电子束轰击下的试样的热效应

本文针对电子探针和透射电镜的情况,研究了电子束轰击下产生的热效应,提出了物理模型,计算了试样的温升,并用不同的实验进行了验证。在电子探针分析中,电子束轰击产生的热量可认为来源于试样中半径为r_0的半球正中,即产生于电子运动范围内,在这区域不同地方产生的热量不一样。假定在电子束半径R_0内,样品的热产生率一定,为常数a,而在R_0—r_0范围内则线性下降,即单位体积中热产生率函数:     

电子束轰击引起荧光体发光效率变低的原因

CRT 在使用中,荧光体在电子束轰击下发光效率变低,被称为“烧伤”。近年来,荧光屏注入功率密度很大的投影管及高亮度显示器的应用,荧光体“烧伤”问题更显严重。各国除致力于开发发光效率高的新荧光体外,还不断研究荧光体使用中的“烧伤”原因。本文对此进行了综合分析。     

沸石分子筛合成方法概述

本文主要论述了传统法与微波法合成沸石分子筛的特点,分析了两类方法合成的分子筛性能的差异,并对微波技术在沸石分子筛材料合成中的应用进行了探讨与展望。     

影响Ga-Si-ZSM-5沸石分子筛形貌及晶粒大小的因素

考察了影响合成Ｇａ－Ｓｉ－ＺＳＭ－５分子筛形貌和晶粒大小的若干因素，实验结果表明，合成参数的影响非常大，在低温、加压条件下可获得更小晶粒的分子筛产物。     

超微粒子／沸石分子筛组装精细复合功能材料

超微粒子／沸石分子筛组装精细复合材料是新型超微结构材料。本文综述作为超微粒子的基质的一种孔径大小在１０￣２００Ａ的沸石分子筛的合成原理与方法，并叙述了超微粒子／沸石分子筛组装复合材料的制备。     

水热法合成超大孔径（ULP）沸石分子筛

采用沸石分子重量来组装半导体纳米粒子为获得量子限域体系提供了一种新的途径，本文报导利用表面活性剂的模板机制通过水热合成制备出用于组装半导体纳米粒子的大孔径沸石分子筛。     

直接写入电子束光刻中的辐照损伤

对电子束曝光时间和束流改变引起的ＭＯＳ器件阈值电压有效迁移率的变化以及辐照损伤的消除作了研究，并对辐照损伤及退火的机理进行了探讨。     

用扫描电镜及透射电镜研究MTO催化剂——ZSM-5沸石分子筛

进入21世纪，石油价格不断攀升，在石油的持续供给无法保障的情况下，人们开始寻找其它替代资源来生产石油化工产品。其中以甲醇制烯烃（MTO）反应的研究相当活跃，并取得了一些突破性进展，反应所用的催化剂就是沸石分子筛。     

电荷耦合器件在电子束参数测量中的损伤问题

针对直线感应电子加速器(LIA)实验束参数测量技术应用过程中,电荷耦合器件(CCD)在纳秒激光辐照下工作的损伤效应方面进行研究。在分析CCD感光成像原理及其高能粒子测量应用的基础上,通过监测这种辐射下CCD输出信号的变化和实验后CCD的成像,对CCD中发生的软、硬损伤进行探讨,得到CCD能量损伤阈值的光子的响应特性和辐射损伤评估,保证了加速器束参数测量的可靠性。     

电子束蒸发制备平板偏振膜激光损伤特性研究

采用电子束蒸发沉积技术制备了平板偏振膜。用Lambda900分光光度计测试了其光学性能。在中心波长1053 nm处P偏振光的透过率TP>98%,S偏振光的透过率TS<0.5%,消光比TP/TS>200∶1,带宽约为20 nm。用波长1064 nm,脉宽12 ns的脉冲激光进行损伤阈值测试,获得P偏振光的损伤阈值为17.2 J/cm2,S偏振光的损伤阈值为19.6 J/cm2。用Nomarski显微镜对薄膜的损伤形貌进行观察,并用Alpha-500型台阶仪对损伤深度进行测试。结果表明,P偏振光的激光损伤为界面损伤与缺陷损伤,而S偏振光的激光损伤主要是驻波电场引起的界面损伤,界面损伤发生在偏振膜表面第一层与第二层界面处,缺陷损伤发生在偏振膜内部。     

Ar~+背面轰击对肖特基势垒特性的影响

用低能量氩离子束轰击肖特基势垒二极管芯片背面，能有效减小反向电流和理想因子，增高势垒高度和减小势垒电容．对于较大的轰击能量和束流密度，特性改善的效果较显著．但过长的轰击时间会使改善的程度减小，甚至可能使特性变坏．实验证明，势垒特性的改善与界面态和固定电荷密度的减小有关．文中利用应力补偿机理对结果进行分析     

