808nm连续波2000W半导体激光器垂直叠阵

为了全面提高大功率半导体激光器的性能和功率,采用双面散热技术,优化了大功率半导体激光器垂直叠阵和单bar器件的热管理和热设计,使得808nm单bar半导体激光器在连续波工作模式下的功率达到100W;808nm 20bar垂直叠阵功率达到2000 W.对微通道液体制冷大功率半导体激光器叠阵和单bar半导体激光器器件的LI...     

炬光科技推出传导冷却准连续半导体激光器面阵系列

2011年8月,西安炬光科技有限公司宣布推出传导冷却准连续半导体激光器面阵系列产品。     

西安炬光公司三项半导体激光器成果通过专家鉴定

由西安炬光科技有限公司完成的“单巴条传导制冷30％填充因子808nm 60W连续波半导体激光器”、“单巴条微通道液体制冷808nm 250W准连续波半导体激光器”、“微通道液体制冷808am垂直叠阵半导体激光器”等三项成果在西安分别通过了由陕西省科技厅组织的专家鉴定。     

DILAS推出新型准连续高功率半导体激光器垂直叠阵

德国半导体激光有限公司日前推出了DILAS新型准连续高功率半导体垂直叠阵。该叠阵结构紧凑,可实现波长范围在808nm至900多nm之间,每个阵列的输出峰值功率高达300W,快轴准直可选。     

DILAS推出新型准连续高功率半导体激光器垂直叠阵

德国半导体激光有限公司日前推出了DILAS新型准连续高功率半导体垂直叠阵。该叠阵结构紧凑,可实现波长范围在808nm至900多nm之间,每个阵列的输出峰值功率高达300W,快轴准直可选。     

一维相干阵半导体激光光束远场特性研究

研究了一维相干阵半导体激光器在远场的光束传输特性.通过建立数学物理模型,模拟计算了一维相干阵激光器的激光光束在远场的光强分布,分析了阵列长度、波长和占空比对不同距离处相干阵远场快慢轴方向光斑宽度的影响.研究表明,受一维相干阵半导体激光慢轴方向子光源相干作用的影响,在远场,相干阵半导体激光器的慢轴方向光斑宽度与快轴方向宽...     

炬光科技发布20W 1550nm传导冷却半导体激光器

2009年9月．西安炬光科技推出了波长为1550nm的传导冷却单阵列连续半导体激光器．该产品的最高输出功率为20w,达国际领先水平。1550nm波段处于人眼最安全的激光波段,其对人眼的安全曝光量是1064nmNd：YAG激光的40万倍,是10．6μmCO2激光的100万倍。而且,     

垂直叠阵半导体激光器输出光束均匀化的研究

本文针对垂直叠阵半导体激光器提出了基于棱镜锥体的光束均匀器件,利用软件ZEMAX仿真了具有正方形和正三角形输出端面的棱镜锥体输出光束特性,研究表明,正三角形输出端面棱镜锥体可以实现均匀的光强分布,并且快慢轴方向上的光束发散角度近似相等。     

半导体激光器散热技术研究及进展

在半导体大功率激光器的各种关键技术中,散热问题的解决是一个极其关键的技术。因为半导体激光器能产生很高的峰值功率,这些器件的电光转换效率为40%~50%,即所输入的电能50%~60%都转换为热能。在管芯焊接的地方产生的热流量大约为1KW.cm-2。这种热负载是限制激光器正常工作的关键因素。半导体激光器列阵与叠阵散热问题解决会直接关系到激光器的使用寿命,导致激光器有源区温度的迅速提高,从而引起激光器的光学灾变,甚至烧毁半导体激光器。大功率激光器列阵及叠阵在高功率的二极管泵浦固态激光器(DPSSL)系统中有很大的应用,市场发展潜力很大。因此,有必要发展大功率激光器列阵及叠阵。随着大功率激光器列阵及叠阵的迅速发展,与其有关的关键技术也应该加以研究。     

炬光科技发布高功率8W808nm单管半导体激光器

2009年8月17日，西安炬光科技发布了高功率808nm8W的单管半导体激光器。该产品采用200μm发光条芯片，输出功率超过8W。这款产品的发布，也使得炬光科技成为世界上少数几家可以生产808nm单管输出功率超过8W的半导体激光器生产厂商之一。     

用于激光脱毛的低成本810 nm半导体激光模块

针对国内激光脱毛设备的需求,提出了宏通道加传导散热热沉的散热设计,并采用正交实验方法对影响宏通道散热能力的4个关键参数和3个水平进行了结构优化设计.仿真结果表明,对于该模块,本文设计的宏通道具有和微通道相同的散热能力.使用宏通道加传导散热热沉研制出低成本半导体激光器模块,测试结果表明,与设计值一致,输出峰值功率达到了603 W,波长807.5 nm,整体结构热阻为0.28℃/W,可以满足激光脱毛设备的使用要求.宏通道热沉成功取代了传统的微通道热沉,达到了降低成本的目的.     

