以Zn(BTZ)_2∶rubrene为发光层的一种新型白色有机电致发光液晶显示背光源

制备了以Zn(BTZ)2∶rubrene为发光层的5种白色有机电致发光器件,并将其应用于液晶显示背光源。5种器件色度最好时的CIE坐标值为(0.32,0.33),最大有效发光面积达到3 cm×3 cm,此时器件的平均亮度达到264 cd/m2,亮度均匀性达到80%。并且分析了随器件有效发光面积增大,发光均匀性、亮度以及最大量子效率减小而器件电流密度反而增大的原因。同时发现附加金属(Ag)辅助电极在一定程度上有助于提高器件的性能。最后将所制备的5种器件与液晶显示屏相匹配,它们均基本满足液晶显示对背光源的要求。     

用于液晶背光源的双层掺杂白光OLED

制备了一种双层掺杂的白光有机电致发光器件(OLED),其中BAlq:TBPe掺杂层发蓝光,Zn(BTZ)2:Rubrene掺杂层发橙色光.器件在驱动电压5 V时就能发出白光,且在驱动电压5～15 V内色坐标变化较小,均在白光色域区,在15 V时亮度达到8 572 cd/m2,在电流密度50 mA/cm2时量子效率最高达到0.9%.对该白光OLED的发光和电学性能以及发光机理进行了深入的研究和探讨,进而制备了应用于液晶显示(LCD)背光源的近白光OLED,有效面积达到3 cm×3 cm,在10 V时平均亮度达到～1 300 cd/m2,发光亮度均匀性为90%,色度均匀性较好,很好地符合了LCD对背光源的要求.     

CNT-FED背光源中支撑体高度的优化研究

利用丝网印刷技术制备碳纳米管阴极并真空封装碳纳米管场发射(CNT-FED)背光源原型器件,研究了支撑体高度对碳纳米管背光源发射性能的影响,实验表明:支撑体高度增加,开启电压随之增加;达到同样的发射电流密度,支撑体越高,亮度也越高.支撑体高度为1 000 μm和2 000μm时,CNT-FED背光源发射性能较好,在电流密度为4 mA/cm~2情况下,支撑体高度为1 OOO μm时,亮度为1 800 cd/m~2;支撑体高度为2 OOO μm时,亮度为3 100 cd/m~2.选用支撑体高度为2 000 μm,制备出86.4 cm液晶平板显示器(LCD)用CNT-FED背光源,亮度最高可达8 000cd/m~2,发光均匀性为82%,稳定发射30 h,发射电流无明显衰减.     

掺杂C545T对2T-NATA作为空穴注入层OLED性能的影响

实验制备了6组结构为ITO/2T-NATA(15 nm)/NPB(25 nm)/Alq3(20 nm):C545T(x%)/Alq3(30 nm)/LiF(1 nm)/Al(100 nm)的绿光多层结构OLED器件,其中x分别为0、1、2、3、4和5.比较了不同掺杂浓度条件下OLED器件的电致发光特性,结果表明:用2T-NATA作为空穴注入层可有效提高载流子的注入效果,同样能够达到高亮度.将C545T掺杂到Alq3中能够明显改善器件的发光亮度和色纯度,并调节载流子复合区域的位置,有效提高发光效率.掺杂C545T对器件性能的影响显著,随着C545T掺杂浓度的提高,电流和亮度先增大后减小.当掺杂浓度为3%时,14 V电压下的最大发光亮度达到12 418 cd/m2,浓度为2%时的器件,在12 V驱动电压下的最大电流效率为10.22 cd/A.     