MoO_3薄晶体在电子束轰击下的结构变化

MoO_3薄晶体极易发生结构变化(尤其在强电子束下)。我们利用透射电镜HU—11(采用自制的600μ孔径的第二聚光镜光栏,75kV加速电压)和H—800(采用150μ孔径的第二聚光镜光栏,200kV加速电压,1～8μ束斑),在不同强度的电子束下(通过改变第二聚光镜的电流),对无支持膜依托,且架在微栅或铜网孔边的MoO_3晶体的结构变化过程进行了观察。     

电子束照射下金纳米微粒的接合

纳米微粒由于其独特的物理、化学性能而受到世界范围的广泛关注。使用金属、合金、半导体和陶瓷纳米微粒来制备功能材料,如陶瓷超塑性材料,一直是科学家们研究的焦点。为了了解这些纳米微粒不同寻常的特性,开发将这些纳米微粒制成块体功能材料的方法,必须对纳米微粒的接合行为进行研究。用电子束照射的方法在HRTEM中动态观察A1/A1纳米微粒的接合过程作者已有报道[1～3],本文研究了金纳米微粒的迁移、旋转和接合,并对其接合机理进行分析讨论。具有直径为1～6纳米的金纳米微粒是由氩离子束溅射技术制备的[3]。金纳米微粒放置在厚度大约为20…     

电子束辐照下碳沉积的分形生长

电子束辐照下碳沉积的分形生长柳得橹张济忠（北京科技大学材料物理系，北京１０００８３）（清华大学材料科学与工程系，北京１０００８４）分形生长理论自七十年代提出后已在许多学科中得到迅速发展，尤其是关于远离平衡态的非线性过程往往要借助于分形理论进行研究［１...     

背面Ar+轰击对n-沟MOSFET特性的影响

研究了低能量背面Ar+轰击对n-沟MOSFET特性的影响.用低能量(550eV)氩离子束轰击n-沟MOSFET芯片的背面,能改善其阈值电压VT、跨导gm、沟道电导gd和有效迁移率μeff等参数.结果表明,随着轰击时间的增加,阈值电压先减小,随后变大;而跨导、沟道电导和有效迁移率先增大,随后减小.实验证明,上述参数的变化是由于界面态密度和固定电荷密度变化的结果.     

背面Ar~+轰击对n~-沟MOSFET特性的影响

研究了低能量背面 Ar+轰击对 n-沟 MOSFET特性的影响 .用低能量 (5 5 0 e V)氩离子束轰击 n-沟 MOSFET芯片的背面 ,能改善其阈值电压 VT、跨导 gm、沟道电导 gd 和有效迁移率 μeff等参数 .结果表明 ,随着轰击时间的增加 ,阈值电压先减小 ,随后变大 ;而跨导、沟道电导和有效迁移率先增大 ,随后减小 .实验证明 ,上述参数的变化是由于界面态密度和固定电荷密度变化的结果     

电子轰击型有源像素传感器在激光雷达的应用

激光雷达技术是成像前沿技术之一,在红外波段尤为重要。由于大面阵激光成像雷达回波很弱,且红外波段探测器灵敏度等技术指标较低,导致成像距离有限,制约了其应用范围。美国Intevac公司发明并生产的电子轰击型有源像素传感器(EBAPS)适用于微光探测,且其响应谱段为950～1650 nm。美国陆军实验室等单位将EBAPS用于激光雷达。本文简述了EBAPS的工作原理及其三代相机产品的特性,重点介绍了EBAPS在激光雷达中的应用情况。旨在为我国激光雷达的发展及微光成像中探测器的选择提供参考。     

电子束焊接在传感器封装中的应用

本文通过对利用高真空电子束焊机,对压力传感器、振动筒传感器等器件的封袋工艺进行了大量的实验研究表明:真空电子束焊接,加热点小、功率密度高、焊接速度快、便于控制、电子束作用力微小、焊缝精度高、工件不氧化等特点,非常适用于多种传感器的封袋工艺。     

氧离子束轰击后的InP表面形貌实验研究

用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和扫描隧道同镜（ＳＴＭ）对遭受斜入射Ｏ２离子束轰击的ＩｎＰ表面形貌变化进行了研究。结果表明：波纹状的表面形貌从０．４μｍ的溅射深度开始形成。在溅射深度为０．４－２０μｍ范围,波纹状表面形貌的波及以及无序性均随溅射深度的增加而增加,波长与溅深度有关而与溅射速率无关。研究结果证实由Ｏ２离子束轰击导致的ＩｎＰ表面波纹形貌能够通过在轰击期间旋转样品得到有效抑制。