SnO2超微粒非晶薄膜对n—Si光电效应的影响

用等离子激活化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）法制备了ＳｎＯ２超微粒非晶薄膜。Ｘ－光电子能谱分析结果表明ＳｎＯ２中的Ｏ／Ｓｎ经超过化学计量比。ｎ－Ｓｉ和ＳｎＯ２／ｎ－Ｓｉ的表面光电压谱显示,ＳｎＯ２薄膜的处理条件不同,光电压响应所需光强也不同。将ＳｎＯ２薄膜沉积在ｎ－Ｓｉ上,可使其光电转换效率提高３个数量级以上,并且也能使ｎ－Ｓｉ光电流和光电压有所提高。     

SnCl_4结晶水对SnO_2成膜的光电性质影响

报道了用无水ＳｎＣｌ４和ＳｎＣｌ４·５Ｈ２Ｏ为原料，用热喷涂法制备ＳｎＯ２薄膜，在基片温度为５３０℃时，制得薄膜的Ｘ－射线，ＳＥＭ图及其光电性质．总结出含Ｈ２Ｏ的ＳｎＣｌ４制得的薄膜生长速度快，电阻率低，两者在结构上无明显差异。     

CaO—SiO2—P2O5—H2O体系中CBC材料的水化产物

利用ＳＥＭ－ＥＤＳ和相分析技术对ＣａＯ－ＳｉＯ２－Ｐ２Ｏ５－Ｈ２Ｏ系统中ＣＢＣ材料的水化２８ｄ和３６５ｄ试样的抛光表面进行了观察分析，发现水化初期的物相分析２以Ｃａ、Ｓｉ、Ｐ矿相为基体，占总相的６８．０５％；水化后期该盯的量减少，Ｃａ、Ｐ相和Ｃａ、Ｓｉ相增多，并出现了纯Ｓｉ相，表明随水化进行。ＳｉＯ２和Ｐ２Ｏ５是相互固溶现象减少，最后详细分析了水化反应过程，强度机理以及水化后期体系出现较多ＳｉＯ２     

Si3N4／SiO2辅助介质剥离膜的研究

提出了利用Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２双层介持膜作为ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｓｅｍｉｃｏｎ－ｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）剥离工艺中的辅助剥离膜，研究结果表明，采用Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２双层介质剥离膜，易于形成倒剪口剖面，金属剥离效果良好，是一种非常有效的辅助剥离膜。     

硫酸氧钛－水－乙二醇系溶胶浸涂制备TiO_2薄膜

用ＴｉＯＳＯ４·ｎＨ２Ｏ为原料，制成ＴｉＯＳＯ４－Ｈ２Ｏ－乙二醇系溶胶，然后浸涂制备ＴｉＯ２薄膜．研究了此ＴｉＯ２薄膜的形成过程、晶相组成和微观结构．６００℃热处理得到的ＴｉＯ２薄膜为锐钛矿相，底层小颗粒与玻璃基板具有良好的附着．     

FeS-2分子筛的合成及对苯酚羟化的催化性能研究

合成了一系列Ｓｉ／Ｆｅ比不同的ＦｅＳ－２分子筛，用于进行Ｈ＿２Ｏ＿２和苯酚羟化反应合成邻苯二酚对苯二酚。考察了分子筛的Ｓｉ／Ｆｅ摩尔比、反应时间、反应温度、催化剂用量、苯酚／Ｈ＿２Ｏ＿２摩尔比对ＦｅＳ－２分子筛催化活性的影响。结果表明，在最佳反应条件下，以Ｓｉ／Ｆｅ＝８０的ＦｅＳ－２为催化剂，苯酚的转化率为１７．７３％，邻苯二酚的选择性为６４．１９％，对苯二酚的选择性为２９．５％，苯醌的选择性为６．３１％。     

FeS—2分子筛的合成及对苯酚羟化的催化性能研究

合成了一系列Ｓｉ／Ｆｅ比不同的ＦｅＳ－２分子筛，用于进行Ｈ２Ｏ２和苯酚羟化反应合成邻苯二酚和对苯二酚。考察了分子筛的Ｓｉ／Ｆｅ摩尔比、反应时间、反应温度、催化剂用量、苯酚／Ｈ２Ｏ２摩尔比对ＦｅＳ－２分子筛催化活性的影响。结果表明，在最佳反应条件下，以Ｓｉ／Ｆｅ＝８０的ＦｅＳ－２为催化剂，苯酚的转化率为１７．７３％，邻苯二酚的选择性为６４．１９％，对苯二酚的选择性为２９．５％，苯醌的选择性为６．３１     

