冷轧带钢缺陷表面形状恢复新算法

为改善冷轧带钢表面缺陷分类识别性能,提出基于从阴影恢复形状原理的表面缺陷三维重构算法． 针对表面缺陷检测系统的光路设计,提出一种改进的Oren-Nayar漫反射模型,结合透视投影模型推导出相应 的反射图方程,利用基于高阶Lax-Friedrichs汉密尔顿函数和牛顿迭代相结合的快速扫描算法完成了该方程 的求解,实现表面缺陷三维信息的提取．利用合成图像和表面缺陷图像进行三维重构实验,结果表明该算法 重构精度高,验证了改进光照模型的正确性．该三维重构算法能够有效地提取冷轧带钢表面缺陷三维信息, 有助于提高表面缺陷分类识别性能     

用于无纺布缺陷检测的Gabor滤波器参数研究

提出了一种基于Gabor滤波器的坯布表面缺陷检测方法。该方法基于Gabor滤波方案,分别将原始图像与滤波器进行卷积操作,然后采用大津法阈值分割来获得坯布表面缺陷。为了优化Gabor滤波器的检测效果,研究不同的参数设定对于检测结果的影响,通过不同类型的无纺布缺陷的实验结果证明了该方法的有效性。最后通过对比常用的检测算法,突出该算法的实用价值。     

汽车零配件表面缺陷检测算法研究与实现

通过对机器视觉的研究,建立检测算法模型。文章分析了图像相减匹配法工作机理,结合汽车零配件生产系统,建立了一种基于SiemensPLC的表面缺陷检测仿真平台,验证该算法的可靠性。实验结果表明,该算法模型可以稳定地检测到缺陷目标。     

摩擦片表面缺陷的视觉显著性检测算法

针对摩擦片表面缺陷高精度高效率的检测要求以及摩擦片自身复杂的表面状况,提出基于视觉显著性的检测算法. 利用图像分割,将摩擦片从背景中分离;使用高斯平滑弱化表面纹理,采用多尺度细节增强算法补偿高斯平滑中丢失的缺陷边缘信息,计算图像中目标的显著性进行强弱分化;采用连通域法和OTSU,提取缺陷区域的二值图像. 经由实验验证,该算法针对摩擦片的缺陷检测具有较强的针对性,缺陷识别率超过98%,双面检测100个摩擦片用时27 s. 从客观和主观两个方面对检测结果进行评价验证,结果表明,该算法具有较高的识别率和精确度,满足工业检测的需求.     

一种基于灰度投影的带钢表面缺陷检测算法

根据带钢表面缺陷图像的特点提出了一种利用带钢图像的灰度投影进行带钢表面缺陷目标检测的一种算法．该算法首先是把带钢图像分别进行向下和向左的灰度投影,然后在此基础上计算出向下投影与向左投影的投影均值并分别找出其中的最大值与最小值,之后分别把它们做差,如果向下投影均值的差值和向左投影均值的差值中至少有一个超过了给定的阈值则认为图像存在缺陷,否则无缺陷．该算法在多次实验中都能够很成功地完成带钢表面缺陷目标检测的功能．     

Mean shift 算法在带钢缺陷图像分割中的应用

带钢自动表面检测系统中缺陷图像的分割效果对缺陷识别具有重要影响．为了提高缺陷图像的分割效果,提出了采用 Mean shift 算法对带钢缺陷图像中的感兴趣区域进行平滑从而获取缺陷边缘的方法,并将该算法与中值滤波算法进行了比较．测试结果表明,Mean shift 算法能够有效地对缺陷图像中的感兴趣区域进行平滑,并精确得到缺陷目标的边缘,该算法在带钢的缺陷分割中具有较好的性能．     

泼水算法与墙地砖表面缺陷的识别与分级研究

将泼水算法应用于墙地砖的表面特征提取，并且根据求得的表面缺陷面积大小来进行墙地砖缺陷的识别分级，结果显示用泼水算法能够实时、在线、全数检测出墙地砖表面缺陷。     

一种基于特征点的管材表面缺陷视觉检测方法

为快速准确检测管材表面缺陷,设计一种基于特征点的管材表面缺陷视觉检测方法。采集典型管材表面缺陷图像,构建图像样本集;指定图像感兴趣区域,减少干扰背景对缺陷检测的影响;采用ORB(orientedFASTandrotatedBRIEF)算法检测图像中的点缺陷,使用FAST算子搜寻缺陷图像的特征点,将检测到的特征点设为圆心...     

