钽硅电阻薄膜研究

<正> 如果一种薄膜材料能同时被用来制作电容器和电阻器,将会给薄膜混合集成电路的制造带来很大的方便。而钽硅薄膜正是这样一种薄膜材料。 钽硅薄膜通常用反应溅射和共溅射方法制备;也有用烧结的合金为靶,进行阴极溅     

钽硅介质薄膜研究

<正> 研究钽硅介质薄膜,有两个目的:(1)用同一薄膜材料制成阻容元件,简化薄膜电路的制造工艺;(2)改进钽基介质薄膜的性能。 对钽硅电阻薄膜研究表明:其电性与Ta_2N膜类似,但稳定性却优于Ta_2N电阻薄膜。本文的研究结果表明,钽硅氧化物薄膜中Si含量在20～50at％范围内,其介电     

激光加工薄膜电路和集成电路

本文研究了使用钇铝柘榴石激光器作为一种热加工集成电路工具的可能性。结果指出,这样一种激光器可完成确成电阻器的几何形状、微调电阻器阻值、制造间隙电容器以及确定互连电路。已在各种薄膜和电镀膜上对由激光加工产生的图案作了验证。蒸发线条(间隙)易达到薄膜为0.25密耳和电镀膜为0.4密耳的精细程度。特别是在好的控制条件下,可以得到更细的线条。这些薄膜可以除去,而对基片表面影响极小。基片的热影响区能限制到小于薄膜的厚度。较好的激光输出控制和较短的脉冲宽度能减少这一厚度。已经制成0.04平方时、电容量接近20微微法,用蓝宝石作基片的间隙电容器,并且对实验提出了改进。钽薄膜能形成电阻器的几何形状,而且可用激光除去金属或氧化电阻膜来微调其公差。电阻器通常可微调成小于±0.1%的公差。进一步发展有可能组合这些激光加工过程成为一种单一步骤、自动制造某些类型集成电路的程序。我们评论激光加工的一些技术问题,并且讨论使用 Q 突变钇铝拓榴石激光器来直接加工光刻用的掩模。     

TaN微波薄膜技术改善电阻元件

TaNFilm薄膜技术采用自钝化氮化钽,能制造在高温下具有长期稳定性和准确性的电阻元件。美国TT电子公司IRC先进薄膜分公司开发的这项技术可以制造在电信、航天和联网等微波应用中性能远远高于其他钝化膜技术的薄膜电路和混合衬底。     

微带薄膜电容器的研制

本文叙述了微带薄膜电容器的设计制造工艺,并测量了电特性。这种电容器电容密度可在20pF/mm~2到100pF/mm~2范围内变化,在微波集成电路中有广泛的用途。电容器采用溅射钽薄膜作为电容器下电极,阳极氧化五氧化二钽和高频溅射二氧化硅为介质,再以蒸发铬金作为上电极。此种电容器适于大批量生产,最终以芯片形式焊入微电路中。电容器的电容特性和长期稳定性一般都超过一氧化硅薄膜电容器。     

精密衰减器的工艺试验

薄膜电阻是微波混合集成电路的重要组成部分,可减少外贴元件,从而减轻重量,缩小体积,提高电路的可靠性和稳定性。钽系薄膜电阻性能良好,在微波集成电路、薄膜电路中广泛应用。我们试制的衰减片所采用的薄膜电路工艺:在99％Al_2O_3陶瓷基片上溅射钽膜;用光刻法刻出钽电阻体;蒸发铬金膜;光刻电极(作为连接同轴衰减器的内外导体);电镀加厚电极至5～8微米;在250℃下热老化;以阳极化调整电阻达到要求值。衰减片外型尺寸为19×8.5×0.55毫     

高频反应溅射氮化钽铝薄膜

<正> 用钽膜制作薄膜电阻元件,具有制作方便,性能优良等优点。但是用来制造精密电阻网络,则其温度系数和长期稳定性尚嫌不足,为此,发展了氮化钽薄膜电阻,改善了温度系数。R.G.Duckworth于1969年研制了钽铝合金电阻,提高了薄膜电阻长期稳定性。不过,这种薄膜在高方阻时稳定性     

0201元件应用面临的挑战

片式元件是应用最早、产量最大的表面组装元件。它主要有以厚薄膜工艺制造的片式电阻器和以多层厚膜共烧工艺制造的片式独石电容器，这是开发和应用最早和最广泛的片式元件。随着工业和消费类电子产品市场对电子设备小型化、高性能、高可靠性、安全性和电磁兼容性的需求，对电子电路性能不断地提出新的要求，     

超薄型钽浆阳极电容器的制备及性能分析

高体积效率、超薄型化是实现钽电容器进一步小型化的有效技术途径，基于丝网印刷技术，提出了一种新的钽阳极制作方法，即首先将高比容钽粉制成浆料，然后印刷在钽箔上进行高温烧结作为电容器的阳极片，接着利用传统的阳极氧化方法生成五氧化二钽(Ta2O5)作为电容器的电介质，并通过多次浸渍硝酸锰、高温热分解循环被覆二氧化锰(MnO2)作为阴极材料，该方法制备的电容器其钽芯厚度最薄可以达到 0.2ｍｍ，体积效率相比传统技术提高了30％，而且经过 125℃、2000ｈ寿命测试，试 验样品各项电性能参数稳定，基于丝网印刷工艺技术制造钽浆阳极的方法将加速钽电容器小型化和薄型化的发展。     

