沸石分子筛X射线能谱分析中的Na沉积

以前曾经发现某些硅酸盐玻璃和矿物在电子束轰击下一些元素的计数率不稳定。近年来人们用电子探针对快离子导体和长石类矿物等的Na~+离子迁移现象的研究表明,长石类矿物随着X射线采集时间的增加,Na计数率下降,而β—Al_2O_3的Na计数率则上升。我们在对NaA和NaHs沸石分子筛的能谱分析中也发现了这种Na~+迁移现象。分子筛具有多孔道的骨架结构,在孔道中有金属阳离子存在,以保持体系的电中性。阳离子在沸石分子筛中的行为对分子筛物化性能的研究及分子筛应用的研究都有一定的参考价值。对阳离子的研究一般采用红外谱和磁共振等方法。本文试图用扫描电镜及X射线能谱仪对NaA和     

超微粒子／沸石分子筛组装精细复合功能材料

超微粒子／沸石分子筛组装精细复合材料是新型超微结构材料。本文综述作为超微粒子的基质的一种孔径大小在１０￣２００Ａ的沸石分子筛的合成原理与方法，并叙述了超微粒子／沸石分子筛组装复合材料的制备。     

电子显微方法研究BaX沸石的形态和结构

一、前言: Bax型沸石分子筛作为功能材料已用于从混合Cs芳烃中吸附分离对二甲苯。由于吸附剂的性能主要取决于沸石的本征特性和成型特性,故电子显微方法已在这一领域得到了广泛的应用。本文用SEM、TEM、HEED、EDS四种电子显微方法研究了两种BaX沸石的晶体形貌、结晶规整度、阳离子分布及其对吸附性能的影响,取得了肯定的结果。二、实验部分: 1.试样ADS—7型BaX沸石,美国UOP公司制,CBX—5型BaX沸石,我院研制。     

沸石分子筛合成方法概述

本文主要论述了传统法与微波法合成沸石分子筛的特点,分析了两类方法合成的分子筛性能的差异,并对微波技术在沸石分子筛材料合成中的应用进行了探讨与展望。     

TEM电子束诱导硅表面氧化的分析

洁净硅表面在电子束的作用下产生诱导氧化现象,在AES分析中已得到证实。本文利用TEM 200CX型电镜研究了洁净硅表面在电子束作用下的结果,实验表明,在TEM中同样存在着电子束诱导硅表面氧化的现象,氧化生成了SiO_2微晶,其氧主要来自硅晶体内氧的局部富集和电镜中残余气体在硅表面的吸附。     

水热法合成超大孔径（ULP）沸石分子筛

采用沸石分子重量来组装半导体纳米粒子为获得量子限域体系提供了一种新的途径，本文报导利用表面活性剂的模板机制通过水热合成制备出用于组装半导体纳米粒子的大孔径沸石分子筛。     

直径为2nm的Si晶体制作技术

据日本《日径产业新闻》1998年7月3日报道，日本科学技术厅金属材料技术研究所开发了直径仅为2nm的Si晶体制作技术。首先用电子束照射二氧化硅晶体薄膜，当薄膜变为非晶体后，进行600T高温加热，并用更强的电子束进行照射。电子束照射的部分，氧原子从薄膜分离，而残留的Si原子形成整齐排列的微细Si晶体。微小Si晶体可用于量子箱，故主要应用方向是新型半导体激光器和量子效应器件。今后的研究课题在于进一步研究该晶体的发光机理和物理特性。直径为2nm的Si晶体制作技术@申公     

DKDP电光晶体真空性能的研究

一、概述 用于晶体光阀管中的DKDP电光晶体,由于它处于真空环境并依靠电子束的轰击而工作,所以它的真空性能以及抗电子束轰击的能力对电光晶体本身是否能正常工作显得十分重要。 晶体光阀管真空性能的研究,国外早有报导,但它们只研究了电子束轰击下以及不同温度下光阀管内气体总压强的变化,没有进一步分析气氛变化的过程和气体的种类。这对保证DKDP电     

快速扫描阴极射线管激光器

美国纽约州的美国菲利浦公司的H.J.Comelissen等人发明一种快速扫描阴极射线管激光器。此光—电系统是由一个射线管、一个激光晶体靶和电子枪组成。阴极射线管有一外壳,其内部有激光晶体靶,当电子束激励靶时,便产生激光。电子枪发射电子束,电子束对准偏离靶的轴,并使电子束汇聚在靶     

低能电子束辐照对晶体管开关时间的影响

虽然高能(能量从0.5MeV到12MeV)电子束辐照对晶体二极管反向恢复时间的影响已有研究,但低能(能量在20KeV以下)电子束辐照对晶体管开关时间的影响却迄今末见文献报道。1983年,我们电子束退火工艺试验小组与湘潭半导体厂器件车间协作,试验了低能电子束辐照对晶体三极管开关时间的影响,并开展了热稳定性的研究。     