氯盐体系中铋湿法冶金的基础研究

根据同时平衡原理，对氯盐体系硫化铋矿浸出过程和三氯化铋水解过程进行了详细的热力学分析，绘制了Ｂｉ２Ｓ３－Ｈｃｌ－Ｈ２Ｏ系Ｅ－ｐＨ图，Ｅ图有及三氯化铋水解过程ｐＨ－（Ｂｉ＾３＋）ｒ和溶解度－ｐＨ图，为铋湿法冶金提供重要的理论依据。     

a—Si1—xGdx薄膜中Gd^3＋离子的补偿作用

本文基于对电子束蒸发的ａ－Ｓｉ１－ｘＧｄｘ薄膜的光吸收，变温电导特性和ＥＳＲ实验研究的结果，对Ｇｄ＾３＋离子的作用进行了分析研究。Ｇｄ原子的外壳层５ｄ＾１６ｓ＾２产生轨道杂化，在ａ－Ｓｉ网格中形成五配位的Ｇｄ＾３＋离子。Ｇｄ＾３＋离子的杂化轨道除与网格中的Ｓｉ原子键合外，还能与Ｓｉ的悬挂键Ｓｉ３＾０键合，起补偿悬挂键的作用。Ｇｄ＾３＋离子的角动量Ｊ的多重态间的跃迂吸收，改变了薄膜的近红外吸收特性。     

CaO—SiO2—P2O5—H2O体系中CBC材料的水化产物：（一）水化产物组成

利用ＸＲＤ和ＳＥＭ－ＥＤＳ等测试技术对ＣａＯ－ＳｉＯ２－Ｐ２Ｏ５－Ｈ２Ｏ系统中ＣＢＣ材料的水化产物组成进行了研究，结果表明：随水化进行，ＯＨＡＳｐ，β－Ｃ２Ｓ和β－Ｃ２Ｐ的量均减少，水化３６５ｄ时，体系中出现了一些不知归属的衍射线，三强线为：０．２０９２（１００），０．８２１６（５６），０．３０９１（４１）。此外在水化产物中出现了两种不知名的水化磷酸：７ＣａＯ．３Ｐ２Ｏ５．ｘＨ２Ｏ和６ＣａＯ．Ｐ２     

纳米硅薄膜用于非晶硅液晶光阀阻光层研究

本文报告了我们首先提出的采用ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ异质结作为大屏幕投景液晶光阀光敏层，向列型液晶作为液晶光阀调制层的一种新型液晶光阀。Ａ－Ｓｉ：Ｈ光导层和ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ阻光层通过辉光放电等离子体化学气相沉积法连续制得。本文研究了不同沉积条件下ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的结构和光电性质。Ａ－Ｓｉ：Ｈ和随之沉积的ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ形成了ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ异质结，本文还讨论了它的光电性质。采用ａ－Ｓ     

分子和表面吸附系统振动频率的理论计算研究

用ＡＳＥＤ－ＭＯ方法计算分子及表面吸附系统在平衡点附近的总能量．用二次多项式、三次多项式和两种形式Ｍｏｒｓｅ势能展开式模拟能量变化以求出力常数，从而得到振动频率．计算结果表明：在势能展开式中引入非对称项是振动频率结果得到较大改善的关键．本文进一步讨论了用Ｍｏｒｓｅ势、ＡＳＥＤ－ＭＯ方法计算的Ｃ２Ｈ２－Ｓｉ（１００）、Ｃ２Ｈ４－Ｓｉ（１００）吸附系统的振动频率，计算结果与实验结果符合得很好，从而支持了ＨＲＥＥＬＳ提出的上述分子在Ｓｉ（１００）－２×１表面的吸附结构．     

Sol—Gel浸涂液的配制及其稳定性研究

对Ｓｏｌ－Ｇｅｌ浸涂液稳定性的研究表明：在酸催化条件下，加水量对醇盐水解缩聚产物的结构有重要影响，随Ｒ（Ｈ２Ｏ／ＴＥＯＳ）值增加，浸涂液的稳定性提高，Ｒ≥１５的ＳｉＯ２质浸涂液更适合工业化的生产，在浸涂液中加入一定量的干燥控制化学剂（ＤＣＣＡ）后，ＴｉＯ２及ＴｉＯ２－ＳｉＯ２质浸涂液非常稳定。     

自蔓延高温合成法（SHS）制备致密的Al_2O_3－TiC陶瓷

采用电热爆－加压法（ＥＴＥ－Ｐ）和燃烧合成制粉＋加压法（ＳＨＳ＋ＨＰ）制备了致密的Ａｌ２Ｏ３陶瓷．研究表明，ＳＨＳＡｌ２Ｏ３－ＴｉＣ陶瓷的力学性能和切削性能均优于采用传统热压方法所制备的Ａｌ２Ｏ３＋ＴｉＣ陶瓷刀具，并对ＳＨＳＡｌ２Ｏ３＋ＴｉＣ的的显微结构及致密化机制作了研究．     

