利用表面形成Si_2N_2O层提高Si_3N_4陶瓷材料抗氧化性能

根据对Ｓｉ－Ｎ－Ｏ系统相图的分析，首次在Ｓｉ３Ｎ４陶瓷材料表面形成Ｓｉ２Ｎ２Ｏ抗氧化层。其方法是利用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ在Ｓｉ３Ｎ４陶瓷的表面涂上一层ＳｉＯ２（其中含有１０％的Ａｉ２Ｏ３）涂层后，在Ｎ２气氛中，并有Ｓｉ３Ｎ４粉末和ＳｉＯ２粉末存在的条件下，于１２７３～１６７３Ｋ的温度下进行热处理。用ＸＲＤ和ＸＰＳ分析验证了Ｓｉ２Ｎ２Ｏ（和／或Ｏ’－Ｓｉａｌｏｎ）层的存在。由于形成了Ｓｉ２Ｎ２Ｏ（和／或Ｏ’－Ｓｉａｌｏｎ）层，Ｓｉ３Ｎ４陶瓷材料在１５７３Ｋ的温度下氧化１００ｈ后，氧化增量从原来的０．４２ｍｇ／ｃｍ２降低到０．２４ｍｇ／ｃｍ２。     

Si_3N_4-Al_2O_3-ZrO_2系陶瓷表面氧化层组成的EPMA分析

利用ＥＰＭＡ和ＸＲＤ的分析方法，研究了Ｓｉ＿３Ｎ＿４－Ａｌ＿２Ｏ＿３－ＺｒＯ＿２系陶瓷材料表面氧化层组成。结果表明，Ｓｉ＿３Ｎ＿４－Ａｌ＿２Ｏ＿３－ＺｒＯ＿２系陶瓷材料表面氧化层是由方石英相、ＺｒＳｉＯ＿４相和含有Ａｌ＿２Ｏ＿３、ＣａＯ等的ＳｉＯ＿２玻璃相所组成，其中ＳｉＯ＿２玻璃相中Ａｌ＿２Ｏ＿３、ＣａＯ等的含量，随着氧化时间的增加而逐渐增加。     

Si_3N_4陶瓷材料的氧化行为及其氧化机理

采用氧化后再氧化的实验方法,通过对 Ｓｉ３ Ｎ４ 陶瓷材料氧化行为的研究和氧化动力学的分析,讨论了 Ｓｉ３ Ｎ４ 陶瓷材料的氧化机理。结果表明, Ｓｉ３ Ｎ４ 陶瓷材料的氧化行为表现为氧化增量随时间的变化服从抛物线规律：（Δ Ｗ ）２ ＝ Ｋｐ ｔ 。提出了氧在氧化层中的向内扩散是 Ｓｉ３ Ｎ４ 氧化过程中的控制步骤;并认为烧结添加剂或杂质等对 Ｓｉ３ Ｎ４ 陶瓷材料氧化速度的影响,是通过改变氧化层的组成、结构,使氧在氧化层中的扩散速度发生变化而产生的。     

Si3N4粉末在空气中的氧化反应方式

本文以ＳｉＮ４粉末作为研究对象，首次采用化学分析的方法发现在Ｓｉ３Ｎ４的氧化过程中有ＮＯ气体生成，打破了传统的Ｓｉ３Ｎ４氧化生成的气态产物只有Ｎ２的看法。采用Ｈ２ＳＯ４＋ＨＮＯ３的混合液作为ＮＯ的吸收液，以ＫＭｎＯ４作为氧化剂，用氧化－－还原滴定法对ＮＯ进行检测。并利用ＸＲＤ和ＸＰＳ分析了Ｓｉ３Ｎ４粉末表面氧化层的组成。根据实验结果和热力学分析，探讨了Ｓｉ３Ｎ４粉末在空气中的氧化反应方式。     