高清晰度液晶电视用发光二极管背光源

目前，发光二极管(LED)也用作小型显示如，PDA(个人数字助理)和手机屏的背光源。LED新技术可以用作要求很高之显示器件的背光源，例如高清晰度电视。使用的这种新型光源被称之为Luxeon大功率光源，其亮度高于边缘发光的冷阴极荧光灯．而与直接照明的冷阴极荧光灯背光源相比．发光二极管背光源的厚度更低。发光均匀性更好。近年来。随着发光二极管性能的不断提高，发光二极管的亮度性能将达到甚至超过直接照明的冷阴极荧光灯背光源，同时，又能在更高的亮度水平上保持边缘发光背光源的优点。     

带电子聚焦的氧化锌场发射背光源

液晶显示需要低功耗、均匀度好的光源作为背光源。为了降低功耗,提高显示图像质量,未来的液晶显示需要实现对背光源进行时间与阵列调制。对比现有的液晶显示用背光源,研究制备了氧化锌场发射光源。该光源采用氧化锌纳米针作为场发射阴极,采用平面栅极作为门电极调制结构实现亮度的连续可调,通过带有氧化镁二次电子发射层的金属栅网对电子进行聚焦实现光源的均匀照度。实验结果表明,带电子聚焦的氧化锌场发射光源具有较低的开启场强(1.1V/μm),较小的电压调制区间(小于150V),较高的发光强度(大于1 000cd/m2),且基于电子聚焦结构的设计,实现了光源的均匀稳定照度,可以提高液晶显示的图像质量。带电子聚焦结构的氧化锌场发射光源,既可实现对发光的时间与阵列调制,同时能提高发光的均匀性,将可作为液晶显示的理想背光源。     

双层结构有机电致发光器件发光层厚度的优化研究

以TPD为空穴传输层,Alq3为发光层兼做电子传输层,用真空蒸镀方法制备了双层结构ITO/TPD/Alq3/Mg∶Ag器件,并系统地研究了发光层厚度对器件发光性能的影响.通过固定TPD厚度为40 nm,Alq3层厚度x分别为20,30,40,50,60和70 nm,共制备了六种结构的器件.结果表明,器件电流随着x的增大而减小,启亮电压随着x的增加而增大,而器件亮度和流明效率随着x的增大先增大再减小;x=40 nm的器件在15 V电压下具有最大亮度值13 750 cd/m2,在5 V电压下具有最大流明效率值0.862 lm/W.     

OLED背光源技术研究进展

有机电致发光二极管(OLED)因其白光材料的多样性、制程的简单性和成本低廉性,特别是其面光源的属性,相较于电致发光二极管(LED)的点光源,更有望成为未来液晶显示器件背光源的主角。介绍了OLED背光源关键技术的最新进展,分别阐述了白光OLED发光效率的提升,OLED器件稳定性和寿命的提高,OLED制备的最新工艺,偏极化的OLED技术,OLED背光源与液晶显示面板匹配技术,还介绍OLED背光源产业发展及发展现状,并对OLED背光源技术的发展趋势进行了展望。     

碳纳米管场致发射平面背光源

通过酸化、球磨、超声分散等工艺制备碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNT)悬浮液,利用电泳沉积技术制备CNT阴极,并真空封装制备成25.4cm(10in)的CNT场致发射平面背光源器件。采用扫描电子显微镜对CNT阴极样品的表面形貌进行表征,并对器件的场致发射性能进行测试。结果表明,当电场为1.76V/μm时,CNT场致发射平面背光源器件的亮度为6500cd/m2,亮度均匀性为89%,可应用于液晶显示器的背光源。     

用于LCD的场致发射背光源

背光源是液晶显示（LCD）的核心组件之一,其性能直接影响着LCD的显示质量。FED背光源具有众多优点并将成为中、大尺寸LCD理想的背光源。本文阐述了几种常见的LCD背光源的原理与优缺点,其中包括冷阴极荧光灯（CCFL）、电致发光器（EL）和发光二极管（LED）;重点介绍了低逸出功印刷型场致发射（LPC-FED）背光源的原理框图、驱动电路以及显示屏的制备。目前已研制出25inLPC-FED背光源,亮度达到3,157cd/m^2,显示均匀性良好。