CSH相脱水过程中β—C2S的形成过程研究

使用化学纯试剂Ｈ２ＳｉＯ３，ＣａＯ为原料，在常压１００℃的条件下，分别合成了钙硅比（Ｃ／Ｓ）等于１．０，１．５和２．０的ＣＳＨ相，探讨了β－Ｃ２Ｓ在ＣＳＨ相脱水过程中的温度和形成速度，同时对于Ｃ／Ｓ＝１．０和１．５的两个体系，我们在样品中补充部分ＣａＣＯ３进一步探讨了由β－ＣＳ＋ＣａＯ→β－Ｃ２Ｓ转化的速度，β－Ｃ２Ｓ的形成数量使用定量Ｘ衍射进行测定。     

A3钢表面有机磷合钼聚多酸盐转化膜的研究

由Ｎａ２ＭｏＯ４·２Ｈ２Ｏ和Ｎａ２ＨＥＤＰ·５Ｈ２Ｏ合成了有机膦合钼聚多酸盐Ｎａ８［（ＨＥＤＰ）２Ｍｏ５Ｏ２１］·５Ｈ２Ｏ。用Ｎａ８［（ＨＥＤＰ）２Ｍｏ５Ｏ２１］·５Ｈ２Ｏ的溶液处理Ａ３钢，获得了具有一定耐蚀性的黄色转化膜，适宜的工艺条件为：浓度１６ｇ·Ｌ＾－１，ｐＨ３．５，温度５０℃，时间８０ｓ。本文还报告了膜层的ＸＰＳ和ＡＥＳ分析结果。     

Ta2O5敏感膜H^＋—ISFET研究

在不用金作掩蔽膜的情况下，在氢氟酸混合液中对采用直流反应溅射方法制备的Ｔａ２Ｏ５薄膜进行选择性腐蚀，制成Ｔａ２Ｏ５膜Ｈ＾＋－ＩＳＦＥＴ．测试结果表明，该器件在灵敏度，线性范围，线性度，响应时间，滞后，时漂和选择性等方面普遍优于Ｓｉ３Ｎ４膜同类器件。可直接用于溶液的ＰＨ值测量。     

（Si—Fe2O3）—（Al—Fe2O3—SiO2）复合体系自蔓延热力学分析

研究了（Ｓｉ－Ｆｅ２Ｏ３）－（Ａｌ－Ｆｅ２Ｏ３－ＳｉＯ２）复合体系的单位质量热效应ΔＨ＾０和绝热燃烧温度Ｔａｄ。指出ΔＨ＾０与Ａｌ－Ｆｅ２Ｏ３－ＳｉＯ２在复合体系中所占质量分数Ｒ呈线性关系。其斜率由ＳｉＯ２在Ａｌ－Ｆｅ２Ｏ３－ＳｉＯ２中的质量分数γ控制,其截距恒定且数值等于Ｓｉ－Ｆｅ２Ｏ３系单位质量热效应。当γ＝γ２＝１７ｗｔ％时,Ａｌ－Ｆｅ２Ｏ３－ＳｉＯ２加入对复合体系Ｔａｄ无影响,当γ〈γ２时     

F,Cl,SO3对C2AS形成的影响

使用化学纯的试剂，研究了ＣａＯ、Ｈ２ＳｉＯ３和Ａｌ（ＯＨ）３系统中，当Ｃ：Ｓ：Ａ＝２：１：１时，Ｆ、Ｃｌ和ＳＯ３对Ｃ２ＡＳ形成过程的影响。结果表明在８５０￣１０５０℃的温区内，ＣａＯ－Ａｌ（ＯＨ）３－Ｈ２ＳｉＯ３系统中Ｃ２ＡＳ的形成数量极少，主要矿物是Ｃ１２Ａ７，Ｃ２Ｓ和β－ＣＳ，当有Ｆ、Ｃｌ和ＳＯ３存在时，Ｃ２ＡＳ的数量大大增加，在１０５０℃时，Ｃ２ＡＳ的数量可达８０％左右。     

Si3N4—Al2O3—ZrO2系陶瓷表面氧化层组成的EPMA分析

利用ＥＰＭＡ和ＸＲＤ的分析方法，研究了Ｓｉ３Ｎ４－Ａｌ２Ｏ３－ＺｒＯ２系陶瓷材料表面氧化层组成。结果表明，Ｓｉ３Ｎ４－Ａｌ２Ｏ３－ＺｒＯ２系陶瓷材料表面氧化层是由方石英相、ＺｒＳｉＯ４相和含有Ａｌ２Ｏ３、ＣａＯ等的ＳｉＯ２玻璃相所组成，其中ＳｉＯ２玻璃相中Ａｌ２Ｏ３、ＣａＯ等的含量，随着氧化时间的增加而逐渐增加。