自由电子入射路径对光子晶体辐射的影响

电子掠过周期金属结构会激发Smith-Purcell辐射。微纳加工工艺的发展推动了具有复杂结构的微纳金属人工材料的加工,因此人们开始聚焦于电子激发微纳周期结构所出现的辐射现象。本文研究了运动线电子束团激发金属光子晶体所激发辐射的特点和规律,重点讨论了如何利用自由电子去激发金属光子晶体结构,从而取得最大的辐射强度。     

利用光散射现象的晶格缺陷无损检测法

硅、石英等一些高质量的人造晶体材料，在当前迅速发展的电子技术中，起着重要作用。而且随之而来发现了评定晶体特性的各种方法。其中许多是用电子束或X射线的方法，最近由日本学习院大学的小川教授和守矢助教提出的利用光散射现象的缺陷观察法,很受人们的重视。     

电子携带光

一个引人注目的难题曾出现在包含激光束的电子衍射新型实验中。H. Schwarz和H. Hora曾发现,假如电子束被氧化硅或氧化铝晶体薄膜所衍射,而激光束以与电子束成直角的方向照射该薄膜,则在非荧光性的矾土屏上呈现的衍射图包含了与激光束有同样颜色的光斑。     

太赫兹频段一维介质光子晶体中的史密斯-帕塞尔辐射特性模拟

基于Smith-Purcell(SP)效应,采用粒子模拟的方法探讨了电子束团激发一维介质光子晶体中的SP辐射特性.模拟研究了单个束团激发一维介质圆柱光子晶体产生的SP辐射现象,并对周期束团激发的THz频段的相干SP辐射进行了模拟分析.研究表明,提高介质的相对介电常数和增加光子晶体的层数都可使辐射强度增加,选择合适的参数能够有效地增强THz频段的相干SP辐射强度.     

BGO电子辐射损伤的研究

本工作研究了BGO晶体在快电子束作用下材料中出现的辐射损伤。文章还详细探讨了这些辐射损伤的过程和机理。研究结果指出,通过BGO晶体生长质量的改善可以减少这类电子辐射损伤。     

CdSe纳米团簇的透射电镜研究

在沸石分子筛中组装ＣｄＳｅ而形成半导体纳米团簇材料，并将组装ＣｄＳｅ后的沸石微粉制成完整的透射电镜薄膜，结合能谱测试，在透射电镜下观察所制得的材料的微观结构和形貌．结果表明在沸石中形成了尺寸单一、分布均匀的团簇材料     

采用石英和多晶ZnSe电子束控制的晶体开关

本文介绍了利用石英晶体和多晶体ＺｎＳｅ硒化锌作开关试样的电子束控制开关的实验结果，上述两种材料的开关阻抗会因电子束激励急剧下降，石英晶体在电流控制下具有很快的瞬变响应和潜在的适应性；而ＺｎＳｅ则在电子束激励后，开关阻抗随着时间呈指数增长，相应的电流变化过程约１０ｎｓ数量级。     

示波管“边缘寄生放射”的探讨

按四机部《电子束管寄生放射的测试方法》(SJ460-73)中的定义:电子束管各电极加上规定的电压后,使管子处于截止状态或规定亮度;规定扫描光栅尺寸时,由杂散电子引起荧光屏发光的现象,称为寄生放射。在实际生产中发现:具有螺旋后加速电极的示波管,当把扫描光栅沿水平扫描(X)方向,位移至电子束扫描到荧光屏边缘时,屏上会出现烟火状的发光现象。此现象同样影响对     

单晶晶体取向的EBSD精确测定

本文以英国牛津仪器公司生产的INCA CrystalEBSD为例,介绍了用EBSD精确测定单晶取向的方法,其精度可与X-ray背射劳厄法相媲美,误差小于1°。1电子束散射点与接收屏的垂直距离及垂直交点坐标的校准EBSD计算晶体取向之前首先对花样进行标定,根据标定结果和样品的晶体类型、电子束散射点与接收屏的垂直距离及垂直交点坐标计算样品的取向。因此,电子束散射点与接收屏的垂直距离及垂直交点坐标是准确测定晶体取向的基本参数,取向测定的误差大小与该参数直接相关,必需进行准确的校准。INCACrystal EBSD程序的Solver Setup步骤中专门设…     

电子示波器(二)

(三)荧光屏荧光屏是一层荧光晶体层,涂于电子示波管末端的内壁上,当电子束冲击时,使荧光晶体激发而射出可见光谱射线.其激发的光强B与激发的电子束电流密度i和加速电压V_a有关,在电流密度不太大时可由下列近似式表示: