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首先对三层Client/Server结构进行了系统概述,然后结合所开发的档案信息管理系统的实际情况,从系统划分、服务器设计、数据库设计和客户端实现几个方面对该系统的总体设计进行详细说明,接首给出了该系统的技术实现特点,最后进行了相关总结。 相似文献
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基于C/S与B/S的电厂信息管理系统 总被引:12,自引:0,他引:12
本文提出了一种基于C/S和B/S的电厂信息管理系统的设计方案,阐述了系统的功能结构、系统的网络结构、软件设计平台及数据库平台,并对系统的特点进行了分析与说明。 相似文献
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分布式数据库有许多优点,但是安全性问题对于分布式数据库依然存在,如果不能妥善解决分布式数据库系统中的安全性问题,则分布式数据库的优势将不能充分发挥出来。因此,分析分布式数据库的优势和特点,并对分布式数据库的安全问题进行分析,提出相应的对策。 相似文献
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汪小滟 《中国新技术新产品》2011,(10):23-23
本论文主要讨论基于Client/Server数据完整性约束及其如何实施企业业务规则,并以PowerBuilder为例,介绍了数据完整性约束的实现技术。 相似文献
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HCS:基于Client/Server的多媒体创作平台 总被引:2,自引:2,他引:0
将超媒体技术和客户/服务器模型相结合,建立了“基于客户/服务器环境的多媒体创作联右HCS”。本文介绍了HCS系统的设计思想、总体结构及系统的组成和特点。 相似文献
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有幸参与铁岭信息系统建设,全程参与负责该项目实施过程。结合实际工作经验和参与本项目经历,简要叙述项目的基本情况,概述对沟通管理的认识和理解,及沟通管理的四个过程和五个原则,详细阐述项目沟通管理过程中三个心得:l)如何编制和更新项目沟通计划;2)如何进行复杂项目的需求沟通和范围管理;3)项目团队内部协调和冲突管理方法。 相似文献
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讨论基于client/server的智能计算机辅助教学(ICAI)的实现技术,据此采用VB、SQL Server、IIS等开发平台,建立一个用于高等数学教学的ICAI试验系统. 相似文献
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SOL?Serve数据库如今已经被广泛应用与各个领域,本文以SQL?Server数据库为例,针对数据库应用,讨论了数据库的几种使用上的安全问题,如:审计功能、访问控制、身份验证、数据库加密、视图和存储过程机制、备份、恢复和并发控制机制等。提出了一些具体的解决建议。从而提高用户对数据库安全防范意识。 相似文献
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提出了基于SQLServer的财务数据库使用中的基本安全性要求,针对SQLServer财务数据库安全中的安全保障机制、认证机制和登录模式,详细阐述了建立基于SQLserver财务数据库的安全技术问题. 相似文献
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在对国内外航空产品失效案例进行收集和整理的基础上,设计和开发了基于客户机/服务器(C/S)体系结构的航空产品失效案例共享系统.该系统由客户端程序、应用服务器程序以及后台数据库三部分组成,采用SQL Server 2000作为数据库管理系统,采用VC++作为客户端程序和应用服务器程序的开发工具.对系统体系结构、功能模块、... 相似文献
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Wang Li Zhao Songzheng 《国际设备工程与管理》2000,(1)
1 IntroductionThe technique--rebuild department (TRD) is the core of an enterprise. With the increase of thetechnique alld its extension in recent years, the covers of the workflow are increasing and theinformation that needs to be done is getting more and Inore. The stahstics of all kinds of reportsare complex and onerous. The computer-based MIS and network can solve all the abovementioned queshons efficiently, but some of the existent MIS, due tO the system functions, arelicited and lac… 相似文献
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High resistive zinc oxide thin film (∼ 0·5 μm) was deposited on single crystalp-silicon (100) wafers by an inexpensive spray-CVD method and was characterized both optically and electrically. Al/ZnO/Si
(MIS) device structure was subsequently fabricated and bothI − V andC − V characteristics were studied. The semiconductor-insulator interface charge density (D
it) was calculated by Terman method and was found to be 3·85 × 1011 cm−2eV−1. 相似文献