复杂纹理瓷砖表面缺陷检测算法研究

针对复杂纹理瓷砖表面缺陷检测困难的问题,提出一种基于人眼视觉注意机制的显著性目标检测方法并用于瓷砖表面缺陷检测。利用单尺度SSR光照校正方法和双边滤波方法对图像进行预处理;根据视觉注意机制中的对比度原理及高频抑制原理,针对复杂背景纹理的“成像性”与“聚集性”特征,建立基于视觉注意机制的检测模型,根据视觉注意机制中的对比性原理和高频抑制原理对瓷砖表面进行特征提取,再依据图像的显著性准则得到图像颜色斑块权重显著图和图像特征融合显著图并将两者融合,进行缺陷的判定和标记,最终得到已标记的瓷砖缺陷。将此缺陷检测算法和另外2种算法应用于随机选取的3类复杂纹理瓷砖并进行对比实验,结果表明,相比较于其他算法,此算法对复杂纹理瓷砖的缺陷检测达到96%以上的综合检测率,可以获得良好的瓷砖缺陷检测效果。     

修复缺陷嫌疑区域的无监督磁瓦表面缺陷检测

磁瓦表面缺陷样本数量少,异常视觉特征分布发散,现有依赖目标特征的有监督检测方法不能有效检测未定义缺陷;磁瓦表面正常纹理呈非均匀且非周期性分布,使得经典重构网络难以准确地重构磁瓦表面正常特征,导致相关无监督检测方法性能低下.为此,采用多头注意力增强的掩码图像修复网络(MIINet),长距离提取图像特征,捕捉全局信息,增强图像修复的能力;引入视觉显著性算法抑制磁瓦表面纹理信息和突显缺陷区域,以便二值化算法精准分割缺陷嫌疑区域;利用MIINet修复待检测图像缺陷嫌疑区域,选用修复前后图像的残差图像和结构相似性实现缺陷检测与缺陷判定.与经典无监督方法相比,修复缺陷嫌疑区域的表面缺陷检测方法的准确率提升了2.36%,F1值提升了1.62%.     

高性能电磁屏蔽织物的制备

运用自制的超支化聚酰胺-胺与银离子络合,对织物表面进行活化,用正交实验研究考察化学镀铜的主要工艺参数(硫酸铜、硫酸镍、氢氧化钠、酒石酸钾钠、甲醛的质量浓度(ρ)和温度)对织物化学镀铜沉积速度和镀铜织物表面电阻的影响,获取了化学镀铜的最佳配方和工艺条件.实验结果表明:当温度为35℃、硫酸镍为3 kg/m3、酒石酸钾钠为85 kg/m3、氢氧化钠为14 kg/m3,甲醛为7.6 kg/m3时,镀铜的效果最好,可制得高性能的电磁屏蔽织物.     

两步电镀铜对Cf/Cu复合材料的复合效果的影响

通过对碳纤维表面进行空气热氧化短处理,然后采用两步镀铜法对纤维表面进行电镀铜,有效的避免了普通镀铜方法中常见的“黑心”现象,使得纤维束内部单丝获得了均匀连续的镀铜层,而且纤维与镀铜层之间结合牢固．经两步镀铜处理后的碳纤维复合丝与铜基体复合后,碳纤维/铜复合材料中常见的严重纤维偏聚现象得到很大改善,获得了Cf／Cu界面结合良好,纤维分布均匀的铜基复合材料．     

Research on Surface Modification of 96 Al2O3 by Ni Ion Implantation

A matrix of 96 Al2O3 ceramics was implanted with Ni ion of different dosages and energies using a MEVVA implanter. Then metallic structures of copper were made on the implanted ceramics, by using selective electroless copper plating. In addition, the characteristics and microstructure of the implanted layer were studied by using the SEM, RBS and XPS. The results show that： 1） the implanted Ni exits as Ni^2, Ni^2＋, and Ni^3＋ in the surface of Al2O3 and metal Ni particles precipitate on ceramics during implantation; 2） the concentration of Ni submits to the Gauss distribution along the direction of implantation on the surface of Al2O3 and high Ni concentration on the surface can be obtained if the Ni is implanted with low energy and a high dosage and 3） Ni ion implantation can activate the surface of Al2O3 and induce electroless copper plating on the ceramics.     

