共查询到18条相似文献,搜索用时 234 毫秒
1.
2.
3.
图形化硅纳米线阵列场发射阴极的制备及其场发射性能 总被引:1,自引:1,他引:0
结合光刻工艺和金属援助硅化学刻蚀法成功地制备了图形化的硅纳米线阵列场发射阴极,研究了其场发射性能。扫描电子显微镜照片显示,嵌入在硅衬底的硅纳米线阵列为垂直取向,形成图形化。场发射测试与分析表明,该阴极能够有效实现场电子发射,并且有利于获得图形化、低发散角的电子束。本研究提供了一种在硅基底上简单、有效地选域制备图形化硅纳米线阵列场发射阴极的途径,可潜在用于构筑各种真空微电子器件。 相似文献
4.
目前真空微电子使用的场致发射电子源主要是在硅衬底上采用腐蚀法和生长法得到的场发射阵列。这种方法在制造上难度较大,也很复杂。本文介绍用阳极化的方法制造多孔硅场发射阵列,并通过实验测定,用此法制造的场发射尖端阵列的发射曲此,很好地符合Fowler-Nordheim公式。 相似文献
5.
叙述了微波毫米波真空微电子器件中阵列场发射阴极、输入和输出电路等核心部件的研究进展,讨论了克服电子横向速度分量,噪声,电导损失及发射不均匀性的方法,并对该器件内的空间电荷和阴极失效等问题进行了分析. 相似文献
6.
描述了真空微电子器件的发展概况,特别对场发射阵列的结构设计进展、微波用场射阵列研究、低压场发财阵列研究以及场发射平板显示器的现状进行了全面阐述。 相似文献
7.
8.
描述了真空微电子器件的发展概况,特别对场发射阵列的结构设计进展、微波用场发射阵列研究、低压场发射阵列研究以及场发射平板显示器的现状进行了全面阐述。 相似文献
9.
本文介绍了真空微电子器件场发射金属尖阵列阴极的制备工艺技术。采用硅的各向异性腐蚀工艺(反向)和浓硼腐蚀自停止工艺制备成功金属尖阵列,这为今后研制金属阴极真空微电子器件开拓了新途径 相似文献
10.
11.
12.
全密封超薄碳纳米管玻璃平板字符显示器件制造工艺的初步探讨 总被引:3,自引:3,他引:0
利用自制的场助热丝化学气相沉积设备,在不锈钢电极的部分选取表面上,摸索出了直接生长碳纳米管(CNT’s)勿须涂敷催化剂的新方法。利用得到的高定向多壁碳纳米管薄膜,研究出一种制造大面积实用碳纳米管阵列场发射(CNT’s/FEA)阴极的新方法。经真空条件下的发射特性测量及SEM等检测手段肯定了这种CNT’s/FEA阴极的实用性。从工艺流程角度出发,初步探讨了静态工作制式下,采用碳纳米管做电极后,实现一种全密封超薄碳纳米管玻璃真空字符(或图像)显示器件的可能性。10多只封离管共显示过3种类型的字型(图像),全部管厚仅为2.7mm。实验结果不仅提供了一种碳纳米管阴极在玻璃真空平板型器件内应用的方法,也摸索出了一条实现小尺寸双色(或多色)字符(图像)静态(或动态)显示的廉价、节能途径。 相似文献
13.
14.
15.
对Spin&阵列阴极表面涂敷ZrC薄膜后的发射性能进行了研究。本实验采用原位沉积的方法实现ZrC薄膜的涂敷,所谓原位沉积就是在沉积完Mo尖锥后,立刻沉积ZrC薄膜,其中,ZrC厚度为5~10nm。涂敷ZrC薄膜后的Spindt阵列阴极(ZrC FEA)在相同条件下与Mo阵列相比呈现出良好的发射性能,如相同栅极电压下的发射电流密度升高,开启电压降低。为清洁和光滑发射体表面,本实验在测试前对ZrC FEA进行了场解吸附处理,并比较了ZrC FEA在处理前后发射性能的变化。 相似文献
16.
1995年真空微电子学的进展评述 总被引:1,自引:0,他引:1
真空微电子学是90年代国外迅速发展的一门新学科,本文综述了1995年的新进展。在场致发射阴极方面研究工作向深度和结合实际应用发展,研究工作十分活跃。Mo和Si-FEA都取得了新的进展。在微波管方面的应用,10GHz的速调四极管已在总装,技术上取得了突破性进展。美国和法国已建立数个FED的生产工厂,产品正走向市场。 相似文献
17.
Moo-Sup Lim Cheol-Min Park Min-Koo Han Yearn-Ik Choi 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2001,48(1):161-165
We have fabricated a new lateral field emitter array, in-situ vacuum-sealed, which exhibits a low turn on voltage and a high transconductance value without any additional vacuum sealing process. The vacuum-sealed lateral FEA (VLFEA) is encapsulated during the fabrication process, so that field emission characteristics can be measured without any additional vacuum environments. Experimental current-voltage (I-V) characteristics show that the anode current is field emission current obeying the linearity of the Fowler-Nordheim (F-N) plot. The experimental turn-on voltage of about 9 V is in good agreement with the extracted one from the F-N plot. In order to verify the integrity of the vacuum sealed micro-cavity, we have measured the anode current of the VLFEA both in a high vacuum chamber and in an atmospheric environment and found that the structure is well sealed. The anode currents as a function of gate voltage of the Mo-sealed VLFEA are analyzed and transconductance is extracted. The experimental results show that the VLFEA has superior field emission characteristics, such as low turn-on voltage and high transconductance, and does not require any additional troublesome vacuum sealing 相似文献
18.
Lin C.M. Chang S.J. Yokoyama M. I-Nan Lin Chen J.F. Huang B.R. 《Electron Device Letters, IEEE》2000,21(12):560-562
This work has improved the emission characteristics for Mo-tips of field-emitter array (FEA) through a reduction-oxidation (redox) process. The maximum emission current of the 1600 tips array significantly increased from 23.2 /spl mu/A to 2.36 mA with the turn-on voltage decreasing from 70 V to 48 V after the redox treatment. Scanning electron microscopy (SEM) and transmission electron microscopy (TEM) indicate that the main factor improving electron field emission characteristics for the Mo-tips is the increase in enhancement factor (/spl beta/) and, possibly, number of emission sites of Mo films. 相似文献