用于Rb蒸气激光泵浦的可调谐窄线宽半导体激光器

由于Rb蒸气的吸收峰随缓冲气体气压存在漂移,利用体布拉格光栅(VBG)实现线宽压窄的同时,实现泵浦半导体激光器中心波长的可调谐也是十分必要的。本文采用国内封装的半导体激光阵列(LDA),利用VBG的温度特性,实现了线宽不大于0.3nm的同时,激光器中心波长从779.89nm到780.35nm可调谐。该激光器可以通过叠阵方式用于Rb蒸气的泵浦和激励。     

半导体激光器叠阵无输出耦合镜光栅外腔光谱合束

宽面发射半导体激光器的光谱合束技术对发展高功率直接半导体激光光源具有重要意义。光栅外腔光谱合束基于光栅的波长选择特性和外腔半导体激光技术,实现单个合束单元的光谱锁定和所有合束单元的合束输出,输出光束质量与单个合束单元相当,亮度和功率得到很大提高。基于两个半导体激光器短阵列叠阵,进行了无输出耦合镜光栅外腔光谱合束实验研究,实现了12个半导体激光器短阵列的光谱合束。分析了光谱合束的输出光谱、输出功率和光束质量,在70 A的抽运电流下,连续输出功率为578 W,光谱带宽为10.26 nm,电光转换效率46.5%。     

西安炬光推出单Bar光纤耦合半导体激光器

日前,西安炬光科技有限公司推出单Bar光纤耦合808nm,400μm半导体激光器。这是一款融合了炬光科技多项独创的封装、光学及结构设计等新技术的产品。经过炬光科技及有关客户长时间的寿命测试验证,其高可靠性和高稳定性完全能满足工业激光市场的需求。该产品的批量上市,丰富了炬光科技的产品系列,并可为用户提供更多的工业应用解决方案。     

国内研制出连续单管半导体激光器耦合模块

由中国科学院西安光学精密机械研究所与数名留学回国人员组成的团队共同创立的专业从事大功率半导体激光器研发和生产的高新技术企业——西安炬光科技有限公司在2010     

1550nm单管半导体激光器

2009年10月底,西安炬光科技推出波长为1550nm的单管半导体激光器,输出功率1W,可根据用户需求提供不同程度的快轴准直。1550nm     

1550nm单管半导体激光器

2009年10月底,西安炬光科技推出波长为1550nm的单管半导体激光器．输出功率1W,可根据用户需求提供不同程度的快轴准直。1550nm波段处于人眼安全激光波段,且处于大气传输窗口．是夜视照明及激光测距的理想波长。该款单管半导体激光器产品采用炬光独特的F—mount高温硬焊料封装形式,拥有极高的稳定性和可靠性,非常适用于制造复杂条件下使用的夜视照明设备和激光测量仪器。     

半导体激光器

中国科学院长春光机所吉林省半导体激光工程技术研究中心主要从事半导体激光器的研究、开发及生产。中心的半导体激光产品主要有半导体激光单管、CS封装半导体激光列阵、半导体激光叠阵、半导体激光线阵、光纤耦合半导体激光器模块等。中心的激光产品功率高、寿命长、波长全、样式多,在国内外用户中享有良好的声誉。     

金刚石复合热沉面发射激光器面阵热特性研究

通过设计基于金刚石微槽结构的复合热沉,利用不同材料的热导率差异改变热流传导方向,以优化垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)面阵由于温度分布不均匀导致的中心热量堆积的问题,从而改善激光器面阵整体的输出功率,提高可靠性。基于有限元分析法建立三维热电耦合模型,研究了VCSEL面阵单元排布方式对激光器热串扰效应的影响,同时还研究分析了金刚石复合热沉中微槽形状和位置的变化对半导体激光器内部温度的影响,设计最优结构对激光器的出光性能做进一步优化。采用金刚石复合热沉后的垂直腔面发射激光器面阵,与传统金刚石热沉的封装结构相比,激光器发光单元的温度差值降低了29%,为大面积半导体激光器面阵的输出功率优化提供了新思路。     

976 nm高效率半导体激光器

976 nm高效率半导体激光器是这几年研究的热点,在固体激光器泵浦领域有广阔的应用。通过优化半导体激光器材料外延结构中包覆层和波导层的铝组分,降低了工作电压;通过采用微通道水冷系统,并进行优化降低了热阻,从而提高了室温下的电光转换效率。25℃室温连续测试条件下,1 cm的线阵列(巴条),2 mm腔长,50%填充因子,在110 A下,出光功率为114.2 W,电压为1.46 V,电光转换效率为71%。15条微通道封装成的垂直叠阵,进行光束整形后,获得了室温976 nm连续输出功率1 500 W,电光转换效率大于70%。