衬底尺寸已达6in,而且具有极好的组分均匀性。代表目前工艺水平的复合衬底所呈现的位错密度处于中低档范围,即10~5cm~(-2)。然而,在复合衬底上生长的HgCdTe外延层所呈现的缺陷密度为10~6cm~(-2)。最近在CdSeTe/Si复合衬底方面的研制工作表明,这种衬底很有希望与HgCdTe合金达到更好的晶格匹配。可以预见,若能进一步提高材料质量并改进器件结构,那么实现基于HgCdTe的可量测的工艺技术是完全可能的。     

碲锌镉晶体定向研究

碲锌镉材料是制备高性能碲镉汞红外焦平面探测器不可或缺的衬底材料.液相外延工艺和分子束外延工艺分别需要使用(111)晶面和(211)晶面碲锌镉衬底制备碲镉汞薄膜材料.低偏角、高精度衬底的选取有利于高质量碲镉汞外延层的获得.介绍了孪晶线快速定向法、使用X射线衍射仪(X-Ray Diffractome-ter,XRD)定向法...     

衬底剥离的量子阱红外探测器研究

对用MBE生长的GaAs/A lGaAs量子阱材料进行了衬底剥离,在此基础上制备了单元器件并测量了器件的黑体响应率以及光电流响应.实验解决了衬底剥离及器件制备中的工艺问题,研究了衬底剥离对材料及器件性能的影响以及用这种方法制备器件的可行性.结果表明选择腐蚀法是一种有效的衬底剥离方法,用这种方法得到的多量子阱薄膜材料仍具有较好的红外探测性能,为进一步实验提供了依据.     

HgCdTe外延用的CdZnTe衬底研制

阐述了ＣｄＺｎＴｅ衬底在红外焦平面阵列探测器研究中的重要性;概括了ＣｄＺｎＴｅ晶体生长的方法、原理和工艺步骤;分析了影响晶体质量（单晶面积、组分及均匀性、结晶完整性、光电特性）的因素,并提出了与质量相关的控制技术;介绍了ＣｄＺｎＴｅ衬底制备过程中,晶片处理的工艺和步骤（晶锭的定向切割、单晶划片、极性鉴别、磨抛、腐蚀）;报道了目前ＣｄＺｎＴｅ晶体的性能水平,晶片处理结果和ＣｄＺｎＴｅ的应用情况。     

基于VO_x薄膜8元线列非致冷微测辐射热红外探测器的制备

报道了应用反应离子束溅射以及后退火工艺在石英玻璃以及Si(10 0)衬底上淀积混合相 VOx 多晶薄膜,并且在石英衬底上制备了实验用 8元线列红外探测器。用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)分别测试结果显示薄膜为表面光滑、致密且具有针状晶粒的混合相多晶结构,探测器的性能测试结果显示该探测器可以实现 8～ 12μm的非致冷室温红外探测     

红外探测器中的异质界面和缺陷的研究

近年来,在遥感、遥测、制导、预警、夜视、深空监视、以及医学诊断等领域中,SiGe/p-Si异质结红外探测器及红外焦平面阵列技术已显示出重要的应用前景[1]。为了提高了探测器的量子效率,采用了叠层结构的发射极[2]。因此,器件的性能与其微结构、界面状况和其中的晶格缺陷有密切的关系。本文采用定位横断面试样制备技术对三层和六层叠层结构的红外探测器进行了观察,研究了界面的结构和确定了缺陷的特征。衬度像和电子衍射表明,p-Si衬底的表面平整,取向为[100]。衬底中未见晶体缺陷。Si0.65Ge0.35叠层被未掺杂(UD)Si层分隔开。Si0.65Ge0.35…     

硅基红外焦平面阵列技术的新进展（I）

主要介绍以硅为衬底的非本生硅、金属硅化物肖特基势垒红外探测器，ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ异质结内光电发射红外探测器，硅基红外图象传感器、硅微测辐热计等红外探测器焦平面阵列的新进展。     

红外探测器封装陶瓷衬底材料特性及其应用研究

随着红外探测器阵列规模快速提升,在封装杜瓦要求轻量化、低成本、高效率的形势下,封装杜瓦陶瓷衬底设计难度加大。文章对比了几种科研实际中使用的陶瓷材料特性及其工艺可行性;研究了在测试杜瓦中,随着混成芯片阵列规模的提升,热应力与芯片尺寸的相对关系;研究了Al2O3、AlN、SiC衬底材料在降低芯片热应力方面的能力差异;结合目前陶瓷加工工艺水平、加工成本以及探测器阵列规模,给出了Al2O3、AlN、SiC衬底材料在实际应用中的选取建议。     

用红外反射比度量涂层的方法

本发明提供一种用以测量金色衬底非镜面或镜面上的非散射涂层的无损方法．被测表面可以是粗糙的表面,如用化学方法处理过的表面．测量时,先将红外能量发射到一个与金属衬底表面涂层样品物理接触的积分球内。发射的红外能量一部分被涂层吸收,一部分被金属衬底表面反射,还有一部分则被金属衬底散射了．积分球对红外能量总反射比进行积分．红外探测器探测两个波段的总反射比．两个波段之一的总反射比的下降便表明涂层存在或者可以被转换成涂层的量．     

用Ⅲ-Ⅴ族氮化物制成的红外探测器

本发明提供一种量子阱红外光电探测器,它包括一层衬底、一层缓冲层、第一层导电层、一个多量子阱、一层任选阻挡层和第二层导电层。其中,衬底是用一种单晶体制作的,在器件制备完毕后可以去除掉。其余的膜层则是由Ⅲ-Ⅴ族氮化物构成的。这种量子阱红外光电探测器的优点是,能够敏感正入射和斜入射的近红外至甚远红外波长的光。     

法布里-珀罗滤光片、红外探测器以及采用滤光片和探测器的红外气体分析仪

本发明提供一个法布里-珀罗滤光片器件,一个波长可选择的红外探测器和一台非色散红外气体分析仪。法布里-珀罗滤光片器件用于有选择性地让三个波段的红外辐射透过,它由衬底、固定反射镜、可移动反     

大面积光伏碲镉汞四象限探测器的设计考虑

介绍了ＣＯ２激光制导用大面积光伏碲镉汞四象限探测器的参数设计和工艺考虑，重点讨论了材料参数对器件主要性能参数的影响，得出ｐ型衬底浓度的最佳选择范围为（０．５～１．５）×１０１６ｃｍ－３。研制结果表明，探测器的各项性能参数均达到了设计指标要求。     

新构思硅红外探测器

在Ｓｉ衬底上用ＭＢＥ方法进行ｎ型与ｐ型δ掺杂，将Ｓｉ的能带调制成锯齿型结构，产生Ｓｉ的带间跃迁．控制掺杂浓度与周期，来控制电子（空穴）跃迁的有效能隙，可望制成８－１２μｍ波长的Ｓｉ超晶格带间跃迁型红外探测器．