怎样选用元器件讲座（二十）：气敏元件

气敏元件,有人称之为“电子鼻”,实际上它是一种气敏电阻器,其阻值随被检测气体的浓度(成分)而变化。气敏元件是一种“气一电”传感器件,它能将被测气体的浓度(成分)信号,转变成相应的电信号。气敏元件有N型和P型之分。N型在检测可燃气体的浓度时,其阻值随气体浓度的增大而减小;而P型元件的阻值随气体浓度的增大而增大。气敏元件主要是采用二氧化锡(SnO_2)等金属氧化物半导体制成。取材和掺杂决     

氮化钽薄膜电阻器性能的研究

本文研究了氮分压、溅射电流、膜厚对氮化钽膜电性能的影响。找出了制备低温度系数、高稳定性、高精度氯化钽薄膜电阻器的最佳工艺条件。     

液相法制备ZnO压敏电阻的研究

利用化学共沉淀法和Sol-Gel法制备,ZnO压敏电阻器的部分添加剂粉料,经过成份验证后与其他添加剂和ZnO主料混合制备压敏元件.元件在烧结后,经过热处理和电老练,其性能较传统的固相球磨制备元件提高很多.液相法制备压敏元件,元件内部晶粒大小分布均匀、气孔率低,而经过电老练,气孔再一次减少,因此得到了高性能的ZnO压敏元件.     

二氧化锡薄膜电阻

二氧化锡薄膜除了用于制造导电玻璃外,还可以塗敷在陶瓷基体上,制造耐高温,高可靠的电阻器的导电层。本文研究了二氧化锡薄膜的形成方法和适合成批生产固定电阻器的工艺;煅烧热处理规范对电气性能的影响;加入各种杂质后,可以改进二氧化锡薄膜的热稳定性及电气参数;并讨论了二氧化锡薄膜的结构和导电机理。设计出了RJY型金属氧化膜固定电阻器。 (一) 前言。 (二) 二氧化锡薄膜的形成与特性。 Ⅰ.二氧化锡薄膜的形成。 Ⅱ.二氧化锡薄膜的特性。 (三) 二氧化锡薄膜电阻器。 (四) 讨论。 (五) 结论。     

用于液晶显示器的新型发热薄膜

美国一家公司最近研制成功一种新的厚膜聚合物电阻器。这是一种正温系数薄膜,它可应用于液晶显示器,使发热元件在负温下工作时不用外加控制电路。发热元件和控制电路均做在0.005英寸厚的电阻衬底上,所以它既可作发热元件,又能作控制器。在升温时,     

固体钽电解电容器的进展

<正> 一、前言由于钽及其阳极氧化物Ta_2O_5的化学性质异常稳定,可以使用电导率很大的强性电解质,再加上Ta_2O_5薄膜的介电性能非常优良,所以使钽箔电解电容器的许多性能明显地优于A1箔电容器。将钽箔阳极换为高温真空烧结的多孔钽块以后,钽电解电容器的优越性更加显示出来。这是因为多孔钽块的比表面积远大于钽     

钽基电阻薄膜的进展

<正> 一、前言从50年代中期以后,钽逐渐成为电子元件的重要材料之一。那时,因为钽的抗蚀性强、易于阳极氧化、以及其氧化膜具有优良的介电性能,所以首先用来制造钽电容器。由于在块状形式下,钽的电阻率很小(ρ=13μΩ·cm),而电阻的温度系数(TCR)又很大,所以不适于作为电阻材料。然而,在薄膜形式下,出现了钽晶的四方结构(常     

钽铝-钽下电极对钽系电容器高频损耗的改善

<正> 钽系薄膜电容器具有高的介电系数和良好的绝缘性能,可与钽电阻使用同样的钽材料,因此它比其它类型的薄膜电容器更受到人们的重视。在国外,用钽系材料已研制成了各种薄膜电容器。例如:用TMM和TLM     

片式多层元件新技术概念

根据多层瓷介电容器的结构特征,全面概括了“独石”结构广泛应用于片式元件设计与制造的新趋势,重点了多层压敏电阻器,多层电感元件,多层复合元件等片式无源元件,引入独交传统结构在性能上的显著改进和技术上的重大突破,总结了片式多层元件技术与应用的新进展。     

制造镍铬——铝薄膜电阻网络的一种新方法

<正> 制造镍铬薄膜电阻器通常是以金、铜或铝作为导体金属层的。目前选用两种腐蚀剂:一种是腐蚀镍铬薄膜,一种腐蚀导体薄膜。因为要用两种腐蚀剂,所以这种工艺在经济上是不合算的。而且在镍铬—铝薄膜电阻器的生产中,腐蚀镍铬膜用的腐蚀剂有一     

片式元件多层化技术概论

矩形片式元件在众多表面贴装元件(SMC)门类中,开发应用最早,产销量最大,始终保持领先地位。其中包括两大类代表品种:其一,以厚薄膜工艺制造的具有基片、电阻体、玻璃和导电体单层组合结构的片式电阻器;其二,以多层厚膜共烧工艺制造的具有交叠电介质与电极层独石一体化(Monolithic)结构的片式多层瓷介电容器(MLCC),或称片式独石电容器。MLCC源于有