反应结合O'Sialon和O'Sialon-SiC复合材料

在通氮气条件下,烧结硅粉制取氮化硅（Ｓｉ３Ｎ４）的工艺已沿用多年,它是生产氮化硅结合碳化硅复合陶瓷材料的基础。现在,开发出一种制取Ｏ’Ｓｉａｌｏｎ的新工艺,可以反应结合碳化硅制取Ｏ’ＳｉａｌｏｎＳｉＣ复合陶瓷材料。Ｏ’Ｓｉａｌｏｎ（Ｓｉ２－ｘＡｌｘＯ１＋ｘＮ２－ｘ,ｘ＝０～０．４）与氧氮化硅（Ｓｉ２ＯＮ２）结构相同,是由Ａｌ和Ｏ取代其中的Ｓｉ和Ｎ而形成的固溶体。其中Ａｌ、Ｏ的量随温度升高而增多,１６００℃时,ｘ取０～０．２;１９００℃时,ｘ为０．４。新工艺是在通Ｎ２条件下,烧结硅、二氧化…     

Si_3N_4材料的钝化氧化和活化氧化

以Ｓｉ３Ｎ４粉末和添加了Ａｌ２Ｏ３的热压Ｓｉ３Ｎ４陶瓷材料作为研究对象，分别研究了Ｓｉ３Ｎ４材料在空气气氛中和在Ｎ２气气氛中（其中氧分压Ｐｏ２＝１～１０Ｐａ）的氧化反应方式。利用化学分析、ｘ射线衍射分析和ｘ光电子能谱分析，对Ｓｉ３Ｎ４材料的氧化产物进行了测定，同时对Ｓｉ３Ｎ４材料的氧化反应方式进行了热力学分析。结果表明，在高温下的空气中氧化时，氧化反应方式为钝化氧化，而在高温下的Ｎ２气气氛中氧化时，虽然有少部分的钝化氧化存在，但氧化反应方式主要是活化氧化。     

N+注入Ti/Si3N4的摩擦行为研究

研究了Ｓｉ３Ｎ４陶瓷材料及镀膜Ｔｉ／Ｓｉ３Ｎ４材料当Ｎ＾＋注入前后的摩擦学行为,考察了样品表面划痕轨迹的ＳＥＭ形貌,结合Ｘ射线衍射,对离子注入改性机理和摩擦学性能刊物了探讨,在Ｔｉ和Ｓｉ３Ｎ４界面上离子的混合及形成Ｔｉ２Ｎ相使Ｔｉ膜的附着力增加。     

无压烧结合成O＇－Sialon

探讨了Ｏ＇－Ｓｉａｌｏｎ的合成工艺及配方选择；研究了Ａｌ２Ｏ３在Ｓｉ２Ｎ２Ｏ中的固溶状况及添加剂Ｙ２Ｏ３和烧结液相的特点对Ｏ＇－Ｓｔａｌｏｎ中Ａｌ２Ｏ３固溶度的影响．结果表明；无压烧结合成Ｏ＇－Ｓｉａｌｏｎ的工艺应选用ＳｉＣ粉料作为埋粉，通Ｎ２保护；Ｘ＝０．３为Ｏ＇－Ｓｉａｌｏｎ固溶极限的配方；Ｙ２Ｏ３的加入量增多有利于Ｋ１ｃ值的提高；Ｋ１ｃ在Ｘ＝０．３～０．４时达到最大值；配料时应避开靠近低共熔点处（Ｘ＝０．２）的配方，因其试样力学性能较差．     

用Ti/Ni/Ti多层中间层进行Si_3N_4陶瓷的部分瞬间液相连接

在１３２３Ｋ和０．１ＭＰａ压应力下用Ｔｉ／Ｎｉ／Ｔｉ多层中间层进行Ｓｉ３Ｎ４陶瓷的部分瞬间液相连接．测定了不同连接时间的接头四点弯曲强度,对连接界面进行了ＳＥＭ,ＥＤＸ和ＸＲＤ分析．结果表明：Ｔｉ和Ｎｉ相互扩散形成的液态合金与Ｓｉ３Ｎ４反应并浸润;液相区等温凝固后,形成Ｓｉ３Ｎ４／反应层／ＮｉＴｉ／Ｎｉ３Ｔｉ／Ｎｉ的过渡层连接;连接时间为７．２ｋｓ时,ＮｉＴｉ层已基本消失．分析了陶瓷部分瞬间液相（ＰＴＬＰ）连接的特征,提出了陶瓷ＰＴＬＰ连接参数优化的模型．     