二氧化碳焊丝化学镀铜液的研究

本文对焊丝化学镀铜工艺中的关键因素——镀液成分对镀铜层质量的影响进行了系统的分析试验,并获得了镀液中各成分对镀铜层质量影响的一系列规律性数据,为试制合理的化学镀铜液配方提供了可靠的实验依据;为了便于对镀铜层质量进行比较分析,本文还提出了焊丝镀铜层色泽及结合力的非标准半定量评定方法。     

涤纶织物化学镀镍铜合金研究

采用化学镀技术,实现了涤纶织物表面镍铜合金镀,借助SEM、EDX对镀层表面形貌、成份进行了分析,并对化学镀织物的电磁波屏蔽效能、表面比电阻和拉伸性能进行了测试。结果表明,随着增重率的增加,电磁波屏蔽效能开始时增加较快,后又趋于平缓,当增重率基本接近时,屏蔽效能主要受金属镀层成份和致密性的影响。表面比电阻随着增重率的增加而减小。化学镀织物的拉伸曲线同时具有金属和纤维的拉伸特性,主要受金属镀层厚度的影响。     

Electroless copper plating process of N, N, N, N′-tetrakis (2-hydroxypropyl) ethylenediamine system with high plating rate

Electroless copper plating process of N, N, N′, N′-tetrakis (2-hydroxypropyl)ethylenediamine(THPED) chelating agent was researched comprehensively. The results indicate that plating rate decreases with the 3H2O has a bad effect on deposits quality, but 2, 2′-dipyridyl and PEG make deposits quality improve greatly. Low concentration of 2-mercaptobenzothiozole (2-MBT) increases plating rate and improves deposits quality, but decreases plating rate and worsens deposits quality when 2-MBT reaches 5 mg/L. The optimal conditions of this electroless MBT are 16.8 g/L, 16.0 mL/L, 13.3 g/L, 0.5 g/L, 5.0 mg/L and 2.0 mg/L, respectively, pH value is 12.75,bath temperature is 30 ℃. Plating rate reaches 9.54 μm/h plating for 30 min in the bath. The SEM images demonstrate that the surface of copper film is smooth and the crystal is fine.     

细铜丝电子背散射衍射试样的制备

为了解决细铜丝电子背散射衍射（Electron Back-Scattered Diffraction,EBSD）试样制备的难题,将电化学镀镍技术引入到EBSD试样制备过程中,并对电化学镀镍过程的工艺参数进行了研究.同时,电解抛光过程对EBSD试样表面质量影响显著,文中讨论了抛光电压和抛光时间对EBSD试样表面质量的影响.研究结果表明,当电镀液为硫酸镍280g/L、氯化镍45g/L、硼酸30g/L、十二烷基硫酸镍0.05g/L,在室温下,电压为1V、pH=3时细铜丝上能够获得很好的镀层;当电解抛光配方为蒸馏水500mL＋磷酸250mL＋乙醇250mL＋丙醇50mL＋尿素5g,温度为-15℃～-20℃,电压为3V,时间90～120s,试样抛光效果较佳;采用上述两种过程处理后,真应变为8.42的EBSD试样的标定率可达80%以上.     

硫酸铜酸性镀铜法制备铜-康铜热电堆的最佳实验条件研究

热电堆是一种常见的热流传感器,热电堆的电镀效果直接影响其性能。基于硫酸铜酸性镀铜基本原理,通过在康铜基体上电镀铜的方式制备热电堆。研究了电镀时间、硫酸铜浓度、硫酸浓度、溶液温度、电流密度对热电堆输出热电势的影响。结果表明,最佳电镀条件为：电镀时间20 min,硫酸铜浓度250 g/L,硫酸浓度60 g/L,镀液温度36℃,电流密度10 A/dm2。在此条件下制备的铜-康铜热电堆输出热电势最高。     

Growth behavior of electroless copper on silicon substrate

The growth behavior containing deposit morphology, growth rate, activation energy, and growth mechanism of copper on silicon substrate, especially at the initial stage, in the electroless plating process was studied. Copper was deposited on the surface of the silicon substrate in an electloless plating bath containing formalin （CH2O 37vol%） as a reducing agent at a pH value of 12.5 and a temperature of 50-75℃. The copper deposit was characterized using a field emission scanning electron microscope and transmission electron microscope. The results showed that after the activation process, nanoscale Pd particles were distributed evenly on the surface of the silicon; in the deposition process, copper first nucleated at locations not only near the Pd particles but also between the Pd particles; the growth rate of electroless Cu ranged from 0.517 nm/s at 50℃ to 1.929 nm/s at 75℃. The activation energy of electroless Cu on Si was 52.97 kJ/mol.     

印刷电路板化学镀铜液回收EDTA的研究

介绍一种印刷电路板化学镀铜废液回收EDTA的方法.利用化学镀铜废液中残留的HCHO,采用在强碱条件下还原除铜,调整废液的pH回收EDTA.该方法Cu的去除率达99.6%,EDTA的回收率大于98%;用回收的EDTA制备EDTA-Na2,纯度大于98.5%.实现化学镀铜废液的回收和循环使用.