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以热氧化钨丝法制备的WO3纳米材料为基材制备了厚膜气敏元件,在常温、紫外光激发条件下实验测试了所制纯WO3气敏元件对不同体积分数的H2S气体的气敏特性曲线,探讨了元件对H2S的灵敏度与紫外光的辐射通量密度的依赖关系。结果表明,常温、无紫外光照下WO3气敏元件对H2S不敏感,而在常温及紫外光激发下WO3气敏元件对H2S的灵敏度显著增大,且随着紫外光辐射通量密度增加,元件对H2S的灵敏度先增大而后减小。 相似文献
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聚噻吩/WO_3复合纳米材料的制备及气敏性能 总被引:1,自引:1,他引:0
采用水合肼法制备WO3粉体,再以无水FeCl3作氧化剂,通过原位化学氧化聚合制备了不同聚噻吩(PTh)掺杂量的PTh/WO3复合纳米材料。并研究了用其制备的气敏元件的气敏性能。结果表明:气敏元件对H2S和NOx有较高的灵敏度和较好的选择性。用质量分数w(PTh)为5%的PTh/WO3复合纳米材料制备的气敏元件,在加热电压为2.25V时,对体积分数φ(NOx)为5×10–6的灵敏度可达77.14;用w(PTh)为20%的PTh/WO3复合纳米材料所制之气敏元件,在加热电压为2.43V时,对φ(H2S)为20×10–6的灵敏度达63.27。 相似文献
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分别用钨酸钠或钨酸铵溶液及浓盐酸作原料,用直接沉淀法制备了含Na+和不含Na+的WO3粉体,并用XRD及粒度分布测试仪对其进行了表征。结果表明:产物分别是WO3/Na2W4O13混合氧化物及纯WO3,前者的平均粒径为4.459μm,后者为1.366μm。气敏测试结果表明:含Na+的WO3/Na2W4O13气敏元件对体积分数为50×10–6的H2S的灵敏度是164,恢复时间为35s。纯WO3气敏元件对体积分数为50×10–6的NO2及Cl2的气敏性能较好,其灵敏度分别为468与1635。 相似文献
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M. I. Makoviychuk 《Russian Microelectronics》2008,37(4):226-237
The solution proposed relates to flicker-noise gas sensors under development, which differ from conventional chemical sensors in offering exceptional selectivity for the analysis of a gaseous environment. The classification and analytical justification are given of low-frequency-noise spectroscopy techniques and measures that are proposed for investigation of disordered semiconductors. The feasibility is shown of patterning processes for flicker-noise gas sensors. Some methods are proposed for these processes and for measurement procedures of gaseous-environment monitoring. 相似文献
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阐述了电子鼻的结构,并根据传感器阵列响应信号特性,推导出气体传感器阵列的响应矩阵及其对混合气体的响应;论述了前馈神经网络在电子鼻中的应用原理。最后,利用自制的实验装置对所建立的电子鼻进行性能测试。实验结果证明气体传感器阵列和神经网络模式识别技术所组成的电子鼻完全可以完成对混合气体浓度的识别。 相似文献
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一种提高气敏元件热稳定性的优化设计 总被引:3,自引:0,他引:3
本文提出一种新的具有较好热稳定性的气敏元件结构。在这种结构里,气敏元件的输出无需外接取样电阻即可获得。文中对现有气敏元件和新型结构气敏元件的热稳定性作了理论分析和实验对比。本设计也适用于其它类型半导体气敏元件。 相似文献
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Development trends in the field of sensors 总被引:1,自引:0,他引:1
M. J. Vellekoop Univ.-Prof. Dipl.-Ing. Dr. B. Jakoby Ao. Univ.-Prof. Dipl.-Ing. Dr. techn. R. Chabicovsky Univ.-Prof. Dipl.-Ing. Dr. techn. 《e & i Elektrotechnik und Informationstechnik》2003,120(11):388-394
Sensors play a major role in automation, analysis and monitoring of processes. The use of planar technology (IC-technology or IC-compatible technologies) caused a break-through in the field as it allows the realization of small, highly reliable, and cost-efficient sensor devices. The field of microelectromechanical systems (MEMS) technology has matured in the last decade and at the moment the further miniaturization into the nanoscale range attracts a lot of attention. In this contribution we give an overview on current trends in the field of sensors, where three different sensor fields are discussed in more detail: (bio)chemical sensors, automotive sensors and gas sensors. 相似文献
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MQS1型一氧化碳气敏元件 总被引:5,自引:0,他引:5
氧空位与材料的气敏特性有着密切的关系,气敏材料的电导率由氧空位的形成和氧化过程共同决定,氧空位浓度越大,气敏效应越明显。根据氧化锡的这一气敏机理,以99.99%的锡为原料,掺入合适的添加剂,制成了MQS1型一氧化碳气敏元件。它的灵敏度高、选择性好、响应恢复快、受温度和湿度的影响小。 相似文献
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