纳米Si3N4-SiC(Y2O3)复合粉末的氨解溶胶-凝胶法合成

以硅溶胶、尿素和碳黑为原料,经氨解溶胶－凝胶、碳热还原法合成了纳米Ｓｉ３ｎ４－ＳｉＣ复合粉末。通过在硅溶胶中引入Ｙ（ＮＯ３）３,合成了Ｓｉ３ｎ４－ＳｉＣ－Ｙ２Ｏ３超细复合粉末,Ｙ２Ｏ３的加入有助于降低Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＣ的合成温度。采用ＸＰＳ和ＸＲＤ分析复合粉末中Ｙ的存在状态表明：一部分Ｙ固溶在Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＣ中,加有一部分以Ｙ２Ｏ３形式存在,Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＣ－Ｙ２Ｏ３复合粉末的烧结性能良好。     

亚硝酸盐的光催化氧化

利用半导体光催化剂Bi2O3 对含亚硝酸盐废水的处理进行了研究，并讨论了影响亚硝酸盐氧化率的主要因素，实验结果表明：选择活性较高的Bi2O3作为光催化剂，当其用量为0.050g，试液PH=3.70,NO2^--N起始浓度为400.0mg/L，光照1h时，亚硝酸盐的氧化率达到97.0%。     

超临界水氧化技术

超临界水具有通常状态下的水所没有的特异性质，它可以与氧以任意的比例相混合而成于一相，从而提供了超临界水氧化反应的溶剂环境，将超临界水氧化技术应用于环境保护是一个新的研究方向，由于该技术对废物处理具有经济、快速、高效等特点，近几年来发展非常迅速，笔者介绍了超临界水的性质和超临界水氧化技术的原理与优点，综述了超临界水氧化技术处理有毒有机废物，下水污泥及人体代谢污物等方面的应用，并指出了超临界水氧化技术研究中存在的问题，最后介绍了超临界水氧化技术在工业上的应用现状。     

预焙阳极氧化机理与提高抗氧化性主要方法

综述了预焙阳极氧化机理以及石油焦原料空气反应性和二氧化碳反应性能,分析和指出了阳极抗氧化性差对铝电解过程的影响和危害,同时对提高阳极抗氧化性能的主要方法与措施进行了讨论.     

Si_3N_4陶瓷材料的氧化行为及其抗氧化研究

研究了Si3N4陶瓷材料的氧化行为 ,同时探讨了通过表面处理使Si3N4陶瓷材料表面形成一层Si2 N2 O对其抗氧化性能的影响。实验结果表明 ,Si3N4陶瓷材料在空气中的氧化行为服从抛物线规律。另外 ,用X射线衍射分析 (XRD)和X光电子能谱 (XPS)分析验证了Si2 N2 O层的存在。由于形成了Si2 N2 O层 ,Si3N4陶瓷材料在 130 0℃下氧化 10 0h后 ,氧化增重从原来的 0 .4 2mg/cm2 降低到 0 .2 4mg/cm2 ,其抗氧化性能有了明显的提高。同时 ,表面处理后Si3N4陶瓷材料的强度也有一定的提高 ,其中室温强度从原来的62 1MPa提高到 662MPa。     

对PEG模拟废水的氧化研究

本文采用正交实验法，利用Fenton试剂对PEG模拟废水进行处理，对其氧化条件进行了优化，水样的CODCr去除率最高可达97．2％。并考察了不同浓度的PEG－2000和同一浓度不同分子量的PEG在同一氧化条件下的处理效果。     

氧化沟工艺缺陷的改造实例

通过对氧化沟工艺缺陷进行改造,安装潜水推流器,提高了池底流速、预防积泥,便于工艺调整、控制溶解氧,利于生产运行和降低运行成本,保证了出水达标,对降低成本,提高运行质量显有成效.     

色素炭黑的氧化处理

色素炭黑通过氧化处理,改善其表面性能,拓宽应用领域。介绍了色素炭黑的氧化方法,着重介绍了臭氧氧化色素炭黑的工艺流程、工艺条件控制及其应用。